邢晓艳
- 作品数：10 被引量：10H指数：2
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 单根Ag(TCNQ)微/纳米结构的光致变色特性研究被引量：1
- 2005年
- 利用溶液化学反应法制备了准一维微/纳米结构的金属有机配合物Ag(TCNQ);X射线衍射(XRD)表明所制备的Ag(TCNQ)为晶态结构;扫描电子显微镜(SEM)的观察表明Ag(TCNQ)为准一维的微/纳米管或线。首先在自行研制的材料光学性能测试系统上对单根Ag(TCNQ)的光致变色特性进行测试,激光照射后颜色由深蓝变黄;然后利用显微Raman光谱仪对其光致变色机理进行了研究,激光照射后的光谱图中出现了明显的TCNQ分子的特征中性峰。如照射时间较长,超过30s,则TCNQ分子特征峰又消失。因此Raman测试结果证明单根Ag(TCNQ)微/纳米结构具有明显可逆的光致变色特性。
- 曹冠英方方莫晓亮叶春暖邢晓艳徐华华孙大林陈国荣
- 关键词：物理电子学光致变色RAMAN光谱
- K(TCNQ)纳米花簇的场发射性质研究
- 本文介绍了在真空条件下,通过饱和蒸汽反应来制备K(TCNQ)纳米花簇的方法,并对其进行了XRD、Ra-mn光谱分析,研究了其场发射性质。
- 邢晓艳叶春暖方方曹冠英孙大林陈国荣
- 文献传递
- 基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电特性研究被引量：6
- 2008年
- 本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法,用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌,测试了它的输出特性曲线和转移特性曲线。当Vds=2 V时,测得场效应管的开启电压Vgt=-16.2 V;计算得到低频跨导gm=46.6nS。在Vgs=0 V时,测得一维ZnO纳米线的载流子浓度n=1.15×108cm-1,电子迁移率μe=14.4 cm2/Vs,电导率σ=0.26Ω-1cm-1。该场效应管的上限截止频率fH=1585 Hz,漏源极间电容C=25.4 pF。本文还对基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电灵敏度和光电时间响应进行了测试分析。
- 李静雷郑凯波沈浩■邢晓艳孙大林陈国荣
- 关键词：氧化锌纳米线场效应管频率响应
- 氧化锌一维纳米结构材料的制备与应用研究
- 氧化锌(ZnO)是一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，由于其优良的物性，ZnO材料在光电、压电、气敏、压敏等领域有着广阔的应用前景。优良的性能和广泛的应用使人们对各种．ZnO材料的制备生长和性能研究保持着浓厚的兴趣。随着宽带隙...
- 邢晓艳
- 关键词：氧化锌纳米晶须场发射灵敏度纳米材料
- 文献传递
- 金属有机配合物Ag（TCNQ）纳米线的场发射性质
- 采用蒸气输运反应法在不同温度下制备了Ag（TCNQ）纳米线阵列薄膜,本文初步对其场发射性能进行了研究。实验发现,该Ag（TCNQ）纳米线阵列的场致发射具有Fowler-Nordheim的指数特征,达到10 μA/cm2的...
- 叶春暖曹冠英方方邢晓艳孙大林陈国荣
- 关键词：金属有机配合物场发射开启电场
- 一种具有自取向极化效应的有机光折变体系
- 2005年
- 在用真空热压-饱和蒸汽扩散法制备的PVK-PBA/DR1/TNF有机聚合物体系中,观察到了无外电场作用下的较强的光折变效应。通过对样品的双波耦合、四波混频实验中,改变电场强度、电场方向或不加外电场而只改变光强,观察到的衍射效率的变化情况以及测量样品在单纯光照诱导下的光学非线性系数等一系列实验,可以认为光照时在该有机聚合物体系中由DR1分子两端的推、吸电子基团与光生分离的正负电荷相互作用而引发了“自极化”,从而产生周期性空间电场,最终产生自增强光折变效应。另外进行了图象存储实验,获得了理想的结果。本研究对发展零外场聚合物光折变体系有重要的参考意义。
- 杨剑方方徐华华邢晓艳孙大林陈国荣李潞瑛赵有源
- 关键词：光电子学光折变效应二波耦合四波混频
- 金属有机配合物的纳米一维结构研究
- 陈国荣徐华华曹冠英余剑萍郑凯波叶春暖邢晓艳沈浩颋
- 纳米一维结构材料与器件是纳米技术中的研究热点。除众所周知的碳纳米管外，人们研制了许多碳化物、金属氧化物（如ZnO、MgO等），金属纳米线，半导体（Ⅲ-Ⅴ族及硅、锗）的纳米线。迄今，在纳米线的制备方法、尺寸和形貌的调控、选...
- 关键词：
- 关键词：金属有机配合物
- 金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线的场发射性质
- 采用蒸气输运反应法在不同温度下制备了Ag(TCNQ)纳米线阵列薄膜,本文初步对其场发射性能进行了研究.实验发现,该Ag(TCNQ)纳米线阵列的场致发射具有Fowler-Nordheim的指数特征,达到10μA/cm2的发...
- 叶春暖曹冠英方方邢晓艳孙大林陈国荣
- 关键词：金属有机配合物AG纳米线开启电场
- 文献传递
- K（TCNQ）纳米花簇的场发射性质研究
- 本文介绍了在真空条件下,通过饱和蒸汽反应来制备K（TCNQ）纳米花簇的方法,并对其进行了XRD、Raman光谱分析,研究了其场发射性质。
- 邢晓艳叶春暖方方曹冠英孙大林陈国荣
- 关键词：场发射
- 基于p^+-Si与n-ZnO纳米线的p-n异质结的制备及其性质研究被引量：3
- 2006年
- 利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5 V,反向饱和电流为0.02 mA。计算了异质结的理想因子η,发现当异质结两端偏压在0 V^0.3 V的低压区域,理想因子为1.85,而在0.3 V^0.8 V的高偏压区域,理想因子为8.36。解释了理想因子偏高的原因是由于金属-半导体接触以及ZnO纳米线与p+-Si界面存在缺陷。
- 郑凯波邢晓艳徐华华方方沈浩颋张晶朱健叶春暖孙大林陈国荣
- 关键词：氧化锌纳米线异质结
