董海霞
- 作品数：7 被引量：56H指数：5
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- 相关领域：理学机械工程一般工业技术更多>>
- 含单层负折射率缺陷的光子晶体的光学特性被引量：9
- 2011年
- 利用转移矩阵法研究了含单层负折射率缺陷的一维光子晶体缺陷模的光学特性。结果表明,随着缺陷层厚度的增加,缺陷模的频率呈现分阶段的变化。第一阶段为单调递增,第二阶段为过渡过程,第三阶段为单调递减。这些性质与缺陷层为正常材料的相应结构有很大的不同。尽管第三阶段与之有点相似,但此时移动的速度却较大。研究还发现,整个过程缺陷模移动得比缺陷层为正常材料时要快。
- 董海霞董丽娟杨成全石云龙
- 关键词：光子晶体光学特性转移矩阵
- 含负折射率材料的一维光子晶体掺杂后的滤波特性被引量：6
- 2007年
- 利用转移矩阵法,研究了含负折射率材料的一维光子晶体掺杂后的滤波性质。结果表明,这种结构可以同时实现窄带滤波和大范围宽带滤波的双重功能,宽带滤波的频率范围可以通过改变材料的折射率进行调节。研究还发现,结构的透射谱对入射角的变化很敏感,入射角增大时,通带向高频区移动;当负折射率材料具有色散时,宽通带的高度降低。
- 董海霞杨成全石云龙
- 关键词：光子晶体负折射率材料滤波
- 含负折射率介质层的一维光子晶体缺陷模的特性被引量：1
- 2010年
- 利用转移矩阵给出了在正常材料中加入双负介质结构的色散关系和缺陷模的本征频率方程.根据本征方程计算了当缺陷层的折射率和光学厚度改变时缺陷模频率的变化.
- 董海霞杨成全石云龙
- 关键词：光子晶体负折射率材料缺陷模
- 磁热效应与磁致冷材料被引量：7
- 2006年
- 阐述了磁热效应的基本概念及磁致冷的原理,介绍了磁工质的选择依据,概述了磁致冷材料,特别是室温磁致冷材料的研究进展．
- 董海霞董丽娟杨成全
- 关键词：磁热效应磁致冷磁熵变
- 低纯度Gd制成的Gd_5Si_(1.8)Ge_(2.2)的磁热效应
- 2005年
- 实验中使用国产2N级金属Gd粉为原料,用电弧熔炼法在氩气气氛中制备了Gd5Si1.8Ge2.2合金,并通过X射线衍射仪和超导量子磁强计分析手段对合金的性能进行测试和分析.发现合金没有重现一级磁相变和巨磁热效应,这是由于国产2N级Gd中杂质等因素对磁相变、磁热性能产生了重要影响,导致一级磁相变的破坏及磁热效应的大幅度下降.
- 董海霞李榜全
- 关键词：磁熵变磁相变
- 含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的杂质带特性被引量：10
- 2006年
- 利用转移矩阵方法研究了含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的透射谱.计算结果表明,如果改变缺陷的折射率,缺陷模之间的耦合作用将发生改变,使得能隙中的杂质带也随之改变.若这个折射率取适当值,则可以在禁带中同时出现几个尖锐的透射峰和较宽的通带,这种结构可同时用于多通道窄带滤波和宽带滤波.
- 董海霞江海涛杨成全石云龙
- 关键词：光子晶体缺陷模滤波
- 含负折射率缺陷的光量子阱的透射特性及理论模拟被引量：27
- 2007年
- 利用转移矩阵方法对含负折射率缺陷的一维光子晶体量子阱结构的透射特性进行了研究。结果表明,当缺陷为偶数个时,结构透射谱中有两个透射峰;当缺陷为奇数个时,透射谱中只有中心处一个透射峰,且随着缺陷层数的增加,该处峰的品质因子逐渐提高。因电磁波在缺陷处的强烈局域,所以阱中局域态的透射率对缺陷的折射率有很强的依赖作用。通过控制入射光的强度可使缺陷的折射率发生微小的改变,进而使局域态的透射率发生明显改变,这样就可制作高效光开关。
- 董海霞江海涛杨成全石云龙
- 关键词：光电子学光量子阱转移矩阵法负折射率材料
