李海军
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华北科技学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电子辐照直拉硅V-O相关缺陷的红外研究被引量：2
- 2009年
- 应用FTIR技术研究了1.5 MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ-Si)的V-O缺陷在不同温度热处理时的行为。发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830 cm-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830 cm-1峰的出现,在860 cm-1处出现一弱的吸收峰,两者有着相似的退火行为。VO0(830 cm-1)与样品中的初始间隙氧含量无关。400℃热处理,出现了889cm-1对应的复合体VO2,其形成主要在退火初期,该峰强度不随退火时间发生变化,但与初始氧含量有关。
- 蔡莉莉李海军
- 关键词：电子辐照辐照缺陷VOFTIR
