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王华林: 作品数：18 被引量：55H指数：5; 供职机构：大连交通大学材料科学与工程学院更多>>; 发文基金：辽宁省自然科学基金教育部重点实验室开放基金大连市科技计划项目更多>>; 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

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柔性有机电致发光器件衬底阻透性能的测试方法被引量：5: 2008年; FOLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H2O、O2等有害气体的侵蚀,FOLED器件很难达到商用显示器件的最低使用寿命标准(1×104h)。虽然在柔性衬底上制备保护层是延长器件使用寿命的有效方法,但目前为止,还没有商用测试仪器可以评价保护层对H2O、O2等有害气体的阻隔性能。介绍了几种测试H2O、O2渗透率的方法,及它们在评价FOLED衬底保护层阻隔性能方面的应用。; 张树旺王华林苗壮丁万昱朱继国柴卫平; 关键词：渗透率柔性衬底

TiO2制备改性及光催化应用研究进展被引量：2: 2020年; TiO2纳米粒子是一种N型半导体材料,因其具有高活性、稳定性、生物相容性而成为最受重视的一种光催化纳米材料,得到了广泛应用。但由于其存在禁带宽度较大,电子受激发跃迁时产生的电子和空穴十分容易复合等问题,影响光了催化效率,制约着其进一步发展。目前,如何提高TiO2纳米粒子的光催化效率成为材料研究中的热点,是研究的核心课题之一。本文介绍了TiO2纳米粒子的光催化原理,系统综述了TiO2纳米粒子的制备方法;同时总结了提高TiO2纳米粒子光催化效率的方法,并介绍其在生产生活中的应用。; 夏泽林刘世民郭玉王竞任元文姜薇薇刘超前王华林王楠丁万昱; 关键词：TIO2 光催化

SnO_2纳米粒子制备及其应用研究进展被引量：1: 2017年; SnO_2纳米粒子作为一种新型宽禁带n型半导体材料,兼具纳米粒子和SnO_2半导体的双重优点,得到广泛应用,但仍有许多因素制约着它的进一步发展。其中,如何制备性能优异的SnO_2纳米粒子成为目前材料研究中的活跃课题之一,具有重要的科学意义。本文介绍了SnO_2纳米粒子的结构和特点,系统综述了SnO_2纳米粒子的物理和化学制备方法;同时总结了SnO_2纳米粒子应用研究进展以及在制备中遇到的团聚问题,并简述了本课题组在SnO_2纳米粒子制备应用中所做的工作。; 梁冬冬郭玉王祉诺刘世民姜薇薇刘超前丁万昱王华林王楠; 关键词：无机非金属材料 SNO2

沉积参数对SiNx薄膜结构及阻透性能的影响: 2009年; 利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶变换红外光谱、台阶仪、紫外—可见分光光度计、接触角测量仪、透湿测试仪等表征技术,分析了N2流量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜成分、结构、及阻透性能、透光性能、接触角等性能的影响.研究结果表明,Si靶溅射功率固定时,在低N2流量条件下,或N2流量固定时,在高Si靶溅射功率条件下,制备的SiNx薄膜中Si—N键含量高,结构致密,薄膜对H2O的阻透性能优良,随着N2流量的增加或者Si靶溅射功率的降低,SiNx薄膜成分、结构发生变化,红外光谱发生偏移,其对H2O的阻透性能下降.在N2流量为6sccm,Si靶溅射功率为300W时制备的SiNx薄膜在可见光波段透过率超过97.5%,对H2O的接触角为30°,同时其对H2O的渗透系数最低,为0.764,综合性能满足柔性有机电致发光器件封装用阻透膜的要求,因此SiNx薄膜有望成为新一代柔性有机电致发光器件封装用阻透材料.; 丁万昱王华林苗壮张俊计柴卫平; 关键词：SINX 磁控溅射微观结构阻透性能

热解温度对溶胶-凝胶法制备B掺杂ZnO薄膜晶化行为及性能的影响: 2016年; 采用溶胶-凝胶方法制备了B掺杂ZnO（BZO）薄膜，系统研究了热解温度对薄膜的结晶行为和性能的影响．X射线衍射谱表明所有的BZO薄膜均具有六方纤锌矿结构，并沿c轴方向择优生长．随着热解温度的升高，BZO薄膜的晶粒尺寸和RMS粗糙度增加．BZO薄膜的载流子浓度和载流子迁移率也随着热解温度的升高而增加，其可见光平均透过率均在90％以上．; 文斌刘超前王楠王华林刘世民姜薇薇丁万昱费维栋柴卫平; 关键词：透明导电氧化物热解温度

低能氨离子/基团扩散对铟锡氧化物薄膜电学性质的影响规律: 2020年; 有机-无机杂化甲氨铅碘类钙钛矿太阳能电池在制备及使用过程中,甲氨铅碘层中的甲基铵离子易分解为甲基离子/基团和氨离子/基团,其中氨离子/基团可以扩散进入铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极层,并影响ITO的电学性质.本文通过低能氨离子束与ITO薄膜表面相互作用,研究低能氨离子/基团在ITO薄膜表面扩散过程,及其对ITO薄膜电学性质的影响规律.研究结果表明,低能氨离子/基团在ITO薄膜表面扩散过程中,主要与ITO晶格中的O元素结合形成In/Sn-O-N键.ITO不同晶面的O元素含量不同,低能氨离子/基团能够在无择优ITO薄膜表面的各个晶面进行扩散,因此将严重影响其电学性质,导致无择优ITO薄膜电阻率增加约6个数量级.但(100)择优取向ITO薄膜的主晶面为(100)晶面,最外层由In/Sn元素构成,不含O元素.因此(100)择优取向ITO薄膜能够有效地抑制低能氨离子/基团扩散,并保持原始电学性质.最终,(100)择优取向ITO薄膜有望成为理想的有机-无机杂化甲氨铅碘类钙钛矿太阳能电池用透明电极层材料.; 赵世平张鑫刘智慧王全王华林姜薇薇刘超前王楠刘世民崔云先马艳平丁万昱巨东英; 关键词：铟锡氧化物 NHX 电学性质

Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响被引量：12: 2008年; 利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能。Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ.cm,波长190 nm^850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%。; 朱继国丁万昱王华林张树旺张粲张俊计柴卫平; 关键词：MO薄膜晶粒尺寸光电性能

高熵氧化物的研究进展被引量：1: 2021年; 高熵氧化物也可以称为熵稳定氧化物、多组分氧化物等,是一种新型材料,由于其独特的结构特征和定向获取某种功能的可能性,引起了人们极大的兴趣。这种多元方法也为材料设计和发现创造了新的机会。本文重点介绍了高熵氧化物领域的研究进展,包括一些基本概念、合成方法、性能与应用等,并展望了未来的发展方向。; 于跃任元文白雪莹张小可刘世民姜薇薇刘超前王华林王楠丁万昱

O_2流量对磁控溅射N掺杂TiO_2薄膜成分及晶体结构的影响被引量：4: 2011年; 利用直流脉冲磁控溅射方法在室温下通过改变O2流量制备具有不同晶体结构的N掺杂TiO2薄膜,利用台阶仪、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等设备对薄膜沉积速率、化学成分、晶体结构、禁带宽度等进行分析.结果表明:所制备的薄膜元素配比约为TiO1.68±0.06N0.11±0.01,N为替位掺杂,所有样品退火前后均未形成Ti—N相结构,N掺杂TiO2薄膜的沉积速率、晶体结构等主要依赖于O2流量.在O2流量为2sccm时,N掺杂TiO2薄膜沉积速率相对较高,薄膜为非晶态结构,但薄膜内含有锐钛矿(anatase)和金红石(rutile)相晶核,退火后薄膜呈anatase和rutile相混合结构,禁带宽度仅为2.86eV.随着O2流量的增加,薄膜沉积速率单调下降,退火后样品禁带宽度逐渐增加.当O2流量为12sccm时,薄膜为anatase相择优生长,退火后呈anatase相结构,禁带宽度为3.2eV.综合本实验的分析结果,要在室温条件下制备晶态N掺杂TiO2薄膜,需在高O2流量(>10sccn)条件下制备.; 丁万昱王华林巨东英柴卫平; 关键词：磁控溅射晶体结构

金属和非金属掺杂二氧化钛纳米粒子的制备及应用研究进展被引量：5: 2020年; 近年来,光催化领域的研究逐渐深入,TiO2作为一种环保廉价的光催化材料被广泛使用。纯TiO2的光催化活性受其禁带宽度的限制只能被紫外光激发,以及光生电子-空穴对复合几率高,光催化效率较低。如何有效提高TiO2的光催化效率,合成具有抑制光生电子-空穴复合且同时具有较窄能隙的TiO2材料成为研究重点。目前各类金属、非金属掺杂TiO2成为热门研究领域。本文综述了TiO2纳米材料的特点和结构,并系统归纳了常见金属、非金属掺杂TiO2纳米粒子的制备方法及其应用研究进展。; 李孝通王竞郭玉王祉诺刘世民姜薇薇刘超前王华林王楠丁万昱; 关键词：二氧化钛 TIO2 掺杂

王华林

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