钱伟
- 作品数：4 被引量：12H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 1-mm SiC多指栅微波功率器件研究
- 本文通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出了可行的工艺流程,并且制造出单栅宽100um,总栅宽1mm,栅长0.8um的n沟道4H-SiCMESFET,其微波特性测试结果:在2GHz、Vds=30V时,最大输出功率为1....
- 陈刚钱伟陈斌柏松
- 关键词：微波器件场效应管碳化硅
- 文献传递
- 硅微波功率管键合失效机理分析被引量：1
- 2014年
- 硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键合失效。通过加厚焊盘镀金层,避免了金丝对介质层的冲击,提高了硅功率管的键合质量及成品率。
- 钱伟严德圣丁晓明周德红刘雪高群蒋幼泉
- 关键词：键合
- 1mm SiC多指栅微波功率器件
- 2006年
- 研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19%,漏极效率为28.7%.
- 陈刚钱伟陈斌柏松
- 关键词：金属半导体场效应管微波宽禁带半导体
- P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制被引量：11
- 2011年
- 报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,485～606 MHz全带内输出功率达到450 W,增益大于18 dB,效率大于60%。
- 王佃利李相光严德圣丁小明刘洪军钱伟蒋幼泉王因生
- 关键词：硅脉冲场板
