潘立阳
- 作品数：176 被引量：79H指数：3
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 一种能够实现反向读取的SONOS型快闪存储器阵列构架的操作方法
- 能够实现反向读取的SONOS型快闪存储器阵列构架属于快闪存储器设计技术领域，其特征在于：它通过源线编程，而通过位线进行反向读取；它还通过每x列存储单元共用一条源线，而源线又和位线具有相同的走线方向。从而提高了编程效果，加...
- 伍冬潘立阳朱钧
- 文献传递
- 陷阱电荷俘获型快闪存储器阵列结构及其操作方法
- 本发明提供一种陷阱电荷俘获型快闪存储器阵列结构，包括：衬底以及形成在衬底上的二维存储器阵列结构。其中，二维存储器阵列结构包括：沿第一方向的多个并行排列的存储单元列，每个存储单元列包括多个存储单元，每个存储单元为硅-氧化层...
- 潘立阳刘利芳
- 一种高精度模数混合温度补偿晶体振荡器被引量：2
- 2011年
- 提出了一种对石英晶体振荡器进行温度补偿的模数混合方法。该补偿芯片基于0.18μm标准CMOS工艺实现。采用模拟补偿网络和基于非挥发存储器的数字补偿网络相叠加的方法,对晶体振荡器进行间接补偿,实现了数模混合的片式化,降低了存储器的容量。该方法不需要高压CMOS和EEPROM浮栅器件,降低了工艺成本和功耗。补偿结果显示,温度频率稳定度达到10-7/-40℃～85℃,系统功耗为1.79mA@1.8V。
- 刘会娟伍冬郑德平潘立阳许军
- 关键词：石英晶体振荡器CMOS
- 一个精确时钟驱动的Dickson倍压电荷泵电路被引量：9
- 2002年
- 提出了一种基于 Dickson电荷泵电路 ,由自带参考电压的时钟电路驱动 ,并与耦合倍压电路相结合的片上升压电路。该电路由于保证了输出编程电压的精确度 ,从而控制了存储单元阈值电压的偏移 ,降低了对外围电路的要求 。
- 刘楷潘立阳朱钧
- 关键词：电荷泵FLASH存储器倍压电路
- 负电压译码电路
- 负电压译码电路属于混合信号处理集成电路和不挥发存储器电路设计技术领域。其特征是，第一级负电压电平转换电路含有：两个分别由PMOS管和NMOS管构成的反相器，这两个反相器的输入端和输出端彼此连接构成输出电压的正反馈通道，输...
- 段志刚潘立阳伍冬朱钧
- 文献传递
- 一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片
- 本发明公开了属于高温力学测量以及集成电路制造、封装和测量技术领域的一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片。在硅衬底上制作二氧化硅绝缘层，并在二氧化硅绝缘层上制作应力敏感元件层。其优点是传感器芯片可以测量全部6个方向的应力，...
- 王喆垚田阔潘立阳胡朝红王建锋刘理天
- 文献传递
- 一种应用于快闪存储器中的动态LDPC纠错码方法
- 本发明公开了属于非挥发存储器中的数据纠错领域的一种应用于快闪存储器中的动态LDPC纠错码方法。本发明根据NAND型快闪存储器的页错误率动态改变LDPC码软信息的量化精度。本发明的有益效果为：在NAND型快闪存储器使用的初...
- 王雪强潘立阳周润德
- 采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器(英文)被引量：1
- 2002年
- 提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器 ,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点 .该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程 ,当子位线宽度为 12 8位时 ,位线漏电只有 3 5 μA左右 ,每位编程功耗为 16 5 μW ,注入系数为 4× 10 -4 ,编程速度可达 2 0 μs,存贮管的读电流可达 6 0 μA/ μm以上 .分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性 .
- 潘立阳朱钧刘楷刘志宏曾莹
- 静态电压电平恢复器
- 本发明提供了一种改进的用于解决阈值损失问题的电压电平恢复器。该电压电平恢复器包括驱动晶体管电路、负载晶体管电路、偏置晶体管电路、开关晶体管电路和带反馈的输出级，没有静态电流，能够快速、低功耗的将一个有阈值损失的电压转换成...
- 潘立阳玉虓朱建峰
- 低电源电压下高效率电荷泵
- 本发明公开了属于集成电路设计技术领域的低电源电压下高效率电荷泵。本发明的连接关系如下：N<Sub>1</Sub>-N<Sub>K</Sub>-N<Sub>N</Sub>传输单元依次串联连接，其中，K为1-N，传输单元分别...
- 王雪强潘立阳周润德
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