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皇晓辉

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:陕西师范大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:陕西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 3篇压电
  • 3篇相结构
  • 2篇电性能
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇压电性
  • 2篇压电性能
  • 2篇陶瓷
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 1篇电学性能
  • 1篇压电变压器
  • 1篇压电陶瓷材料
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇锰掺杂
  • 1篇PM
  • 1篇PMN-PZ...
  • 1篇PZT陶瓷
  • 1篇PZT压电陶...
  • 1篇

机构

  • 3篇陕西师范大学

作者

  • 3篇杨祖培
  • 3篇晁小练
  • 3篇皇晓辉
  • 1篇杨莉莉
  • 1篇刘少恒
  • 1篇董明远
  • 1篇张锐

传媒

  • 2篇陕西师范大学...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
PZT含量对PZT-PZN-PNN压电陶瓷材料电性能的影响
2007年
采用传统固相法制备了xPb(Zr0.52Ti0.48)O3-(1-x){Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3}(简称PZT-PZN-PNN)四元系压电陶瓷,研究了不同PZT含量对PZT-PZN-PNN陶瓷的相结构、显微结构、压电性能和介电性能的影响。结果表明:材料的压电常数(d33)、机电耦合系数(%)和介电常数(曲随着PZT含量的增加先增大,后减小,当PZT含量为0.83时,其值达到最大值;随着PZT含量的增加,材料的机械品质因数(Qm)逐渐增大,谐振电阻僻(Rf)和介电损耗(tanδ)逐渐减小。当PZT含量为0.83时,四元系PZT-PZN-PNN压电陶瓷在较低的烧结温度(1000℃)下烧结,其主要的电性能参数如下:d33=477pC/N,Kp=0.71,Qm=98,εf=2228,tanδ=0.0070,Tc=325℃,根据双晶片对压电陶瓷材料的性能要求,该纽份可作为纺织机械中选针器用压电双晶片的侯选材料。
杨莉莉杨祖培皇晓辉董明远晁小练
关键词:相结构压电性能介电性能
过量钨和铅对PNW-PMN-PZT陶瓷电性能的影响
2009年
采用传统陶瓷工艺制备了不同WO3和Pb3O4添加量的PNW-PMN-PZT四元系压电陶瓷,用XRD技术分析了陶瓷的相结构,研究了不同WO3和Pb3O4添加量对陶瓷的机械品质因数Qm、机电耦合系数Kp、压电常数d33以及介电损耗tanδ的影响.结果表明,在800℃预烧温度、1 150℃烧结温度下,当WO3量为0.6%、Pb3O4量为0.5%时,陶瓷具有优良的电性能,其主要性能参数为:Kp=0.66,Qm=1 318,d33=430 pC/N,rε=2 229,tanδ=0.006 6,该材料可作为大功率压电变压器的候选材料.
皇晓辉张锐杨祖培晁小练
关键词:相结构电学性能压电变压器
锂和锰掺杂PMN-PMN-PZT陶瓷电性能的研究被引量:3
2012年
采用传统陶瓷工艺制备了不同Li2CO3和MnO2掺杂的PMN-PMN-PZT四元系压电陶瓷.用XRD技术分析了陶瓷的相结构,研究了不同Li2CO3和MnO2添加量对陶瓷的机械品质因数Qm、机电耦合系数Kp、压电常数d33以及介电损耗tanδ的影响.结果表明,在840℃预烧、1 000℃烧结下,当Li2CO3质量分数为0.1%、MnO2质量分数为0.2%时,陶瓷具有优良的电性能.其主要性能参数为:Kp=0.58,Qm=1 702,d33=268pC/N,r=1.91Ω,tanδ=0.005 2,该材料可作为大功率压电变压器的候选材料.
刘少恒晁小练皇晓辉杨祖培
关键词:相结构压电性能介电性能
共1页<1>
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