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程翠华

作品数:62 被引量:32H指数:4
供职机构:西南交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 43篇专利
  • 19篇期刊文章

领域

  • 12篇理学
  • 7篇金属学及工艺
  • 7篇一般工业技术
  • 5篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 35篇超导
  • 27篇导体
  • 26篇高温超导
  • 24篇涂层导体
  • 21篇SUB
  • 15篇化学溶液沉积...
  • 14篇缓冲层
  • 10篇高温超导材料
  • 10篇超导材料
  • 9篇X
  • 7篇乙烯
  • 7篇硝酸
  • 7篇晶格
  • 7篇聚乙烯
  • 6篇乙烯醇
  • 6篇乙酰
  • 6篇乙酰丙酮
  • 6篇临界电流
  • 6篇临界电流密度
  • 6篇纳米

机构

  • 62篇西南交通大学
  • 16篇新南威尔士大...
  • 2篇西北有色金属...
  • 1篇西部超导材料...
  • 1篇澳大利亚新南...

作者

  • 62篇程翠华
  • 43篇赵勇
  • 35篇张勇
  • 26篇张欣
  • 19篇雷鸣
  • 19篇赵勇
  • 16篇王文涛
  • 11篇杨峰
  • 9篇蒲明华
  • 8篇蔡芳共
  • 7篇张敏
  • 7篇李果
  • 7篇崔雅静
  • 7篇陈永亮
  • 5篇杨烨
  • 5篇张红
  • 4篇邹龙生
  • 3篇阚香
  • 3篇柯川
  • 3篇黎颖

传媒

  • 6篇稀有金属材料...
  • 3篇高等学校化学...
  • 3篇半导体光电
  • 2篇无机化学学报
  • 2篇西南交通大学...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 6篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 7篇2013
  • 18篇2012
  • 8篇2011
  • 7篇2010
  • 6篇2009
  • 3篇2008
62 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PbS量子点/ZnO纳米片复合膜的制备及其光电化学性能被引量:6
2012年
通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜.首先利用电化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片,然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)详细表征了样品的表面形貌和晶体结构,并研究了PbS/ZnO复合膜作为量子点敏化太阳能电池光阳极的紫外可见吸收谱、光电化学性能和表面光电压谱.对比ZnO纳米片经PbS量子点修饰前后,发现PbS量子点修饰后光阳极的光吸收和光伏响应均从紫外区拓宽到了可见光区,同时光电化学性能有了显著提高,短路电流密度从敏化前的0.1 mA/cm2增加到0.7 mA/cm2,效率由0.04%增加到0.57%.与单一ZnO纳米片相比,PbS/ZnO复合膜的表面光伏响应强度明显增强,说明PbS与ZnO之间形成了有利于光生电荷分离的异质结,从而导致了PbS/ZnO复合膜光电性能的增加.
廖鑫杨峰蒲明华赵勇程翠华
提拉法制备Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9)单层缓冲层及其性能研究(英文)被引量:4
2013年
在双轴织构的Ni-5%W合金基带上,采用高分子辅助化学溶液沉积法通过提拉涂敷法,制备了厚度达250nm的Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9)(SCO)外延织构单层缓冲层。通过严格控制前驱溶液的浓度、提拉速度、成相温度和热处理时间,所获的SCO单层缓冲层涂层平整、无微裂纹、且具有较强的(200)c轴外延织构。在其他条件假设不变的情况下,主要研究不同提拉速度对SCO缓冲层薄膜性能的影响。在此基础上,采用化学溶液法在SCO/NiW缓冲层上制备了YBCO超导层,其具有高度的双轴织构和均匀的表面形貌。结果表明:用提拉法获得的SCO单层缓冲层在具有适度的厚度下,仍然具有很好的织构传递特性,为低层本制造YBCO涂层导体长带提供了一条可靠的路线。
雷鸣王文涛蒲明华何龙健程翠华赵勇
关键词:SM0提拉法
一种具有丰富磁性质的磁性材料及其制备方法
本发明公开了一种具有丰富磁性质的磁性材料,其分子式为SmCo<Sub>1-x</Sub>Fe<Sub>x</Sub>AsO,0<x<0.3,具有ZrCuSiAs型晶体结构。该磁性材料具有丰富的磁性质,0<x<0.2时,随...
陈永亮崔雅静赵勇程翠华
文献传递
温度控制TiO_2纳米管及管/线复合阵列的制备被引量:4
2011年
以含有NH4F的乙二醇溶液为电解液,在宽温度范围内(10~70℃)对纯Ti表面进行阳极氧化,制得形貌可控的TiO2纳米结构。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电镜(TEM)对纳米TiO2的形貌进行表征。结果表明,随着电解液温度的变化,纳米TiO2的形貌得到控制,可形成TiO2纳米管阵列及纳米管阵列/纳米线复合结构,温度40~50℃为转折温区。
蔡芳共杨峰赵勇程翠华
关键词:阳极氧化TIO2纳米管阵列复合结构
一种高温超导涂层导体RESbO<Sub>3</Sub>缓冲层及其制备方法
一种制备高温超导涂层导体RESbO<Sub>3</Sub>缓冲层及其制备方法,属于高温超导材料制备技术领域。所述高温超导涂层导体缓冲层,是由RE<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和Sb<Sub>2</Su...
张欣赵勇程翠华张勇
文献传递
Cl掺杂对n-Cu2O的光电性能的影响被引量:4
2016年
在酸性溶液中利用恒电位沉积法在导电玻璃(ITO)上沉积Cu_2O薄膜,并以KCl为添加剂对其进行掺杂,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段研究了氯掺杂对Cu_2O表面形貌和晶体结构的影响。紫外-可见吸收光光谱确定得到的Cu_2O和Cl掺杂Cu_2O(Cu_2O-Cl)样品的禁带宽度分别为1.98和1.95eV。根据表面光电压谱和相位谱,掺杂前后的Cu_2O均为n型,Cu_2O-Cl有更强的表面光电压响应。场诱导表面光电压谱结果表明未掺杂Cl的Cu_2O在加负偏压时易形成反型层;氯离子的掺杂引入杂质能级可以提高n型导电性。光电化学性能测试发现,以Cu_2O、Cu_2O-Cl为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G、100mW/cm^2标准光强作用下光电转换效率分别为0.12%和0.51%。
谢思思鲁双伟马文利杨峰席金芳邹龙生蔡芳共程翠华赵勇阚香张勇
关键词:CU2O表面光电压谱光电化学性能
一种制备高温超导涂层导体La<Sub>2</Sub>Zr<Sub>2</Sub>O<Sub>7</Sub>缓冲层薄膜的方法
本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La<Sub>2</Sub>Zr<Sub>2</Sub>O<Sub>7</Sub>缓冲层薄膜的方法,包括以下步骤:将硝酸镧(La(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>...
张欣张勇赵勇程翠华张敏王文涛
退火对TiO_2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响
2011年
采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化前由于自建场较弱,束缚激子态能在正负电场作用下发生不对称偏转;晶化后,晶体结构从非晶态变为晶态,自建场增强,束缚激子态对正电场敏感并表现出明显的光伏响应,而在负电场作用下束缚激子态没有任何光伏响应.
杨峰蔡芳共柯川赵勇程翠华
关键词:表面光伏束缚激子
一种制备高温超导涂层导体LaSrMnO<Sub>3</Sub>缓冲层薄膜的方法
本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La<Sub>0.7</Sub>Sr<Sub>0.3</Sub>MnO<Sub>3</Sub>缓冲层薄膜的方法,属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密,织构良好,可以充...
张欣赵勇程翠华张勇王文涛雷鸣
一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法
本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法,其复合缓冲层制备步骤包含。a、NiW合金(200)基片的表面腐蚀修饰,b、NiO缓冲层的氧化热处理、c、SmBiO3...
张欣赵勇程翠华张勇雷鸣王文涛
文献传递
共7页<1234567>
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