陈欢
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 供职机构：清华大学理学院应用超导研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- 溅射气压对Ni_(80)Fe_(20)薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响被引量：6
- 2007年
- 为改善Ni80Fe20薄膜的性能,研究不同溅射气压对薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响。用磁控溅射方法制备Ni80Fe20薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析其结构,用四探针方法测量其各向异性磁电阻。实验研究发现,较高的溅射气压下制备的Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻比较低,薄膜磁化到饱和需要的磁场也比较大。在较低的溅射气压(0.2、0.5 Pa)下制备的Ni80Fe20薄膜具有较高的各向异性磁电阻3.7%和4.2%,而且饱和磁化场低(低于1kA/m)。分析结果表明随着溅射气压的变化,Ni80Fe20薄膜的晶格常数、颗粒大小和均匀性等微结构发生变化,导致薄膜的各向异性磁电阻效应差别很大。
- 王合英陈欢梁栋张智巍孙文博
- 关键词：各向异性磁电阻溅射气压
- 基片温度对Ni_(80)Fe_(20)薄膜结构和各向异性磁电阻的影响被引量：5
- 2007年
- 本文用磁控溅射方法制备出一系列Ni80Fe20磁性薄膜，研究不同基片温度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。基片温度在150～180℃时制备的Ni80Fe20薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场。X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量结果表明，基片温度通过改变薄膜的晶体结构、晶粒大小和均匀性等微观结构改变薄膜的零场电阻率和各向异性磁电阻，文章对实验结果做出了详细分析。
- 王合英沙文杰陈欢孙文博
- 关键词：基片温度各向异性磁电阻
- 金属基底上IBAD-YSZ缓冲层的生长机理
- 2008年
- 用离子束辅助沉积(IBAD)方法,变换辅助离子束的能量和束流密度,在Hastelloy基底上制备了钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜,作为涂层导体的缓冲层。XRD的结果显示:在一定的离子能量和束流密度的范围内,能够制备出高质量双轴织构的(001)取向的YSZ缓冲层,随着辅助离子束能量和束流密度的增大,IBAD-YSZ的面外取向和面内织构都出现先变好又变坏的现象。文中用辅助离子束对薄膜破坏程度的各向异性对结果做了解释。
- 王志史锴冯峰陈欢韩征和
- 关键词：离子束辅助沉积
- TFA-MOD法制备YBCO薄膜生长速率研究被引量：1
- 2010年
- 采用原位电阻法对TFA-MOD法高温热处理阶段YBCO薄膜生长速率进行了研究。实验结果和分析表明原位电阻测量法是一种估算YBCO层生长速率的有效方法,不同条件下的测量结果表明薄膜生长速率随管式炉内的温度、水分压、气体流量的上升而明显增加,但随薄膜面积的增加而减小。实验结果为进一步探索和优化热处理过程提供了重要的基础。
- 陈欢Teresa PuigXavier GranadorsXavier Obradors韩征和
- 关键词：TFA-MODYBCO
- “表面分子印迹”法构筑高选择性和渗透性超薄膜
- We have combined the Layer-by-layer (LbL) assembly with surface molecular imprinting for fabrication of self-a...
- 陈欢曾光洪王治强张希
- 关键词：分子印迹自组装多层膜
- 文献传递
- 金属基底上IBAD-YSZ缓冲层的生长机理
- 用离子束辅助沉积(IBAD)方法，变换辅助离子束的能量和束流密度，在Hastelloy基底上制备了钇稳定氧化锫(YSZ)薄膜，作为涂层导体的缓冲层。XRD的结果显示：在一定的离子能量和柬流密度的范围内，能够制备出高质量双...
- 王志史锴冯峰陈欢韩征和
- 关键词：离子束辅助沉积涂层导体缓冲层
- 文献传递
