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秦学敏

作品数：2 被引量：8H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇晶片
  • 2篇化学腐蚀
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇特性分析
  • 1篇翘曲度
  • 1篇控制方法
  • 1篇光洁度
  • 1篇光泽度
  • 1篇VB
  • 1篇GAAS晶片
  • 1篇粗糙度

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇吕菲
  • 2篇赵权
  • 2篇秦学敏
  • 1篇杨洪星
  • 1篇于妍
  • 1篇刘春香
  • 1篇赵秀玲
  • 1篇宋晶

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
VB-GaAs晶片翘曲度的控制方法被引量：1
2008年
介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法。通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度。经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中的碎片率,综合加工成品率有了明显提高。
吕菲赵权于妍秦学敏宋晶
关键词：翘曲度化学腐蚀光泽度
Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析被引量：7
2008年
对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析。比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响。并对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的反应原理进行分析,最终确定酸性腐蚀更适合Ge单晶片抛光前的腐蚀减薄工艺。
吕菲赵权刘春香杨洪星秦学敏赵秀玲
关键词：化学腐蚀光洁度粗糙度
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共1页<1>
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