闵嗣桂
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信更多>>
- 砷碲玻璃的析晶研究及其结构探讨被引量：1
- 1990年
- 借助于各种热处理技术、DSC和XRD方法,研究了砷碲系玻璃的析晶过程。实验结果表明:砷蹄系统的玻璃转业点T_e和初始析晶温度T_(er)随砷浓度增加而升高,而析晶速率则减慢;在较低温度(T≥T_3)或析晶初期,得到的晶相基本上均为具有NaCl型结构的亚稳态晶体AsTe,而在高温或析品末期,得列的均为相图平衡相晶体。本文在实验基础上,提出一个新的砷碲玻璃的结构模型。认为砷碲玻璃的结构网络是由砷碲原子比相等的结构基团或局域单元联缀而成。它们基本上是类似于As_4S_4的As_4Te4结构或其它的复合形式。余下的砷或碲分布在其间并把它们相互连接起来。
- 张伟达闵嗣桂杨涵美
- 关键词：硫系玻璃析晶
- 超化学剂量Sb_2Se_3的Sb对Sb-Se系统非晶半导体晶化行为的影响
- 1992年
- 本文采用 DSC、XRD、TEM 和瞬态反射率 R—温度 T,分析了 Sb_2Se_3,SbSe 和 Sb_3Se_2薄膜的非品析晶过程,研究了超化学计量 Sb_2Se_3的 Sb 对晶化行为的影响,发现晶体形貌和析品速率随着超量 Sb 的增加而变化。在薄膜中,Sb 起着晶核作用,加快析晶速率。
- 骆强闵嗣桂张干城陈菊芳
- 关键词：非晶态半导体铯锑晶化
- 掺杂卤素对非晶态As_2Se_3中隙态的影响
- 1992年
- 本文研究的卤素掺杂非晶态 As_2Se_3中电子能级结构、发现材料的费米能级 E_F、深陷阱密度 N_P 以及ημτ输运参数值强烈地依赖于卤素的电负性,从中展示了在隙态中卤素浅能级的相对位置。
- 张干城范志岳闵嗣桂
- 关键词：硒砷半导体掺杂非晶态
- 添加剂Ge、Te对Se基玻璃物理性质的影响
- 杨涵美王为忠闵嗣桂
- 关键词：物理性质试验透光度电阻率测量玻璃析晶硫系玻璃
- 硫系玻璃进展
- 闵嗣桂
- 关键词：玻璃结构硫系玻璃半导体玻璃缺陷光电导性玻璃析晶硫系玻璃
- Ge,Te量的变化及卤素掺杂剂对Se基玻璃静电复印特性的影响
- 1990年
- 本文研究了Ge-Te-Se系统玻璃组成与静电复印特性的关系,给出作为复印材料使用的较合适的基础玻璃组成范围.同时,还研究了卤素掺杂剂对复印特性的影响,发现BiI_3在Ge_1Te_(1.5)Se_(97.5)玻璃中掺杂可降低残余电位,疲劳也不明显。
- 王为忠杨涵美闵嗣桂
- 关键词：复印卤素掺杂
