您的位置: 专家智库 > >

赵汝清

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金:国防科技工业技术基础科研项目更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇CMOS器件
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇电离辐射
  • 1篇性能比较
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇中子
  • 1篇中子源
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲中子
  • 1篇晶体管
  • 1篇抗辐射
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇INTEL

机构

  • 3篇中国工程物理...
  • 2篇北京邮电大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 4篇赵汝清
  • 3篇徐曦
  • 2篇许献国
  • 2篇胡健栋
  • 1篇杨怀民
  • 1篇蒋英杰
  • 1篇詹峻岭
  • 1篇赵刚
  • 1篇贾温海

传媒

  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇第八届全国抗...
  • 1篇第九届全国抗...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇1996
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
“三径”闭锁窗口模型的实验研究被引量:1
2005年
在解释CMOS器件辐射感应的闭锁窗口现象时,提出了所谓的“三径”闭锁窗口模型。在分析CMOS器件闭锁电路模型的基础上,简要介绍了“三径”闭锁窗口模型的有关情况。为了实验验证该模型,设计了实验电路以模拟CMOS器件的寄生闭锁路径,给出了相应的参数。“强光I”瞬时伽马辐照实验显示,实验电路像预计的那样出现了闭锁窗口。这说明,用“三径”模型解释某些闭锁窗口现象是合理的。
许献国徐曦胡健栋赵汝清
关键词:CMOS器件
双极晶体管脉冲中子辐射效应─瞬时退火实验研究被引量:4
1996年
本文介绍了快脉冲堆瞬态辐照试验的瞬时退火结果。实验采用了合理的试验方法和监测系统。在国内首先测到了三极管中子辐照的瞬时退火曲线,并与国外有关实验结果作了比较。
蒋英杰贾温海赵汝清杨怀民
关键词:脉冲中子源半导体器件
INTEL 80C196KC20单片机与国产加固型80C196KC20RHA单片机抗辐射性能比较
本文介绍了国产加固型的单片机80C196KC20RHA与INTEL产80C196KC20单片机的抗辐射性能,通过两种单片机系统在'闪光I'和<'60>Co辐照源的对比试验可以看出:该国产加固型的单片机抗电离总剂量的性能在...
詹峻岭赵刚徐曦赵汝清
关键词:单片机电离辐射
文献传递
"三径"闭锁窗口模型的实验研究
在解释CMOS器件辐射感应的闭锁窗口现象时,提出了所谓的"三径"闭锁窗口模型.为了对该模型进行实验验证,本文设计了模拟CMOS器件寄生闭锁路径的实验电路.伽马射线辐照实验显示,实验电路象预计的那样出现了闭锁窗口.这说明,...
许献国徐曦赵汝清胡健栋
关键词:CMOS器件
文献传递网络资源链接
共1页<1>
聚类工具0