潘忻强
- 作品数：33 被引量：0H指数：0
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法
- 本发明提供一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法，属于电子薄膜与元器件技术领域。存储器件结构包括：基片、下电极、掺氟金属氧化物以及上电极。该器件利用一种较为新颖的等离子体处理方法，方便可控的制备出缺陷分布均匀...
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- 文献传递
- 一种二值忆阻器的神经网络芯片
- 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经...
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- 文献传递
- 不同波形电压刺激下单晶LiNbO_(3)薄膜忆阻器的电阻可塑性研究
- 2023年
- 随着人工智能在物联网中的应用,对于传感器端的高性能神经网络边缘计算需求日益迫切。忆阻器被认为是传感器端神经网络边缘计算应用中最具潜力的核心器件。由于传感器的输出信号具有不同的电压波形,故设计了不同的脉冲方案模拟不同的传感信号,基于单晶LiNbO_(3)薄膜忆阻器,研究了不同波形的电压刺激(方波、正弦波、三角波)对电阻可塑性的变化范围、线性度等的影响规律。在保持电压幅值和积分面积相同的情况下,研究了在三种不同波形电压刺激下的增强和抑制过程。在增强过程中,方波刺激下的电导变化幅度最大,在幅值为6 V的电压刺激下可达72 nS,正弦波次之,三角波最小(在幅值为6 V的电压刺激下仅为42 nS);而三角波刺激下的线性度最高,正弦波次之,方波的最低。测试分析可知这些差异主要是由三种波形超过特定阈值的积分面积不同所引起的。而在抑制过程中均观察到了电导突变现象,研究中通过幅值渐变的脉冲序列对电导突变进行了抑制。
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- 关键词：传感器电压波形
- 单端口声表面波谐振器在片去嵌方法分析
- 2023年
- 为了准确地设计声表滤波器,需要从参考声表面波(SAW)谐振器的测量值中提取精确的材料参数。测量SAW谐振器时,单个谐振器无法直接进行测试,需要引出传输线并使用GSG或GS探针进行测量,消除传输线影响的去嵌入过程对于SAW谐振器材料参数的准确提取非常重要。该文介绍了几种声表面波谐振器的去嵌入技术,包括Open-Short算法、电磁仿真方法、分段等效电路模型方法、集总参数等效电路法。通过实例验证了几种常用的去嵌方法并对其进行了分析。
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- 关键词：去嵌入机电耦合系数等效电路集总参数法
- I.H.P.SAW谐振器孔径对性能的影响
- 2023年
- 该文研究了在超高性能声表面波(I.H.P.SAW)衬底上,孔径总长对叉指末端具有能够抑制横向模态的小锤结构的谐振器性能。在衬底结构为Y 42°-钽酸锂(Y42°-LT)/SiO_(2)/多晶硅(Poly-Si)/Si上,通过建立对应的有限元三维仿真模型,初步得出在小锤结构下孔径总长的增大能够抑制横向模态杂散的结论。绘制了周期T为1.44μm、2μm、2.56μm下,孔径总长为7.5T、10T、15T、20T、25T、32.5T、40T的单端口谐振器版图并进行流片。通过实测结果表明,在不同周期下,随着孔径总长的不断增加,对谐振器横向模态的抑制会不断增强,机电耦合系数也不断增加,在孔径总长约为20T时阻抗比最高。仿真和实测结果体现了孔径总长对I.H.P.SAW谐振器的性能影响较大,为应用于I.H.P.SAW滤波器中的高性能谐振器提供了设计指导。
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- 关键词：机电耦合系数
- 一种多层结构的SAW器件及其制备方法
- 本发明涉及声表波器件制造领域，特别涉及一种多层结构的SAW器件及其制备方法。该多层结构的SAW器件，从上至下依次包括叉指换能器、压电单晶薄片和Diamond薄膜。压电单晶薄片厚度1‑10nm粗糙度1‑10nm，其上制备有...
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- 一种二值忆阻器的神经网络芯片
- 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经...
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- 一种热释电红外器件的制备方法
- 一种热释电红外器件的制备方法，包括：1)在热释电敏感材料的两个表面上均制备金属薄膜电极，作为上、下电极；2)在上电极表面制备红外吸收层；3)采用紫外激光直写技术对热释电敏感材料、上电极和红外吸收层进行切割，激光功率为0....
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- 一种三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列制备方法
- 本发明涉及半导体存储器及其制造技术领域，具体涉及一种三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列制备方法。本发明选用忆阻薄膜材料为单晶薄膜材料，采用聚合物进行晶圆键合，代替传统离子注入剥离法常用的SiO<Sub>2</Sub>亲水...
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- 基于单晶铌酸锂薄片的薄膜体声波谐振器及其制备方法
- 本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种基于单晶铌酸锂薄片压电材料的薄膜体声波谐振器，以及该谐振器的制备方法。本发明用于克服现有薄膜体声波谐振器机电耦合系数过低的缺陷，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上形成的图形...
- 帅垚李杰罗文博吴传贵张万里龚朝官白晓圆潘忻强
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