王雨田 作品数:8 被引量:60 H指数:4 供职机构: 中国科学院高能物理研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 一般工业技术 理学 电子电信 电气工程 更多>>
MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究 被引量:4 2004年 利用sol gel方法在p Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜。测量不同退火温度下得到的In/BTO/p Si结构的C V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。 郭冬云 王耘波 于军 王雨田 王宝义 魏龙关键词:C-V特性 铁电材料 FFET 信息存储 过渡金属氧化物LaFe_(1-x)Cr_xO_3体系的晶体结构和光电子能谱研究 被引量:2 2002年 我们在端点化合物LaFeO3中掺入Cr3+,制备了LaFe1-xCrxO3体系的系列样品。经XRD分析证明所制备的样品为单相体系 ,用MarqX程序对XRD数据进行分析得到其晶格常数。分别测定了入射光子能量在Fe 2 p吸收边以下和以上的O 1s芯能级谱。从电子结构角度探讨了该体系晶体结构变化趋势。初步得出结论 :随着Cr3+掺杂量在LaFe1-xCrxO3中的增加 ,O 2 p向Cr 3d的电荷转移量也发生有规律的变化。 陈志刚 奎热西 董宇辉 吴自玉 魏龙 王雨田 王耘波 于军关键词:过渡金属氧化物 晶体结构 光电子能谱 Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜 被引量:3 2004年 介绍溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程;对前驱体溶液进行了综合热分析,并对薄膜的性质进行了研究;成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。在650°C下退火30min得到的Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=12μC/cm2,矫顽场强Ec=130kV/cm。 郭冬云 王耘波 于军 李建军 周春兰 王雨田 魏龙关键词:SOL-GEL法 BI4TI3O12 铁电薄膜 ZnS基电致发光薄膜及其制备方法 被引量:12 2003年 ZnS是一种优良的光电材料并获得了广泛的应用。介绍了ZnS基薄膜电致发光器件的发展历史、结构及发光机理,主要讨论了ZnS基发光薄膜及蒸发法、溅射法、化学气相沉积法、外延法和溶胶-凝胶法等制备方法的最新研究进展,指出了目前存在的问题及今后的发展趋势。 王宝义 张仁刚 万冬云 王雨田 魏龙关键词:蒸发法 溅射法 化学气相沉积法 外延法 溶胶-凝胶法 太阳能电池材料FeS<,2>纳米线阵列的合成 本研究用模板法制备出太阳能电池材料FeS<,2>的纳米线阵列.探索新材料的模板合成方法,可以大幅度提高大阳能电池材料FeS<,2>的光吸收性能. 王雨田 曹兴忠 杨亚琴 王宝义 魏龙关键词:太阳能电池材料 纳米线阵列 模板法合成 光吸收性能 文献传递 阳极氧化铝模板表面自组织条纹的形成 被引量:34 2004年 对未经化学抛光处理的Al进行阳极氧化得到阳极氧化铝模板 ,发现Al表面形成了条纹与多孔阵列共存的自组织结构 ,用原子力显微镜对这种结构进行了研究 .借助Brusselator模型对条纹的形成机理进行了讨论 ,认为条纹图案是Al表面氧化层 电解液界面的Al2 O3在整个反应过程中的生成和溶解两个过程相互竞争导致的 。 刘虹雯 郭海明 王业亮 申承民 杨海涛 王雨田 魏龙关键词:氧化铝模板 原子力显微镜 BRUSSELATOR模型 热释发光-正电子湮灭法研究SrAl_2O_4基磷光体长余辉发光机制 被引量:5 2004年 利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0.94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介稳态(Eu1+)*的复合,导致了长余辉现象的发生.并且由于陷阱深度的变化,导致余辉性能出现较大的差异. 林元华 南策文 张中太 王雨田关键词:热释发光 正电子湮灭 长余辉 Pr_(1-x)Sr_xMnO_3体系中O2p空穴参与的xO1s近边吸收谱 2005年 对于 Pr1- SrxMnO3 体系 x = 0 和 0.3 以及 MnO2 在 O K 边进行了 X 射线吸收谱实验研究。在 x = 0 的 xPrMnO3 端点化合物进行空穴掺杂使 x = 0.3,当体系成为 Pr0.7Sr0.3MnO3 时,实验结果显示其在 Mn 3d 轨道上的电子数目并不随空穴掺杂减少,反而有增加的趋势。对该结果基于 O 2p 与 Mn 3d 轨道的杂化和共价键特性进行了探讨。 奎热西.依布拉欣 钱海杰 买买提明.阿巴斯 苏润 王嘉鸥 巫翔 洪才浩 钟俊 吴自玉 董宇辉 王雨田 魏龙关键词:巨磁电阻效应 电子结构