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门传玲

作品数：64 被引量：115H指数：6
供职机构：上海理工大学能源与动力工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇期刊文章
  • 12篇专利
  • 8篇会议论文

领域

  • 19篇一般工业技术
  • 15篇电子电信
  • 13篇电气工程
  • 7篇理学
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  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 22篇纳米
  • 12篇电池
  • 11篇碳纳米管
  • 11篇纳米管
  • 9篇电容
  • 9篇太阳能电池
  • 8篇石墨
  • 8篇太阳能
  • 7篇电容器
  • 7篇超级电容
  • 7篇超级电容器
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  • 6篇ALN薄膜
  • 5篇电极
  • 5篇电极材料
  • 5篇离子束
  • 5篇离子束增强沉...
  • 5篇溅射
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机构

  • 49篇上海理工大学
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  • 5篇复旦大学
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  • 2篇中国科学院宁...
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  • 1篇华东师范大学
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  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇常州聚和新材...

作者

  • 64篇门传玲
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  • 7篇邸江涛
  • 7篇张华
  • 7篇安正华
  • 5篇田子傲
  • 5篇曹敏
  • 5篇安正华
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  • 4篇邓闯
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  • 4篇谢欣云
  • 4篇张清华
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  • 3篇林青
  • 3篇张苗

传媒

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  • 2篇山东化工
  • 2篇物理
  • 2篇功能材料
  • 2篇能源工程
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇半导体光电
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  • 1篇化工新型材料
  • 1篇电化学
  • 1篇大众科技
  • 1篇河南大学学报...
  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇同济大学学报...
  • 1篇电源技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 4篇2019
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  • 4篇2017
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  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2003
共 64 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的电子束制备法
本发明涉及一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备方法，在真空条件下，将CdS粉末通电加热后采用升华的方式蒸发沉积到衬底上形成CdS薄膜，具体步骤为：选择玻璃、不锈钢金属箔或硅片作为衬底，将其放入50～100℃含有表面活...
门传玲曹敏朱德明曹军邓闯张华
文献传递
新能源汽车超级电容器电极的制备研究被引量：2
2015年
通过气相沉积法成功地原位合成了膨胀石墨/碳纳米管复合材料,利用扫描电镜、拉曼光谱和X射线衍射仪确定得到碳纳米管插层的膨胀石墨三维多孔复合结构,并通过循环伏安法、交流阻抗法和恒流充放电等对其电化学性能进行测试。结果表明,膨胀石墨/碳纳米管在1 m V/s扫速速率下的比电容达到149.5 F/g,且倍率性能表现出色;同时1 000次充放电后比电容仍保持94%,具有很好的循环寿命,并能保持96%-99%的高充放电效率,功率性能高。
李振鹏门传玲吴洁贾智强
关键词：膨胀石墨碳纳米管复合材料超级电容器
热蒸发法制备硫化镉(CdS)多晶薄膜及性能研究被引量：3
2013年
采用热蒸发法在50℃、100℃、150℃这3种不同的基底温度下沉积CdS薄膜,且对150℃生长的CdS薄膜取样进行退火处理30min,并对所有样品的微观结构和光学特性进行了分析。结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均具有(002)择优取向生长的特征,且随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小,相应薄膜结晶度增大,有利于晶粒的生长。最终发现,150℃生长且经过退火处理的薄膜具有较为明显的六方相CdS多晶薄膜结构和较优的光学性能,能满足高效CIGS薄膜电池中缓冲层材料的基本要求。
邵秋萍张华门传玲田子傲安正华
关键词：CDS薄膜热蒸发
全透明低回滞s-SWCNT/AgNW薄膜晶体管的可控制备
2018年
利用高纯度、高均一性的半导体型单壁碳纳米管(s-SWCNT)网络薄膜作为薄膜晶体管的沟道材料,以高透明度、低薄膜电阻的银纳米线(Ag NW)网络薄膜作为源、漏电极,在玻璃基底上制备了大面积、高透明度的碳纳米管薄膜晶体管阵列,并使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜在器件表面通过干法封装获得了较低回滞的电子器件,得到了整体透明度达到82%以上的器件。提出的器件制备方法不仅制备材料易得,不需要高温过程,而且能够实现器件的大面积制备,对碳纳米管薄膜晶体管的全透明柔性化进程具有推进作用。
吕前进余小芹吕正霞高冰张小品邱松金赫华门传玲李清文
关键词：银纳米线
AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积被引量：2
2005年
研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质。结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构。随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升。AlN晶粒呈柱状生长机制。
丁艳芳门传玲陈韬朱自强林成鲁
关键词：微结构
溶胶-凝胶法制备超级电容器纳米电极材料
采用溶胶-凝胶法制备超级电容器用纳米氧化锰电极材料.借助X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)手段对样品进行测试和表征.结果显示产物的主晶相是γ-MnO2.粒径分布均匀,约在20 nm左右.在2 mol/L(NH...
门传玲张清华
关键词：溶胶-凝胶氧化锰电极材料
文献传递
有源层厚度对氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的影响被引量：3
2016年
使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响。实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大而减小,而器件的亚阈值摆幅和饱和迁移率则会随有源层厚度的增大而增大。此外,还研究了有源层厚度对器件偏压稳定性的影响。有源层厚度越大的器件,其阈值电压漂移也会越大。这主要与半导体层中所增加的缺陷态密度有关。
吴捷门传玲
关键词：薄膜晶体管有源层厚度氧空位
不锈钢钝化工艺
一种不锈钢钝化工艺的步骤：对不锈钢进行机械抛光；常温下，不锈钢被放进除油溶液中浸泡10-15分钟去除其表面油污；再被放进酸洗溶液中浸泡6-8分钟来去除不锈钢表面的氧化皮和锈蚀物；接着被放进由H<Sub>3</Sub>PO...
门传玲王婉张华
文献传递
碳纳米管/聚酰亚胺三明治夹层泡沫的制备及其电磁屏蔽性能被引量：1
2022年
以高弹性碳纳米管泡沫为基础材料,首先制备出高耐热性的碳纳米管/聚酰亚胺薄膜,设计并制备得到以碳纳米管泡沫为芯材、碳纳米管/聚酰亚胺薄膜为板材结构的三明治夹层泡沫。对其结构形貌、压缩性能、导电性、电磁屏蔽性能及热稳定性进行了测试和表征,结果表明:通过改变碳纳米管/聚酰亚胺薄膜的厚度,最终复合泡沫压缩强度可达88.2 kPa,电导率为675 S/m,在X波段的电磁屏蔽效能达到88.3 dB。三明治夹层结构的设计在提升电磁屏蔽性能的同时,也增强了材料的机械性能和耐热性,为设计和制造高电磁屏蔽和优异耐热性的材料提供了一种可行的方法。
陶青威门传玲胡东梅
关键词：聚酰亚胺电磁屏蔽热稳定性
脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究被引量：2
2006年
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了A lN薄膜。X射线衍射(XRD)结果证实制备的A lN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善。电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长的A lN薄膜的击穿场强约2.5MV/cm,同时呈现明显的极化现象(类铁电),对应矫顽场强为150kV/cm,剩余极化为0.002C/m2。晶态A lN存在较强的自发极化,薄膜中可动电荷密度高,据此提出了动态电荷模型,指出较大的A lN薄膜极化回线是由于可动电荷在电场中的再分布形成的,因而有别于铁电材料。
门传玲林成鲁
关键词：ALN薄膜极化电学性能
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