杨晓峰
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：绍兴文理学院数理信息学院物理与电子信息系更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺更多>>
- 单晶Tm_2O_3高k栅介质漏电流输运机制研究被引量：1
- 2012年
- 利用分子束外延技术在p型Si(001)衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射,而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel-Poole发射。
- 杨晓峰谭永胜方泽波冀婷汪建军陈太红
- 关键词：高K栅介质
- 单晶Tm_2O_3薄膜的制备与F-N隧穿机制
- 2013年
- 采用分子束外延方法结合原位退火生长技术在Si(001)衬底上制备了Tm2O3薄膜,XRD测量结果表明所制备样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3和Al/Tm2O3的势垒高度分别为2.95,1.8eV.从能带的角度表明Tm2O3是一种高K栅介质候选材料.
- 杨百良杨晓峰刘士彦
- 关键词：分子束外延
- 工作气压对磁控溅射Mo膜的影响被引量：3
- 2011年
- 采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1～0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5～1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加;不同工作气压下制备的Mo膜为立方结构,在较低工作气压下薄膜结晶性能较好。
- 廖国王冰张玲牛忠彩张志娇何智兵杨晓峰李俊许华陈太红曾体贤谌家军
- 关键词：直流磁控溅射MO薄膜工作气压沉积速率表面形貌
- 工作气压对Bi薄膜沉积速率和表面形貌的影响
- 2011年
- 采用直流磁控溅射方法在不同工作气压下制备了Bi薄膜,对薄膜的晶体结构、沉积速率、表面形貌和生长模式进行了研究,并对其晶粒尺寸的变化规律进行了分析。X射线衍射(XRD)结果表明Bi薄膜均为多晶斜六方结构。研究发现沉积速率随工作气压的升高先增大后减小。扫描电镜(SEM)图像显示随着工作气压的升高,小晶粒尺寸增大、大尺寸晶粒逐渐消失,薄膜变得疏松多孔;薄膜经历柱状-节榴状-楔形3种生长方式。
- 廖国何智兵杨晓峰陈太红许华李俊谌加军
- 关键词：直流磁控溅射工作气压沉积速率表面形貌
