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邓祥

作品数：4 被引量：33H指数：3
供职机构：大连理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇逆变
  • 2篇逆变电源
  • 1篇氮化镓
  • 1篇等离子体
  • 1篇涤纶
  • 1篇电源
  • 1篇逆变器
  • 1篇气体放电
  • 1篇放电
  • 1篇改性
  • 1篇改性研究
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇半导体器件
  • 1篇变频
  • 1篇变频电源
  • 1篇SPWM
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN基材料
  • 1篇表面改性

机构

  • 4篇大连理工大学

作者

  • 4篇邓祥
  • 3篇顾彪
  • 2篇徐茵
  • 1篇王三胜
  • 1篇秦福文
  • 1篇史庆军
  • 1篇窦宝锋
  • 1篇常久伟
  • 1篇杨大智

传媒

  • 1篇佳木斯大学学...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇电工技术杂志

年份

  • 3篇2002
  • 1篇2001
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
常压辉光放电的建立及其特性实验研究被引量：17
2001年
常压辉光放电 (APGD)是新近发展起来的一种等离子体源 ,与低气压辉光放电相比更具有工业应用前景 .本文详细介绍我们实验室在大气压条件下建立的均匀稳定、介质垒控制的辉光放电等离子体发生装置 .该放电发生器采用频率为 1 0 k Hz和 2 0 k Hz高压电源 ,平板电极结构 ,电极覆盖绝缘层 ,间隙2～ 3mm,可在多种气体环境下稳定运行 .放电电流波形和电压 -电荷李萨如图形的测量充分表明它确实是常压下的均匀辉光放电 .
史庆军顾彪邓祥
关键词：气体放电等离子体
GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用被引量：8
2002年
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性、材料生长以及在光电器件领域的应用 。
顾彪王三胜徐茵秦福文窦宝锋常久伟邓祥杨大智
关键词：GAN材料性质半导体器件半导体材料氮化镓
常压辉光放电装置的改进及其对涤纶表面改性研究
化纤纺织品的表面改性是一项极具理论意义和实用价值的课题.等离子体处理是一种清洁的干式改性工艺,具有极大的市场潜力和发展前景.但电晕放电和介质阻挡放电(DBD)在改性纺织品的时候容易造成损伤,而常用的低压辉光放电等离子体改...
邓祥
关键词：表面改性涤纶丙纶逆变电源
文献传递
一种基于单极调制的SPWM变频电源死区设置的新方法被引量：7
2002年
分析了SPWM逆变电源的单极调制技术相对于双极调制技术的优缺点 ,提出了一种只在正弦基波换相处设置死区时间的新方法。
邓祥顾彪徐茵
关键词：逆变电源变频电源逆变器SPWM
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