郜小勇
- 作品数：86 被引量：268H指数：10
- 供职机构：郑州大学物理工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 微晶硅薄膜甚高频高速沉积初期的生长控制
- 采用拉曼光谱、椭圆偏振光谱和原子力显微镜分析了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)微晶硅(μc-si：H)薄膜的初期生长特性。研究发现在生长初期，由于硅烷的逆扩散和玻璃表面的非晶诱导作用使得在薄膜和玻璃界...
- 陈永生杨仕娥谷锦华郜小勇卢景霄王英君
- 关键词：微晶硅薄膜
- 文献传递
- 透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究被引量：1
- 2007年
- 本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大。通过I-V测试仪测试了ZnO:Al/p-Si:H、SnO2/p-Si:H和SnO2/ZnO:Al/p-Si:H的接触特性,结果显示ZnO:Al/p-Si:H的接触特性并不比SnO2/p-Si:H差。
- 吴芳王海燕卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健
- 关键词：透明导电膜晶化率
- H_2稀释在PECVD法制备微晶硅薄膜中的影响被引量：3
- 2006年
- 利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了H稀释度D=H 2/(H 2+SiH 4)对在玻璃和不锈钢衬底上低温制备微晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸、薄膜质量等的影响。结果表明,随着硅烷浓度的降低,样品的晶化率、晶粒尺寸有所改变。当D=99%时,晶粒突然变大,晶化率显著提高。因此,我们认为此时的硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。
- 王生钊卢景霄王红娟刘萍陈永生张丽伟杨仕娥郜小勇
- 关键词：PECVD微晶硅薄膜
- 可见光波段的一维光子晶体的理论设计被引量：8
- 2006年
- 利用传输矩阵,计算了Si/KCl、Si/TiO2、TiO2/MgF2三种典型的具有λ/4波片堆结构的可见光波段的一维光子晶体的反射率,并且研究了折射率比、周期数和入射角对一维光子晶体特性的影响。结果表明,可见光波段的一维光子晶体的周期的增大会使禁带中心红移、绝对带宽和相对带宽扩展;相对带宽随着折射率比的增大而增大,但依靠提高折射率比来提高一维光子晶体的相对带宽有限。该研究结果对可见光波段的一维光子晶体的实用制备具有理论指导意义。
- 郜小勇董晓慧刘绪伟赵剑涛
- 关键词：传输矩阵光子晶体相对带宽
- Al纳米颗粒增强微晶硅薄膜太阳电池光吸收的模拟研究被引量：5
- 2015年
- 利用价格低廉、性能优良的金属纳米颗粒增强太阳电池的光吸收具有广阔的应用前景.通过建立三维数值模型,模拟了微晶硅薄膜电池前表面周期性分布的Al纳米颗粒阵列对电池光吸收的影响,并对其结构参数进行了优化.模拟结果表明:对于球状Al纳米颗粒阵列,影响电池光吸收的关键参数是周期P与半径R的比值,或者说是颗粒的表面覆盖度;当P/R=4—5时,总的光吸收较参考电池提高可达20%.与球状颗粒相比,优化后的半球状Al纳米颗粒阵列可获得更好的陷光效果,但后者对颗粒半径R的变化较敏感.另外,结合电场分布,对电池光吸收增强的物理机理进行了分析.
- 丁东杨仕娥陈永生郜小勇谷锦华卢景霄
- 关键词：表面等离激元太阳电池
- 几种光电功能薄膜的光学和磁光性质研究
- 该文利用椭圆偏振光谱技术并辅助其它测量手段,对氧化银、氮化镓和氮化碳三种光学薄膜的结构、光学和光致发光性质作了深入研究,并用宏观物理模型对实验结果进行了分析和解释.还利用实验室研制的磁光克尔系统对Ag(3nm)/TbFe...
- 郜小勇
- 关键词：椭圆偏振X射线光电子谱金属有机化学气相沉积光致发光电子回旋共振
- 磁控溅射制备TbFeCo薄膜及其光学和磁光性质研究被引量：2
- 2004年
- 采用放电等离子烧结(SPS)TbFeCo合金靶,分别在Si衬底和K9玻璃衬底上磁控溅射制备了磁光薄膜TbFeCo/Si和TbFeCo/K9;利用扫描型可变入射角全自动椭偏仪,室温下测量了复介电常数谱,测量结果表明两样品介电函数值有较大差异,说明衬底对薄膜的光学性质有重要影响.用磁光Kerr谱仪,在室温下分别测量了TbFeCo薄膜的极向Kerr回线和横向Kerr回线,发现所制备TbFeCo薄膜不具有垂直磁化性质,而呈现出面内磁化性质.
- 张晋敏郜小勇李晶周鹏郑玉祥王松有张冬青陈良尧
- 关键词：磁光薄膜椭偏光谱
- 硅太阳电池稳步走向薄膜化被引量：22
- 2006年
- 考察了硅太阳电池在光伏产业中所处的地位,分析了薄膜硅太阳电池的发展趋势。指出硅太阳电池在未来15a仍将保持优势地位,并继续沿着晶硅电池和薄膜硅电池两个方向发展。在此发展过程中,两个发展方向的主流很可能会汇合到一起,共同促使低成本、高效率、高可靠薄膜晶硅电池的诞生和产业化,从而继续保持硅太阳电池的优势地位。
- 卢景霄张宇翔王海燕靳锐敏张丽伟陈永生郜小勇杨仕娥
- 关键词：硅太阳电池
- 磷掺杂对纳米硅薄膜输运性质的影响被引量：1
- 2007年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征和掺磷纳米硅薄膜,并利用Raman散射谱和电导率谱对比研究了磷掺杂对纳米硅薄膜的电子输运性质的影响。研究结果表明影响本征纳米硅电导率的主导因素是载流子的迁移率,而自由载流子浓度影响有限;影响掺磷纳米硅薄膜电导率的因素既包括磷掺杂产生的自由载流子,又包括迁移率,其输运过程可用量子点隧穿(HQD)模型合理解释。少量掺磷会促进晶化,但过量掺磷会引起晶格畸变,不利于晶化率和电导率的提高。
- 刘绪伟郜小勇赵剑涛陈永生杨仕娥谷锦华卢景霄
- 关键词：化学气相沉积纳米硅晶化率
- 真空热退火温度对单相Ag_2O薄膜微结构和光学性质的影响被引量：1
- 2011年
- 利用直流磁控反应溅射技术在玻璃衬底上沉积了单相Ag2O薄膜,并采用真空热退火对单相Ag2O薄膜在不同热退火温度(TA)下进行了1h热处理.利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜和分光光度计研究了TA对单相Ag2O薄膜微结构和光学性质的影响.研究结果表明,TA=300℃时Ag2O薄膜中开始出现Ag纳米颗粒,且随着TA的升高薄膜中Ag的含量明显增加.特别是当TA=475℃时Ag2O相完全转化为Ag.随着TA的升高,薄膜的表面形貌发生了由致密到疏松的结构演变.薄膜微结构的变化显示在真空热退火过程中伴随着Ag2O相热分解为Ag和O原子及O原子在体内的扩散和从表面的逃逸过程.薄膜的透射率、反射率和吸收率随TA的变化归结于热退火过程中Ag2O的热分解和薄膜结构的演变.
- 张增院郜小勇冯红亮马姣民卢景霄
- 关键词：微结构光学性质
