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刘益春

作品数:593 被引量:866H指数:14
供职机构:东北师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院“百人计划”国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 278篇专利
  • 162篇会议论文
  • 144篇期刊文章
  • 7篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 143篇理学
  • 103篇电子电信
  • 83篇一般工业技术
  • 38篇电气工程
  • 26篇自动化与计算...
  • 26篇文化科学
  • 22篇化学工程
  • 11篇机械工程
  • 7篇环境科学与工...
  • 4篇经济管理
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇轻工技术与工...
  • 3篇医药卫生
  • 2篇天文地球
  • 2篇农业科学
  • 2篇政治法律
  • 1篇生物学
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 128篇纳米
  • 85篇发光
  • 58篇光致
  • 44篇光致发光
  • 40篇催化
  • 37篇场效应
  • 36篇晶体管
  • 34篇电极
  • 34篇光电
  • 33篇电池
  • 33篇全息
  • 33篇半导体
  • 32篇场效应晶体管
  • 31篇光学
  • 29篇太阳能电池
  • 27篇掺杂
  • 26篇ZNO
  • 25篇纳米线
  • 25篇金属
  • 24篇光谱

机构

  • 510篇东北师范大学
  • 106篇中国科学院长...
  • 10篇吉林大学
  • 10篇中国科学院
  • 7篇中国科学院长...
  • 5篇哈尔滨师范大...
  • 5篇中国科学院大...
  • 2篇南京理工大学
  • 2篇四川大学
  • 2篇吉林化工学院
  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇中国高等教育...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇长春大学
  • 1篇白求恩医科大...
  • 1篇长春职业技术...
  • 1篇哈尔滨商业大...
  • 1篇黑龙江农业工...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇武汉大学

作者

  • 592篇刘益春
  • 146篇张昕彤
  • 101篇徐海阳
  • 71篇申德振
  • 61篇范希武
  • 60篇张吉英
  • 58篇汤庆鑫
  • 56篇童艳红
  • 54篇吕有明
  • 51篇邵长路
  • 50篇马剑钢
  • 46篇王中强
  • 38篇刘玉学
  • 36篇李兴华
  • 36篇付申成
  • 34篇徐长山
  • 27篇张振中
  • 27篇王长华
  • 23篇孔祥贵
  • 20篇赵晓宁

传媒

  • 44篇发光学报
  • 9篇物理实验
  • 9篇第11届全国...
  • 7篇高等学校化学...
  • 6篇中国化学会第...
  • 5篇物理学报
  • 4篇科学通报
  • 4篇人工晶体学报
  • 4篇东北师大学报...
  • 4篇第12届全国...
  • 4篇第二届新型太...
  • 4篇第三届新型太...
  • 3篇教育与职业
  • 3篇东北师大学报...
  • 3篇光子学报
  • 3篇液晶与显示
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇第四届全国氧...
  • 3篇中国有色金属...
  • 3篇第四届全国掺...

年份

  • 19篇2024
  • 30篇2023
  • 40篇2022
  • 42篇2021
  • 27篇2020
  • 29篇2019
  • 33篇2018
  • 26篇2017
  • 52篇2016
  • 18篇2015
  • 19篇2014
  • 26篇2013
  • 16篇2012
  • 11篇2011
  • 22篇2010
  • 13篇2009
  • 11篇2008
  • 22篇2007
  • 16篇2006
  • 13篇2005
593 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
二维二硫化钼光学性质研究和调控
自从2004 年石墨烯的发现以来,二维纳米材料吸引广泛的研究兴趣。其中,过渡金属硫属化合物(TMDs)具有大的激子束缚能,自旋-能谷耦合以及强非线性光学响应,使其在光电子器件应用中有着潜在的可能。
李远征刘为振徐海阳刘益春
关键词:二硫化钼激子
一种偏振光敏感的人工突触器件及其制备方法
本发明公开了一种偏振光敏感的人工突触器件及其制备方法,所述的人工突触器件,它包括:基板,半导体光电功能层与设置在半导体光电功能层下的八爪电极,八爪电极的八个电极均与半导体光电功能层接触,八个电极均为Au电极,半导体光电功...
王中强陶冶朱永兴徐海阳刘益春
InP中和C带有关深能级的近红外光致发光被引量:1
1990年
本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式生长的InP外延层和掺Sn与不掺杂的衬底中,且与P空位引起的复合缺陷有关。 通过红外光致发光强度对温度的依赖关系得到C带的热激活能为0.17eV。这刚好与采用σ函数来描述深能级的Locovsky模型相吻合,光谱线型与温度猝灭的量子力学位形坐标模型拟合,得到与C带有关的深能级hv=0.02eV,S=8。
高瑛刘学彦刘益春阎大卫
关键词:INPC带能级光致红外
PAN/CdS复合纳米纤维材料的制备及发光性质研究
CdS 是一种直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族 N 型光电导半导体材料,有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同素异形体,室温下禁带宽度为2.41 eV。当 CdS 颗粒的半径小于其激子的玻尔半径时, 由于纳米颗粒的量子尺寸效应、表面效应的作用...
常娟邵长路刘益春
文献传递
1.3μm InGaAsP/InP DCC结构半导体激光器被引量:1
1990年
用普通的LPE技术,严格控制两个有源区组分的匹配、各层掺杂浓度及生长条件,获得了1.3μm双载流子限制DCC结构半导体激光器(T_0=150K)。此结构中第二有源区形成的势阱对热载流子具有二次限制作用,增加了第一个有源区泄漏和俄歇过程产生的过热载流子在第二有源区内辐射复合参与激射的机会;降低了这些热载流子进入限制层产生损耗的几率,提高了T_0值,说明了DCC结构激光器阈值以下特征EL光谱半宽度与注入电流密度的关系并讨论了两个有源区组分匹配及薄夹层厚度对特征温度T_0和阈值电流的影响。
刘益春张月清何胜夫朱有才
关键词:半导体激光器INGAASP
离子注入及后退火方法制备SiO_2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质被引量:6
2002年
利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入 3× 10 17cm-2 剂量的Zn离子 ,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子。X射线衍射光谱的实验结果表明 :在氧气气氛、70 0℃退火温度和 2小时退火时间条件下 ,得到了 (0 0 2 )择优取向镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子 ;而在 70 0℃退火温度、N2 和O2 气氛下顺次退火 1小时 ,得到了比上述条件 (0 0 2 )择优取向更好的ZnO纳米粒子。室温下对用上述两种条件制备的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子观察到了自由激子吸收峰。室温光致发光谱中观察到了ZnO纳米粒子位于 3 2 9eV处的强紫外发射 ,紫外发射强度与深能级发光强度之比为4 0 ,紫外发射峰的半高宽为 96meV ,晶体质量类似于分子束外延方法生长的ZnO。在低温 (77K)光致发光谱中 。
刘玉学刘益春申德振钟国柱范希武孔祥贵
关键词:光学性质离子注入ZNO纳米粒子光致发光激子
基于结构可调的蜂窝状结构ZnO电子传输层的三维异质结量子点太阳能电池
三维异质结结构通过载流子收集方向与光照方向正交,有效解决量子点薄膜载流子收集受限难题,然而如何实现三维电子传输层结构的可控连续性调节,使其与PbS量子点材料光电性质匹配,仍是三维异质结量子点太阳能电池面临的重要挑战。本工...
刘婷王莹琳付挺张昕彤刘益春
文献传递
静电纺丝法制备氧化锌基稀磁半导体纳米纤维
ZnO-based diluted magnetic semiconductors (DMS) give rise to a new era because of which combine charges and sp...
刘新风邵长路刘益春徐海洋
关键词:静电纺丝氧化锌稀磁半导体
文献传递
ZnO纳米功能材料与应用研究
ZnO是具有高激子束缚能(60meV)的宽带隙(3.37eV)半导体材料。由于其独特的半导体及压热电等多功能性质,ZnO特别是ZnO纳米材料在众多光电器件领域具有重要的基础研究与应用价值。本文主要介绍我们研究组在ZnO低...
刘益春
文献传递
“U-G-S”:教师教育新模式的设计与实施被引量:57
2012年
教师专业化要求教师教育模式不断创新。东北师范大学基于高素质专业化教师培养和服务基础教育方面的传统优势,创造性地提出"师范大学—地方政府—中小学合作"教师教育新模式。该模式以面向实践的学习、教师学习与发展共同体和文化融合与共生为基本理念,以"教师教育创新东北实验区"为实践载体,努力实现教师教育真正的一体化、共同体成员学习范式的转变以及政府教育职能提升等方面的功能。
董玉琦刘益春高夯
关键词:教师教育模式
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