赵昊岩
- 作品数：7 被引量：4H指数：2
- 供职机构：清华大学理学院化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：腔室中装入有机半导体化合物的溶液或者将装有所述有机半导体化合物的溶液容器放入腔室中，将基片插入所述有机半导体化合物的溶液中并固定；控制所述...
- 董桂芳赵昊岩邱勇
- 文献传递
- 一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：腔室中装入有机半导体化合物的溶液或者将装有所述有机半导体化合物的溶液容器放入腔室中，将基片插入所述有机半导体化合物的溶液中并固定；控制所述...
- 董桂芳赵昊岩邱勇
- 文献传递
- 吲哚方酸菁半导体在场效应晶体管中的应用(英文)被引量：2
- 2011年
- 研究了2,3,3-三甲基-1-H-吲哚方酸菁的场效应性质,通过X射线衍射证实了方酸菁分子内电荷分离结构以及分子间面面堆积模式,并在Si/SiO2基片上通过真空蒸镀和旋涂的方法制备了p型晶体管器件.通过对器件性能与沟道形态的研究,我们发现退火处理能促进方酸菁薄膜由无定形态向多晶态转变,从而使薄膜晶体管的迁移率从10-5cm2·V-1·s-1量级提高到10-3cm2·V-1·s-1量级.顶接触结构单晶器件获得了7.8×10-2cm2·V-1·s-1的迁移率.未封装的方酸菁晶体管在大气中也表现出较好的稳定性.
- 孙秋健董桂芳郑海洋赵昊岩乔娟段炼王立铎张复实邱勇
- 关键词：有机晶体管旋涂单晶退火
- 基于CH_3NH_3Pbl_3单晶的Ta_2O_5顶栅双极性场效应晶体管（英文）被引量：3
- 2017年
- 具有无机-有机杂化钙钛矿结构的CH_3NH_3Pbl_3通常偏向于显示n型半导体特性,本文以五氧化二钽(Ta_2O_5)作为绝缘层,制备了基于钙钛矿CH_3NH_3Pbl_3单晶的顶栅结构场效应晶体管,暗态下更明显地观察到了CH_3NH_3Pbl_3所具有的p型场效应特性,空穴场效应迁移率达到8.7×10^(-5)cm^2·V^(-1)·s^(-1),此暗态空穴迁移率比原有报道的基于CH_3NH_3Pbl_3多晶薄膜的SiO_2底栅场效应晶体管提高了一个数量级。此外,光照对CH_3NH_3Pbl_3单晶场效应晶体管的性能有强烈影响。与底栅结构CH_3NH_3Pbl_3多晶场效应晶体管不同,即使有栅极和绝缘层的遮挡,5.00 mW·cm^(-2)的光照仍可使CH_3NH_3Pbl_3单晶场效应晶体管的空穴电流提高一个数量级(V_(GS)(栅源电压)=V_(DS)(漏源电压)=20 V),光响应度达到2.5 A·W^(-1)。本文工作实现了对CH_3NH_3Pbl_3场效应晶体管载流子传输的选择性调控,表明在没有外部因素的参与下,通过合适的器件设计,CH_3NH_3Pbl_3同样具有制备成双极性晶体管的潜力。
- 吕乾睿李晶廉志鹏赵昊岩董桂芳李强王立铎严清峰
- 关键词：场效应迁移率
- 基于CH3NH3PbI3单晶的场效应晶体管
- 单晶是研究半导体材料载流子传输性质的理想工具。本文采用缓慢降温法从溶液中生长了CH3NH3PbI3单晶，并制备了基于单晶的底栅顶接触结构的场效应晶体管，对这种在光电转换领域备受关注的具有钙钛矿结构的有机无机复合材料的载流...
- 吕乾睿赵昊岩廉志鹏董桂芳王立铎李强严清峰
- 关键词：单晶钙钛矿场效应晶体管载流子迁移率
- 基于CH3NH3PbI3单晶的场效应晶体管
- 单晶是研究半导体材料载流子传输性质的理想工具。本文采用缓慢降温法从溶液中生长了CHNHPbI单晶,并制备了基于单晶的底栅顶接触结构的场效应晶体管,对这种在光电转换领域备受关注的具有钙钛矿结构的有机无机复合材料的载流子传输...
- 吕乾睿赵昊岩廉志鹏董桂芳王立铎李强严清峰
- 关键词：单晶钙钛矿场效应晶体管载流子迁移率
- 文献传递
- 溶液法制备有机晶态薄膜及其晶体管特性研究
- 有机场效应晶体管(OFET)因具有半导体材料丰富、可溶液加工等特点,在轻柔电子电路、显示驱动和传感等方面有广阔的应用前景。溶液法制备大面积有序的有机半导体晶态薄膜,不仅具有成本低、能够卷对卷(Roll-to-Roll)生...
- 赵昊岩
- 关键词：溶液法晶态薄膜
- 文献传递
