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范崇治

作品数:16 被引量:1H指数:1
供职机构:清华大学更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺动力工程及工程热物理自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇电路
  • 5篇阴极
  • 5篇空心阴极
  • 5篇溅射
  • 4篇选择性吸收涂...
  • 4篇太阳选择性吸...
  • 4篇集成电路
  • 3篇涂层
  • 3篇合格率
  • 3篇MO薄膜
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体技术
  • 2篇电路设计
  • 2篇氧化铝
  • 2篇氧化铝涂层
  • 2篇阴极溅射
  • 2篇油用
  • 2篇气流
  • 2篇铝涂层
  • 2篇脉冲

机构

  • 16篇清华大学

作者

  • 16篇范崇治
  • 6篇殷志强
  • 3篇杨华中
  • 2篇刘润生
  • 1篇王志华
  • 1篇汪惠
  • 1篇殷志强

传媒

  • 11篇太阳能
  • 2篇中国电子学会...
  • 2篇1989年全...
  • 1篇全国第六届I...

年份

  • 8篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇1993
  • 1篇1991
  • 2篇1989
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
太阳选择性吸收涂层系列讲座(11) 金属表面去油用等离子体技术(下)
2014年
有沾污的金属片清洁是用HPLC级水与金属表面接触角的测定来进行,接触角用量角测量,更精确用动态接触角仪测量,所有测量中都用水10μL。样品从系统取出后立即进行接触角测量,用等离子放射浓度Dpl来研究接触角。Dpl定义为阴极功率肜与阴极长度三。和金属带传送速度vs乘积之比。
范崇治殷志强
关键词:等离子体技术金属表面油用传送速度DPL
MOSFET静态模型参数的优化提取方法
杨华中范崇治
关键词:最小二乘法集成电路计算机辅助设计电路设计
高沉积率低动能气流溅射系统
2014年
在薄膜溅射沉积中,用具有能量的离子或中性粒子轰击薄膜对薄膜结构有重大影响,这些影响由于沉积条件的不同变化非常大,特别是质点轰击能量,沉积技术如离子团束(ICB)沉积、偏置溅射及离子束沉积已被用于控制粒子的流量和能量.一般说来,从100 eV到几千eV的质点能量用于离子加速技术易于控制,而低能量质点很难严格控制.
范崇治殷志强
关键词:气流
脉冲磁控溅射制备氧化铝涂层的结构和性能控制(上)
2013年
氧化铝涂层提供了在腐蚀或氧化环境下金属零件的保护,虽然,直到最近完全致密、无缺陷的氧化物涂层的制备是非常困难的,氧化物涂层可在氧化环境中用一个金属靶的直流反应溅射的方法或用一个氧化物靶的射频溅射的方法制造。后面一种方法沉积率很低,不能商业应用。直流溅射高绝缘材料,例如氧化铝也是有问题的,在靶表面上建立绝缘层会导致电弧,电弧会影响沉积过程的稳定性,且会造成薄膜的结构和特性的负面影响。但一个新技术——脉冲磁控溅射大大增强制造这种材料的可行性,已经证明在10~200kHz范围磁控放电能阻止在靶面电弧的形成,工艺稳定,沉积率高。这个技术用来沉积从纯铝到理想配比的Al2O3,该涂层的性能用扫描和透射电子显微镜、x射线衍射仪、4点探针及纳米识别技术进行了研究,用涂层的组成来说明观察到的结构和特性的变化,并用新结构模型图表示。
范崇治殷志强
关键词:氧化铝涂层
空心阴极气流溅射法快速沉积具有高活性光催化作用的TiO_2薄膜(上)
2014年
光催化剂TiO2薄膜是用两个平行Ti靶的空心阴极气流溅射方法沉积而成,氩气和氧气流量分别是3000 sccm和0~ 50 sccm,在沉积过程中总气压维持在45 Pa.在氧气流量为30 sccm时,TiO2膜最大沉积率为162 nm/min,之后在空气中300℃,1h进行退火工艺,用来作光催化分解乙醛(CH3CHO),和一般反应溅射相比,后退火膜显示出非常高的光催化作用.
范崇治Yoshiyuki KuboYoshinori IwabuchiMasato Yoshikawa
关键词:光催化TIO2
脉冲磁控溅射制备氧化铝涂层的结构和性能控制(下)
2013年
为了方便,Taguchi阵列涂层标识为1/x,x是阵列的实验数,同样,第2阵列(次实验)为2/x。
范崇治殷志强
关键词:氧化铝涂层溅射制备磁控脉冲阵列
一种基于GKS的电路图形软件的设计与实现
叶大廉汪惠范崇治
关键词:网络图论图象处理应用程序程序设计
先进太阳选择性吸收涂层的发展被引量:1
2013年
槽式抛物面太阳场运行温度的提高,由400℃至>450℃,能增加总太阳发电效率和减小槽式抛物面发电厂的发电成本。当前的太阳选择性涂层不具备在较高工作温度所需的稳定性和工作性能。本文目的是开发更有效的太阳选择性涂层,在高于450℃时有高的太阳吸收比(α>0.96)和低的热发射比(在450℃时,ε<0.07),他们在高于450℃是热稳定的,在空气中是理想的,且具有改善了耐久性和生产制造性,因此减少了成本,利用计算机辅助光学设计软件,使多层太阳选择涂层具有超过目标的光学性能(吸收比为0.959,450℃时发射比为0.070)和比一般商业涂层有更低的热损失,那些具有高热稳定性的材料用计算机模型化了,这些超过设定的目标1%的发射比约等于1.2%吸收比。关键问题是沉积涂层的方法,为了沉积这单独的一层层薄膜,为了模型化的选择性多层结构的原型,使用由离子束辅助(IBAD)和电子束(电子束)共同沉积,这是由于它的灵活性和低的材料成本,实验工作聚焦在模型化的高温太阳选择性涂层;沉积一个个单层和模型化的涂层;测量光、热、形貌和成分等性质,并利用数据使模型化和沉积特性的有效性;涂层再优化;测量涂层工作性能和耐久性,将描述开发一个耐久的和先进的选择性涂层的过程。
范崇治殷志强
关键词:涂层电子束光学模型抗氧化
太阳选择性吸收涂层系列讲座(14) 活性环境空心阴极溅射特性与沉积Al_2O_3、ZnO掺杂和In_2O_3:Mo薄膜的应用(下)
2014年
透明导电氧化物薄膜,例如SnO2、ITO、ZnO,有很多应用,如建筑玻璃、汽车、显示器、光伏器件。制备掺杂氧化锌膜用射频或脉冲直流溅射陶瓷靶,它含有ZnO和2%(重量比)Al2O3,无论如何靶的代价是过高的,而能用的功率密度是有限的。最近反应磁控溅射Zn:Al靶受到关注,虽然它需电压控制和氧分压强的闭环控制以保证工作在金属/氧化物过渡模式。
Delahoy A EGuo S YPaduraru C范崇治
关键词:IN2O3透明导电氧化物薄膜阴极溅射MO薄膜
有权抽样技术在集成电路合格率优化中的应用
杨华中范崇治
关键词:微电子技术电路设计集成电路抽样技术
共2页<12>
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