您的位置: 专家智库 > >

胡宁

作品数:9 被引量:8H指数:2
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市教委科技发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇发射极
  • 4篇热稳定
  • 4篇热稳定性
  • 4篇SIGE_H...
  • 3篇自加热
  • 3篇自加热效应
  • 3篇功率晶体管
  • 3篇功率器件
  • 3篇高热稳定性
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇有限元
  • 2篇有限元方法
  • 2篇元方法
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇热分析

机构

  • 9篇北京工业大学

作者

  • 9篇胡宁
  • 8篇谢红云
  • 6篇金冬月
  • 5篇陈亮
  • 4篇肖盈
  • 4篇沈珮
  • 3篇王任卿
  • 3篇黄毅文
  • 3篇黄璐
  • 2篇王扬
  • 1篇甘军宁
  • 1篇李佳

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的版图设计(英文)
2009年
提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性。模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善。上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距的增加,从而有效阻止热流由外侧指流向中心指处。此外,与均匀指间距结构器件相比,其热阻改善13.71%,热退化功率水平提高22.8%。因此,模拟和实验均证明采用非均匀指间距结构HBT的版图设计可有效改善功率HBTs热稳定性。
金冬月张万荣谢红云沈珮胡宁甘军宁李佳
关键词:SIGEHBT热稳定性
高热稳定性功率异质结双极晶体管
本发明公开了一种晶体管,尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时,该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间...
金冬月张万荣谢红云陈亮胡宁肖盈王任卿
文献传递
高热稳定性功率异质结双极晶体管
本发明公开了一种晶体管,尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时,该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间...
金冬月张万荣谢红云陈亮胡宁肖盈王任卿
文献传递
一种无电感超宽带低噪声放大器的设计被引量:2
2009年
基于Jazz 0.35μm SiGe工艺,设计了一款工作在3~10GHz频带范围内的超宽带低噪声放大器。该放大器采用电阻负反馈结构,并在发射极并联电容,以补偿晶体管高频增益的下降。仿真结果显示,在整个工作频带内,放大器的增益在22.3dB以上,平坦度保持在1dB以内,噪声系数在3.7dB到4.6dB之间,输入输出反射系数(S11及S22)均在-12dB以下。整个设计最大的优点是没有用到片上电感,使得芯片面积大大缩小,对于商业应用具有极大的吸引力。
黄毅文张万荣谢红云沈珮黄璐胡宁
关键词:超宽带低噪声放大器SIGEHBT
发射极指分段与非均匀指间距组合的SiGe HBT设计及热分析
2011年
为了增强多发射极指S iGe HBT的热稳定性,提出了发射极指分段与非均匀指间距组合的新型器件结构.使用有限元方法对新型结构的S iGe HBT进行热分析,得到了发射极指上的三维温度分布.结果表明,与传统的完整结构及发射极指分段和均匀指间距组合的结构相比,新型结构明显降低了最高结温,温度分布更加均匀,使有源区整体热流分布更加均匀合理,有效地提高了器件的热稳定性.
陈亮张万荣金冬月谢红云胡宁肖盈王扬
关键词:异质结双极晶体管热模拟
新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析被引量:5
2010年
提出了一种发射极指分段和非均匀发射极指长、指间距组合的新型器件结构,以改善多指功率硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)的热稳定性。考虑器件具有多层热阻,发展建立了相应的热传导模型。以十指功率SiGe HBT为例,运用有限元方法对其进行热模拟,得到三维温度分布。与传统发射极结构器件相比,新结构器件最高结温从416.3 K下降到405 K,各个发射指上的高低温差从7 K~8 K下降为1.5 K~3 K,热阻值下降14.67 K/W,器件整体温度分布更加均匀。
胡宁张万荣谢红云金冬月陈亮沈珮黄璐黄毅文王扬
关键词:异质结双极晶体管有限元方法热模拟
基于有限元方法对改善功率SiGe HBT热不稳定性的新结构研究
由于SiGe HBT具有高的功率处理能力,高的热稳定性和与现行硅基BiCMOS技术相兼容等方面的优势,越来越多的应用在无线通讯和微波功率领域中。功率SiGe HBT通常采用均匀发射极指间距、均匀发射极指长的多指结构,这样...
胡宁
文献传递
高热稳定性功率异质结双极晶体管
本实用新型公开了一种晶体管,尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时,该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等...
金冬月张万荣谢红云陈亮胡宁肖盈王任卿
文献传递
兼顾群延时与宽带匹配的SiGe HBT LNA设计
2009年
选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感LB与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统群延时的影响进行了讨论,优化LB以满足兼容群延时与宽带匹配的要求。该放大器在3.1-10.6 GHz的带宽内增益达到12.7 dB,增益变化小于等于1.8 dB,噪声小于3.85 dB,群延时小于24 ps,静态功耗仅为6.3 mW。
黄璐张万荣谢红云沈珮黄毅文胡宁
关键词:低噪声放大器超宽带宽带匹配群延时
共1页<1>
聚类工具0