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PLD制备掺铜ZnO薄膜结构与光学性质研究: 氧化锌(ZnO)是直接带隙宽禁带半导体材料,具有六角纤锌矿结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,因其非常优越的光电性能以及在光电子器件中的巨大应用价值而被誉为“二十一世纪半导体”。非掺杂ZnO通常...; 赵涛; 关键词：PLD X射线衍射光致发光

氧压对PLD制备掺铜ZnO薄膜光学性质的影响被引量：3: 2011年; 为了研究生长氧压对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响,采用脉冲激光沉积技术,在P-Si〈11〉衬底上制备了不同生长氧压下的掺铜ZnO薄膜。利用X射线衍射仪对样品的结构进行了分析,并用荧光分光光度计对样品的光致发光谱进行了测量。结果表明,所有样品均在2θ=34.3°附近出现ZnO(002)衍射峰,没有发现Cu的衍射峰,在衬底温度为400℃、生长氧压为0.2Pa的条件下,样品有较好的c轴择优取向;室温下测得样品的光致发光谱中均观察到460nm(2.71eV)左右的蓝光发光带,该发光带来源于薄膜中的锌空位和锌填隙缺陷,属于深能级发射机制,并且随着氧压的升高,其发光强度增强。; 赵涛李清山董艳锋张立春解晓君; 关键词：脉冲激光沉积光致发光

Eu^3＋，Li^＋共掺杂ZnO薄膜结构与发光性质的研究被引量：1: 2011年; 为了研究Eu^(3+),Li^+共掺杂的ZnO薄膜结构与发光性质,采用脉冲激光沉积方法在P型单晶Si(111)衬底上制备了Eu^(3+),Li^+共掺杂的ZnO薄膜,其中,Eu^(3+)作为发光中心,而Li^+作为低价电荷的补偿离子和发光敏化剂。分别对样品进行了X射线衍射谱测试和光致发光谱分析。得出的数据中X射线衍射谱显示,Eu^(3+),Li^+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向,X射线衍射谱中除ZnO晶向以外没有出现其它结晶峰;Eu^(3+),Li^+共掺杂的ZnO薄膜的光致发光谱与ZnO纯晶体薄膜的发射光谱基本相似,但是掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰却出现红移现象,峰值位于382nm处,且发光峰也不尖锐。当以395nm的激发光照射样品时,在光致发光光谱中观察到了稀土Eu^(3+)在594nm,613nm附近的特征发光峰。结果表明,掺杂元素Eu^(3+),Li^+均已进入到ZnO晶格中,形成了以Eu^(3+)为发光中心的ZnO纤锌矿结构。; 解晓君李清山董艳锋赵涛; 关键词：脉冲激光沉积 X射线衍射光致发光

山东省高师体育生信息素养现状及培养策略研究: 21世纪标志着人类进入了信息社会，信息和知识成为人类社会资源的核心，信息的获取和利用显得愈来愈重要。信息社会对高师体育教育也提出了严峻的挑战，为了迎接挑战，在体育教育中我们应该注重培养学生具备迅速地获取和筛选信息，准确地...; 赵涛; 关键词：信息素养体育教育; 文献传递

基于PLD法制备ZnO:Eu^(3+),Li^+薄膜的发光性质研究被引量：4: 2012年; 采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(111)衬底上生长了Eu3+、Li+共掺杂的ZnO薄膜。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)谱测试和光致发光(PL)谱分析,重点研究了退火处理对样品结构和发射光谱的影响。XRD谱测试表明,样品具有很好的C轴择优取向。PL谱研究表明,当用325nm光激发样品时,样品的发射光谱仅由ZnO基质的紫外发射和蓝光发射组成,并没有发现稀土Eu3+的特征发光峰;样品的蓝光发射源于电子从Zn填隙形成的浅施主能级到Zn空位形成的浅受主能级跃迁;和真空中退火的样品相比,O2中制备的样品的蓝光发射减弱,紫外发光增强。用395nm的光激发时,退火前样品分别在594nm和613nm处存在两个明显的Eu3+特征发光峰,退火后的样品仅发现Eu3+位于594nm的特征发光峰,这表明,退火处理不利于稀土离子的特征发射,但O2中退火的样品ZnO基质红绿波段发射光谱明显增强。; 董艳锋李清山张立春赵涛

PLD制备掺铜Zn0薄膜结构与光学性质研究: 氧化锌(ZnO)是直接带隙宽禁带半导体材料，具有六角纤锌矿结构，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，因其非常优越的光电性能以及在光电子器件中的巨大应用价值而被誉为“二十一世纪半导体”。非掺杂ZnO通常...; 赵涛; 关键词：结构特征光学性质; 文献传递

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赵涛