黄大鸣
- 作品数：41 被引量：75H指数：5
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家教委资助优秀年轻教师基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- SiGe/Si多重超晶格的声学声子光散射谱
- 1997年
- ＳｉＧｅ／Ｓｉ多重超晶格的声学声子光散射谱黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＬｉｇｈｔＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＡｃｏｕｓｔｉｃＰｈｏｎｏｎｓｉｎＭｕｌｔｉｐｌｅＳｉＧｅ／ＳｉＳｕｐｅｒｌａｔ...
- 黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏
- 关键词：超晶格声学声子
- CMOS器件中电荷泵过程的图解表示
- 在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子和空...
- 黄新运沈忱黄大鸣李名复
- 关键词：界面态
- 文献传递
- ZnCdSe/ZnSe量子阱中的反斯托克斯发光
- 王兴军魏彦锋盛传祥俞根才黄大鸣
- 关键词：反斯托克斯发光
- 快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
- 1994年
- 对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．
- 袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌
- 关键词：分子束外延快速退火电学性质
- 用电化学方法在硅中掺铒发光的研究
- 1996年
- Ennen等首先报道了在硅中掺铒(Si:Er)实现1.53/μm波长的光致发光(PL)和电致发光(EL),这个波长的硅基发光器件(LED)将是光纤通讯用的单片硅基光电子集成电路的关键,因此Si:Er的研究受到高度重视。要使Si:Er LED发光强度满足实用要求尚需解决2个问题。其一是要提高Si中Er的掺杂浓度。Xie等的计算结果指出用常规尺寸制造的LED中的Er的浓度至少要达到10^(19)/cm^3才能满足光强的要求。
- 盛篪龚大卫樊永良刘晓晗黄大鸣王迅
- 关键词：发光多孔硅硅电化学法
- SiGe／Si应变层超晶格异质界面热稳定性的光散射研究
- 1995年
- ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格异质界面热稳定性的光散射研究刘晓晗，黄大鸣，蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｔａｂｉｌｉｔｙｏｆＳｕＧＥ／ＳｉＬａｙｅｒＳｕｐｅｒｌａｔｔ...
- 刘晓晗黄大鸣蒋最敏
- 关键词：SIGE/SI应变层超晶格热稳定性光散射锗化硅
- 自组织生长的锗量子点及其光致发光特性被引量：8
- 1998年
- Si和Ge低维体系材料由于其优越的光电特性,已经广泛地受到人们的重视,尤其是零维体系(量子点).理论预言,量子点尺寸减少到几个纳米时,它的能带结构可以从间接带隙转变为准直接带隙,相应的辐射复合跃迁几率大大增加.制备Ge及GeSi量子点的方法有许多,例如,光刻法、选区外延生长、局域分子束外延生长以及自组织生长方法等,其中自组织生长是一种既简便又有效的方法.由于Ge与Si的晶格常数相差较大,Ge在Si上的生长属于S-K模式,即当Ge外延层厚度超过临界厚度(6 ML)时。
- 朱海军蒋最敏徐阿妹毛明春胡冬枝黄大鸣陆昉胡长武粕谷厚生
- 关键词：量子点光致发光自组织生长锗
- 量子效应和小型化对隧穿晶体管特性的影响
- 2013年
- 基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体管的电流电压特性,特别是正偏压温度不稳定性(PBTI)是非常重要的。另外,随着沟道长度和体硅厚度的缩小,隧穿晶体管的电流电压特性和可靠性都得到了改善,但在保持相同等效氧化层厚度的情况下,使用高介电常数的栅介质不会改善器件的电流电压特性及可靠性。
- 姚成军黄大鸣施道航焦广泛
- 关键词：量子效应可靠性
- 重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究被引量：1
- 1995年
- 研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式，结合霍耳效应测量，得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度ｐ之间的关系曲线为Ｔ＝２．５４ｐ￣０．４０８，其中Г，ｐ分别是以ｃｍ￣（－１）和１０￣１９ｃｍ￣（－３）为单位。提供了用喇曼光谱测量重掺硼分子束外延材料自由载流子浓度的测量的定标曲线。
- 王建宝袁健杨敏黄大鸣陆方孙恒慧
- 关键词：掺硼硅散射谱分子束外延
- ZnSe薄膜的激子光谱被引量：8
- 2000年
- 采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .
- 盛传祥王兴军俞根才黄大鸣
- 关键词：ZNSE光致发光砷化镓
