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郑雪峰

作品数：240 被引量：81H指数：6
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 216篇专利
  • 21篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 85篇电子电信
  • 5篇文化科学
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 60篇势垒
  • 48篇晶体管
  • 47篇电极
  • 44篇氧化镓
  • 39篇场板
  • 38篇势垒层
  • 38篇击穿电压
  • 37篇二极管
  • 35篇异质结
  • 33篇迁移率
  • 33篇肖特基
  • 32篇欧姆接触
  • 31篇ALGAN/...
  • 30篇电子迁移率
  • 29篇电阻
  • 26篇HEMT器件
  • 25篇淀积
  • 25篇栅电极
  • 23篇增强型
  • 21篇高电子迁移率

机构

  • 239篇西安电子科技...
  • 2篇中国空间技术...
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院近...
  • 1篇中华人民共和...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 239篇郑雪峰
  • 225篇郝跃
  • 209篇马晓华
  • 77篇何云龙
  • 69篇王冲
  • 40篇陆小力
  • 34篇冯倩
  • 34篇代波
  • 34篇杜锴
  • 25篇曹艳荣
  • 22篇毛维
  • 21篇杜鸣
  • 20篇董良
  • 18篇马佩军
  • 17篇吕玲
  • 15篇张进成
  • 15篇张方
  • 14篇刘红侠
  • 14篇张春福
  • 13篇杨翠

传媒

  • 7篇物理学报
  • 3篇Journa...
  • 2篇西安电子科技...
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 1篇科学通报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇空间电子技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇计算机教育
  • 1篇装备环境工程
  • 1篇高教学刊

年份

  • 10篇2025
  • 12篇2024
  • 17篇2023
  • 32篇2022
  • 24篇2021
  • 20篇2020
  • 27篇2019
  • 12篇2018
  • 25篇2017
  • 17篇2016
  • 6篇2015
  • 26篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
共 240 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
结合材料与器件测试分析技术的半导体器件物理建模方法
本发明公开了一种结合材料与器件测试分析技术的半导体器件物理建模方法，包括：根据待进行物理建模的半导体器件的基本材料和结构，在半导体工艺模拟以及器件模拟工具软件中构建理想仿真模型；基于电特性测试与材料表征分析技术获取半导体...
蒋伟博李园马晓华郑雪峰赵元富郝跃
基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件及其制作方法
本发明公开了一种基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，沟道层和势垒层的两侧刻...
毛维杨翠艾治州郝跃郑雪峰
基于p型氧化镍-氮化硅绝缘层-n型氧化镓结构的二极管及制备方法
本发明公开了一种基于p型氧化镍‑氮化硅绝缘层‑n型氧化镓结构的二极管及制备方法，主要解决现有肖特基二极管正向电流密度及反向击穿电压面向大功率下的应用效果差的问题。其由下至上包括阴极欧姆金属层、重掺杂氧化镓衬底、轻掺杂外延...
郑雪峰洪悦华潘嫒灵何云龙张翔宇苑子健马晓华郝跃
结型栅-漏功率器件
本发明公开了一种结型栅‑漏功率器件，主要解决现有功率开关器件存在阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、栅槽(4)、漏槽(5)、P型层(6)、栅柱(7)、N型漏柱(8)...
毛维高北鸾杨翠马佩军张金风郑雪峰王冲张进成马晓华郝跃
一种氧化镓薄膜材料结构及其外延生长方法
本发明公开了一种氧化镓薄膜材料结构及其外延生长方法，主要解决现有氧化镓外延薄膜质量差的问题，其外延生长方案是：使用酸和有机溶液对衬底进行超声清洗，以去除衬底上的杂质；利用Sputter设备在清洗后的衬底表面生长一层氧化铁...
何云龙陆小力马晓华郑雪峰郝跃
基于垂直测试图形的有源区方块电阻测试方法
本发明公开了一种基于垂直测试图形的有源区方块电阻测试方法。其方案是：1.制备一组横向与纵向垂直交叉的欧姆接触测试图形，横向测试图形中包括第一电极、第三电极，纵向测试图形中包括第二电极、第四电极；设该横向与纵向测试图形的交...
郑雪峰李小炜侯晓慧王颖哲王奥琛王冲马晓华郝跃
圆形电容结构的HEMT器件沟道区电场分布测量结构和方法
本发明公开了一种HEMT器件沟道区电场分布测试图形及其制备方法、测试方法，应用于圆形电容结构的HEMT器件，主要解决现有技术不能对HEMT器件沟道电场强度分布进行测量的的问题。其实现方案是：在待测HEMT器件上制作辅助测...
郑雪峰马晓华龚星星张豪王冲吕玲马佩军郝跃
一种低开启电压的氧化镓肖特基二极管制备方法
本发明公开了一种低开启电压的氧化镓肖特基二极管的制备方法，主要解决现有方法制作的氧化镓肖特基二极管的开启电压高的问题，其实现方案为：对氧化镓衬底进行清洗；对清洗后的氧化镓衬底表面进行表面修复的预处理，采用氢化物气相外延技...
郑雪峰洪悦华何云龙张方张翔宇陆小力马晓华郝跃
一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管
本发明涉及一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底、位于衬底上的缓冲层和位于缓冲层上的沟道层；位于沟道层上的复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层；位于第一势垒层上的阴极；位于第二势垒层上...
郑雪峰马晓华郝跃白丹丹
表面态陷阱对器件输出特性影响的测量方法
本发明公开了一种表面态陷阱对器件输出特性影响的测量方法，主要解决目前无法单独测量表面态陷阱对器件输出特性影响的问题；其实现方案是：首先在被测器件的源极和漏极之间再新制作一个栅极，形成双栅结构；再测量器件的输出电流；接着对...
郑雪峰王士辉吉鹏董帅帅王颖哲马晓华郝跃
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