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赵旺

作品数：38 被引量：23H指数：3
供职机构：大连理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 12篇会议论文
  • 8篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 5篇理学
  • 2篇航空宇航科学...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 21篇发光
  • 14篇半导体
  • 12篇发光器件
  • 12篇ZNO
  • 10篇激光
  • 10篇激光器
  • 10篇发射激光器
  • 10篇半导体发光器...
  • 8篇P型
  • 8篇MOCVD法
  • 6篇阈值电流
  • 6篇金属有机化学...
  • 6篇化学气相
  • 6篇化学气相沉积
  • 5篇电致发光
  • 4篇带隙
  • 4篇导电类型
  • 4篇电注入
  • 4篇电阻
  • 4篇运载

机构

  • 28篇吉林大学
  • 19篇大连理工大学
  • 4篇上海宇航系统...
  • 1篇河南科技大学

作者

  • 38篇赵旺
  • 29篇杜国同
  • 23篇张宝林
  • 21篇夏晓川
  • 15篇梁红伟
  • 14篇董鑫
  • 7篇李香萍
  • 4篇马艳
  • 3篇张源涛
  • 3篇夏小川
  • 3篇赵龙
  • 3篇赵涧泽
  • 2篇孙景昌
  • 2篇谭述君
  • 2篇史志峰
  • 2篇王瑾
  • 2篇殷伟
  • 2篇史志锋
  • 2篇李万程
  • 2篇王辉

传媒

  • 4篇发光学报
  • 3篇第四届全国氧...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇宇航学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇强度与环境
  • 1篇第十届全国M...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 10篇2011
  • 5篇2010
  • 4篇2009
  • 6篇2008
  • 1篇2007
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ZnO和GaN组合ZnO基端面发射激光器及其制备方法
本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的GaN外延层、电流下限制层、ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电...
杜国同夏晓川赵旺梁红伟张宝林
p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及制备方法
本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的n型GaN外延层、p型ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电...
杜国同夏晓川赵旺梁红伟张宝林
文献传递
p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法
本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法。器件由衬底、在衬底上外延生长的GaN外延层、在外延层上制备的相互分立的电流下限制层和下电极、在电流下限制层上制备...
杜国同夏晓川赵旺梁红伟张宝林
基于特征空间变换的运载火箭Pogo模型降阶方法被引量：1
2021年
针对运载火箭Pogo状态空间模型存在维数高和奇异性的问题,开展了Pogo模型的降阶方法研究。基于特征空间变换理论,导出了一般形式的Pogo状态空间模型的解耦形式。该形式与推进系统和结构系统的模态频率相对应,从而通过模态截断或保留感兴趣的模态实现有效的模型降阶。同时,还给出了降阶方法的实数运算公式。在两种不同型号推进系统的火箭Pogo问题中进行了仿真校验。结果表明所提出的降阶方法对奇异和非奇异Pogo状态空间模型都能给出正确的降阶模型,显著地提高计算效率,具有很好的通用性,为Pogo时域仿真和主动抑制提供了合适的模型。
谭述君高强赵旺刘锦凡
关键词：模型降阶时域仿真
n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法
一种n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。激光器件由衬底1，p型GaN外延层2，外延层2上制备的相互分立的电流下限制层3和下电极5，电流下限制层3上制备的...
杜国同梁红伟夏晓川赵旺
文献传递
p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法
本发明属于半导体发光器件技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及其制备方法。其芯片依次由衬底、n-GaN外延层、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>或n型AlGaN电流下限制层、...
杜国同夏晓川赵旺梁红伟张宝林
文献传递
基于MOS结构的氧化锌发光器件的研究
用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了Au/MgO/ZnO/MgO/ITO以及Au/MgO/ZnO/ITO两种基于MOS结构的发光器件。两种器件的伏安特性曲线都表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约为5V。...
赵旺赵龙夏晓川史志锋王辉董鑫杜国同
关键词：金属有机化学气相沉积MOS结构
文献传递
锌源温度对MOCVD法生长的ZnO薄膜性质的影响
ZnO是近十几年来倍受关注的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，是可用于制作短波长发光器件、大面积平板显示器件、太阳能电池、气体传感器等的重要材料。目前对于ZnO材料在光电子学领域的研究已经取得许多重要的进展。笔者测试了不同锌源温...
马艳杜国同夏晓川赵旺王谨董鑫张宝林
关键词：氧化锌半导体材料
文献传递
缓冲层对Zn1-zMgzO薄膜电学特性的影响
@@采用金属有机化合物汽相沉积法(MOCVD)在硅和玻璃衬底上生长出了较高质量的Zn1-xMgxO薄膜。二乙基锌(DEZn)和二茂镁(cp2Mg)分别作为Zn源和Mg源，通过高纯A汽的携带输运进入反应室内，高纯氧气作为氧...
夏晓川赵旺董鑫张宝林杜国同
文献传递网络资源链接
p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法
一种p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。器件由衬底1、衬底1上依次制备的AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8、GaN外延层2、相互分立的电流下限制层3...
杜国同夏晓川梁红伟赵旺
文献传递
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