您的位置： 专家智库 > >

金朝

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇电器件
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇多波长
  • 2篇压电
  • 2篇压电器件
  • 2篇阻挡层
  • 2篇微米
  • 2篇微米级
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇聚二甲基
  • 2篇聚二甲基硅氧...
  • 2篇甲基
  • 2篇二极管
  • 2篇二甲基
  • 2篇二甲基硅氧烷
  • 2篇发光

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇边历峰
  • 4篇金朝
  • 2篇文燎勇
  • 2篇朱建军
  • 2篇邵铮铮
  • 2篇范亚明

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
多波长发光二极管及其制备方法
本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，涉及半导体材料与器件技术领域。本发明提供的多波长发光二极管包括一衬底、一缓冲层、一第一氮化镓层、一第二氮化镓层、一具有台阶化量子阱柱状结构的有源区、一电子阻挡层、一第三氮化镓层；本...
金朝范亚明朱建军边历峰
文献传递
一种纳米线压电器件的制作方法
本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法，利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列；再采用微米级或纳米级光刻法，在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和漏极；最后在源极和漏极一侧添设连接用的接...
文燎勇邵铮铮金朝边历峰
一种纳米线压电器件的制作方法
本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法，利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列；再采用微米级或纳米级光刻法，在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和漏极；最后在源极和漏极一侧添设连接用的接...
文燎勇邵铮铮金朝边历峰
文献传递
多波长发光二极管及其制备方法
本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，涉及半导体材料与器件技术领域。本发明提供的多波长发光二极管包括一衬底、一缓冲层、一第一氮化镓层、一第二氮化镓层、一具有台阶化量子阱柱状结构的有源区、一电子阻挡层、一第三氮化镓层；本...
金朝范亚明朱建军边历峰
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0