杨智慧
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：辽宁省教育厅高校重点实验室项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于ECR-PEMOCVD技术的GaN和InN薄膜的生长及性能研究
- 以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料,由于其在光电子和微电子器件上的应用前景,受到了人们极大的关注。2002年的研究表明,氮化铟(InN)的禁带宽度为0.7eV,而不是之前报道的1.89eV,这就意味着通过调节...
- 杨智慧
- 关键词：氮化镓氮化铟生长温度
- 文献传递
- TMGa流量对玻璃衬底上低温沉积GaN的影响被引量：5
- 2010年
- 采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌。结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420～1110nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成。
- 陈伟绩秦福文吴爱民刘胜芳杨智慧姜辛李帅董武军
- 关键词：GAN化学气相沉积玻璃衬底
- ZnO∶Al衬底上低温生长GaN薄膜
- 2010年
- 利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO∶Al薄膜。采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO∶Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响。
- 杨智慧秦福文吴爱民宋世巍刘胜芳陈伟绩
- 关键词：GAN薄膜
