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董小英
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所
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发文基金:
浙江省重大科技专项资金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
朱大中
浙江大学信息与电子工程学系微电...
孙颖
浙江大学信息与电子工程学系微电...
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董小英
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2008
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0.6m CMOS过温保护电路设计
被引量:3
2008年
采用CSMC5V0.6μm标准CMOS工艺设计研制了一种过温保护电路。该电路由三部分构成:PTAT(与热力学温度成正比)电压产生电路,带隙基准源电路和比较器电路。芯片测试结果表明在30~130℃温度范围内PTAT输出电压线性度良好(最大偏差小于1.6%),灵敏度约为10mV/℃;关断温度可由外接电阻设定,85℃以下实测值与设定值偏差小于5℃,85℃以上偏差稍大约为10℃。该过温保护芯片电路结构简单、面积小、功耗低,且具有良好的移植性,可广泛应用于LED照明驱动电路,电源管理芯片等场合,也可用于和MOS功率器件混合封装组成带过温保护的功率器件模块。
董小英
孙颖
朱大中
关键词:
互补金属氧化物半导体
过温保护
功率场效应管
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