韩宇
- 作品数：22 被引量：14H指数：1
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- 相关领域：理学电子电信机械工程金属学及工艺更多>>
- B^+注入Si的辐射损伤和退火特性
- 1998年
- 本文用ｘ射线衍射仪测出了Ｂ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＋注入Ｓｉ后辐射损伤随注入深度、注入剂量的变化，并用不同的温度进行等时热退火，给出了辐射损伤恢复的退火特性．
- 马德录李淑侠蔡方韩宇高雅君关建新
- 关键词：离子注入退火特性硅
- 旋流燃烧器结构对116 MW立式燃气锅炉低氮性能的影响
- 2023年
- 利用ANSYS-Fluent CFD软件,采取Realizable k-ε模型和有限速率/涡耗散模型对某116 MW立式燃气锅炉进行数值模拟,该立式锅炉有左右两个燃烧器入口。对比分析了不同旋流数(0、0.54、0.77、1.11、1.67)和左右入口空气不同旋转方向下,燃烧室内中心截面速度矢量分布、温度分布以及轴向不同截面平均温度和NO_(x)质量分数。结果表明:旋流空气能在炉内形成中心回流区,使得燃料与空气有效混合,燃烧扩散到整个炉膛,随着旋流数的增加,炉膛内中心回流区向入口移动,高温区域也随之向入口方向移动,且高温区域减少,炉膛内整体温度下降,出口NO_(x)排放从212 mg/m^(3)降低到76 mg/m^(3),而当旋流数增加到1.11以上时,旋流数大小对炉膛内NO_(x)的生成和排放的影响将会很小。研究还发现当左入口空气为左旋,右入口空气为右旋时,该燃气锅炉不仅燃烧稳定并且具有较低的NO_(x)排放。
- 郭加浩郭强郭强高娅娅姜宏范晓星
- 关键词：燃气锅炉
- 双束注入的晶格应变
- 1999年
- 用双晶ｘ 射线衍射仪测出了注入能量为１８０ｋｅＶ，不同注入剂量和不同退火温度的Ｎ＋ ＋ Ａｓ＋ 双束离子注入的摇摆曲线（Ｒｏｃｋｉｎｇ ｃｕｒｖｅｓ） ．利用离子注入的多层模型，试探应变函数和ｘ 射线衍射的运动学理论，借助于计算机，用ＬｅｖｅｎｂｅｒｇＭａｒｇｕａｒｄｔ 最优化法拟合实验曲线，给出了不同剂量，不同退火温度晶格应变随注入深度的变化．
- 马德录韩宇
- 关键词：离子注入退火X射线衍射半导体
- DNA分子的电性质研究进展
- 2008年
- DNA(脱氧核糖核苷酸)分子的电学性质关系到生命信息静态的存储和动态的释放,因此一直备受关注.但仅是随着物理实验手段在生物学研究领域的广泛应用,特别是纳米观测和纳米操纵技术的提高,才使研究单个DNA分子的电学性质成为可能.从20世纪90年代以来开展的大量研究工作表明,探明DNA的电学性质不仅能够帮助理解DNA复制和修复的物理机制,而且指出作为天然的纳米结构材料,DNA分子在分子器件学领域具有巨大的应用潜力.回顾了DNA电学性质的研究成果,并对DNA分子在材料学及分子器件学领域的应用前景作以展望.
- 韩宇冯晓录牛冬校胡钧
- 关键词：DNA电性质分子器件
- 次近邻耦合对Kitaev量子线中Majorana束缚态的影响
- 2014年
- 详细讨论了次近邻耦合对Kitaev量子线准粒子性质的影响.发现,粒子-粒子次近邻耦合可以改变该体系能带宽度,并能显著调节导带和价带间的带隙宽度,从而破坏Majorana束缚态的存在.次近邻的粒子-空穴耦合的存在能够有效削弱该破坏机制,并维持Majorana束缚态.相信该工作对理解Kitaev量子线的Majorana束缚态有所帮助.
- 金丽辉韩宇
- 椭圆偏振光研究O_2^+注入Si的退火特性
- 2001年
- 用椭圆偏振仪测量了O+2 注入Si后的椭偏参数Φ和Δ ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系 .同时 ,对离子注入片在N2 气氛中进行等时热退火 ,测量了Φ和Δ ,给出了O+2 注入Si的退火特性 .结果表明 :O+2 注入Si的退火特性曲线 ,对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形 .对此结果 。
- 高雅君刘宏俊韩宇马德录
- 关键词：离子注入椭圆偏振光集成度氧离子
- As^+注入Si中的晶格应变(英文)
- 1999年
- 本文借助于双晶ｘ 射线衍射（ Ｄ Ｃ Ｄ） 和椭园偏光谱（ Ｅ Ｓ） 研究了注入能量为１６０ｋｅ Ｖ．不同剂量和不同退火温度（５００ ～７００ ℃） Ａｓ ＋ 注入 Ｓｉ 的性质．用ｘ 射线衍射的动力学理论和多层模型拟合了双晶衍射的摇摆曲线，得到了晶格应变随深度的分布．结果表明，注入剂量１ ×１０１６ｃｍ － ２ ，退火温度６００ ℃形成了外延层．
- 马德录韩宇牟晓兰
- 关键词：离子注入退火X射线衍射
- 椭偏光谱测量匀质膜光学特性的计算分析
- 2003年
- 应用椭偏光谱法,测量透明膜和吸收膜的折射率、厚度及消光系数。利用Delphi语言编程对实验数据进行处理,其结果与已正式出版的椭偏测厚数据表进行对比,各测量点绝对误差为0.01nm,该程序适用于椭偏光谱仪对各种匀质膜测量的数据处理。
- 韩宇宋丽丽唐奇
- 关键词：光学特性折射率薄膜厚度消光系数程序设计
- N_2^+注入Si的折射率谱和弛豫时间
- 2002年
- 用TPP 1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为 5 0keV ,不同注入剂量的N+2 注入Si的折射率谱 .计算了单晶硅电极化的弛豫时间 。
- 高雅君刘宏俊韩宇
- 关键词：离子注入弛豫时间单晶硅SI
- 第二类Weyl半金属的金属-超导-金属结中的Andreev反射
- 2022年
- 理论上研究了第二类Weyl半金属的金属-超导-金属(NSN)结在倾斜一定角度后体系的散射性质,计算结果显示倾斜角可以决定体系的散射机制,当倾斜角较小时, NSN结中存在两种局域Andreev反射和两种电子隧穿,包括径向Andreev反射、镜面Andreev反射、径向电子隧穿和镜面电子隧穿.随着倾斜角的增加,局域Andreev反射逐渐被抑制,当倾斜角超过临界角后, NSN结中的输运过程与正常金属的NSN结相同,会同时发生电子正常反射、电子隧穿、局域Andreev反射和交叉Andreev反射.此外,体系的总电导不受化学势的影响,并且在倾斜角小于临界角时不受入射角的影响,而在倾斜角大于临界角时随入射角的增加而减小,而交叉Andreev反射电导在某些条件下会随入射角的增加而增强.
- 陈书刚李学思韩宇
- 关键词：ANDREEV反射
