王云涛
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
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- 热蒸发分解法制备多晶氧化锌薄膜以及性能分析被引量：2
- 2007年
- 以Zn(CH3COO)2·2H2O为蒸发源,利用热蒸发分解法在Si衬底上沉积了多晶ZnO薄膜.使用多种分析测试手段(XRD,SEM,PL,霍尔效应)对不同的衬底温度下得到的ZnO薄膜的物理性质及结构特征进行分析表征.ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,但在高角度时可以观察到衍射峰的分裂,表明ZnO薄膜中结构的非均一性.所得到的ZnO薄膜在蓝光波段具有强烈的受激发射.霍尔效应测量显示在衬底温度低于480℃时,薄膜为空穴导电(p-type),而高于480℃时,为电子导电(n-type).在不同衬底温度下,薄膜表面具有不同形貌特征.还探讨了对于ZnO薄膜的热蒸发分解法的成膜机理.
- 王云涛张昕顾小宝吴晓京
- 关键词：ZNO薄膜P型半导体
- 一种p型或n型氧化锌薄膜及其制备方法
- 本发明属功能材料技术领域，具体为一种p型/n型氧化锌薄膜及其制备方法。该薄膜的制备过程是：采用硅(100)作为基底，将其在一水平放置的石英管中加热到设定温度，在将盛有醋酸锌的陶瓷舟推入石英管加热，使其挥发分解，利用空气作...
- 王云涛张昕吴晓京
- 文献传递
- 热蒸发分解法制备多晶氧化锌薄膜以及性能研究
- 氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。相比传统的半导体材料，ZnO薄膜具有成本低廉，生长温度低，禁带宽度大(3．37eV)，激子复合能高(60meV)，受激辐射阈值较低，能量转换效率高等优点。近年来，ZnO作为宽禁带半导...
- 王云涛
- 关键词：ZNO薄膜P型半导体宽禁带半导体材料
- 文献传递
- 一种p型或n型氧化锌薄膜及其制备方法
- 本发明属功能材料技术领域，具体为一种p型/n型氧化锌薄膜及其制备方法。该薄膜的制备过程是：采用硅(100)作为基底，将其在一水平放置的石英管中加热到设定温度，在将盛有醋酸锌的陶瓷舟推入石英管加热，使其挥发分解，利用空气作...
- 王云涛张昕吴晓京
- 文献传递
