赵世柯
- 作品数：95 被引量：326H指数：10
- 供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 测量行波管电子注的法拉第筒的热分析被引量：1
- 2011年
- 利用ANSYS软件对测量行波管电子注截面的法拉第筒探头进行了热分析研究。分析了在单脉冲情况下,测量各种直径的不同脉冲功率密度的电子注、不同脉冲宽度对法拉第筒温度的影响,研究了测量不同功率密度的电子注可以使用的脉冲宽度。结果表明,仅法拉第筒上的注斑区域温度迅速上升,温度梯度较大,其它部分温度基本不变,为保证法拉第筒能够持续正常工作,在单脉冲情况下,对于功率密度大于5×106W/cm2的电子注,需使用宽度小于0.5μs的脉冲,最好是0.1μs和0.2μs的脉冲进行测量,与文献结果相符。测量一定功率密度的电子注,需选择合适的脉冲宽度。另外,考虑热量的累积效应,分析了脉冲重复频率对法拉第筒工作温度和散热情况的影响。结果表明,脉冲重复频率设为10～100Hz是比较合适的。
- 韦宇祥黄明光刘濮鲲郝保良赵世柯
- 关键词：温度功率密度脉冲宽度重复频率
- 氧化铝基陶瓷Mo-Mn法金属化机理分析及实验研究
- 本文从玻璃相扩散迁移、Mo的化学态和添加Mn的作用几个方面对氧化铝基陶瓷高温Mo-Mn法金属化机理进行了分析和总结,给出了高纯氧化铝陶瓷(包括99氧化铝陶瓷、透明氧化铝陶瓷)一些实验研究结果。通过对实验结果的分析和讨论,...
- 赵世柯
- 关键词：金属化
- 难熔金属钼-钼激光焊接头显微组织结构分析
- 本文研究了Mo-Mo材料(直径为φ0.5mm的Mo丝和截面0.8×0.2mm的Mo带)的激光焊工艺,采用扫描电镜对焊接接头处的显微组织结构进行了分析。结果表明,激光焊过程中在焊接接头附近形成了明显的热应力区域,在材料表面...
- 赵世柯缪国兴曹艳玲段海霞
- 关键词：激光焊显微结构行波管
- 文献传递
- 一种超高真空装置用高压引线组件及制造方法
- 本发明公开了一种超高真空装置用高压引线组件及制造方法，涉及真空电子技术，包括金属引线、绝缘瓷件、瓷封合金件、引线法兰；本发明的高压引线组件具有结构强度高、体积紧凑、耐压效果好等特点，有利于提高超高真空装置的可靠性和高压适...
- 赵世柯樊会明苏小保肖东梅
- 文献传递
- 一种螺旋线行波管慢波组件的制备方法
- 本发明公开一种螺旋线行波管慢波组件的制备方法，方法包括步骤：将清洗干净的螺旋线放入电镀液内；将金属铜电镀在螺旋线表面形成金属铜薄膜；将镀有金属铜的螺旋线和介质夹持杆及金属管壳固定在装架模具上并挤入金属管壳内。组件包括介质...
- 刘燕文韩勇王莉于艳春郑晓阳王晓艳赵建东赵世柯邓峰王自成刘濮鲲
- 文献传递
- ZrSiO_4/Al_2O_3/SiO_2混合粉体的反应烧结研究被引量：2
- 2005年
- 以ZrSiO4/Al2O3/SiO2混合粉体为原料,采用反应烧结工艺,通过添加SiO2与“过量”的Al2O3反应,制备了“富”莫来石的ZrO2/莫来石复相陶瓷材料。添加的无定形SiO2在烧结过程中结晶形成中间产物方石英。方石英的形成和莫来石化反应是阻碍致密化的主要因素。结果表明,该体系的反应烧结坯体的致密化是困难的,抑制SiO2晶化,减小莫来石化体积膨胀带来的不利影响是获得致密烧结体的关键。
- 赵世柯赵建东肖东梅康金生
- 关键词：莫来石氧化锆复合材料
- Na2O对制备半导体用MoSi2/oxide发热元件使用特性的影响
- 本文对比了脱Na工艺前后MoSi<,2>/oxide发热元件使用特性的变化.分析结果表明,通过脱Na处理较好地解决了半导体制品热处理装置中石英玻璃管的失透问题,同时使发热元件的弯曲强度和高温蠕变特性也有了明显改善,从而提...
- 赵世柯王刚江莞
- 关键词：发热元件
- 文献传递
- 后处理工艺对离子束改性无氧铜表面形貌及二次电子发射的影响
- 离子束轰击是实现材料表面改性、获得所需功能的重要技术途径，在许多工程技术领域得到广泛的应用，因而也受到广泛关注和研究。本文研究了后处理工艺对离子束改性无氧铜表面形貌特征及二次电子发射特性的影响，为离子束表面改性无氧铜材料...
- 赵世柯刘腊梅
- 关键词：无氧铜电子发射
- 文献传递
- Re掺杂对W丝阴极二次电子发射的影响被引量：5
- 2015年
- 为了提高纯W丝阴极的二次电子发射系数(δ),在W粉中掺杂不同比例的Re粉。将混合好的W-Re粉制备在W片表面,经高温烧结后测量其二次电子发射系数。实验结果显示Re掺杂合金阴极能够提高纯钨丝阴极的δ。不同掺杂Re的W-Re合金阴极对提高二次电子发射系数的能力不同,掺杂5(质量比)%Re的W-Re合金阴极的二次电子发射系数最大,其最大二次电子发射系数(δm)值为1.8,相比于未掺杂的纯钨粉烧结阴极的δm,能够提高80%。
- 漆世锴王小霞罗积润赵世柯李云赵青兰
- 关键词：二次电子发射掺杂
- 反应烧结产物为结合相的氧化锆－莫来石复相耐火材料及制备方法
- 本发明涉及一种以反应烧结产物为结合相的ZrO<Sub>2</Sub>-莫来石复相耐火材料及制备工艺,属于先进耐火材料领域。它以工业超细ZrSiO<Sub>4</Sub>和Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
- 赵世柯黄校先郭景坤
- 文献传递
