张旭
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Si基IV族光电器件的研究进展(一)—激光器被引量：3
- 2014年
- Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,是解决Si基集成电路发展瓶颈的一个重要途径。在Si基光互连的关键器件中,除了Si基高效光源以外,其他的器件都已经实现。同为IV族元素的Ge具有独特的准直接带隙的能带结构,有望通过能带工程等手段实现高效发光。近年来,Si基IV族发光材料和发光器件有了许多重要进展。回顾了Si基IV族发光材料和发光器件的最新成果,如Si衬底上张应变的Ge、Ge发光二极管及激光器、GeSn发光器件,并对结果进行了讨论。最后展望了Si基IV族激光器的发展趋势。
- 刘智张旭何超黄文奇薛春来成步文
- 关键词：发光二极管激光器发光
- Si基Ⅳ族异质结构发光器件的研究进展被引量：2
- 2015年
- Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题.在Si基光互连的关键器件中,除了Si基光源尚未得到解决,其他器件都已经实现,因此Si基可集成高效光源具有十分重要的研究意义.同为Ⅳ族元素的Ge和GeSn因其与Si的可集成性及其独特的能带结构有望成为Si基光电集成回路中的光源.虽然Ge是间接带隙材料,但通过引入张应变、n型重掺杂,或者引入Sn形成GeSn合金等能带工程手段来提高发光效率.近年来,Si基Ⅳ族发光材料和发光器件有许多重要进展,本文就Si基Ge,GeSn材料发光研究中的几个关键技术节点——应变工程、掺杂技术、理论模型和器件研究——回顾了近几年国际和国内的研究进展,并展望了Si基Ⅳ族激光器的发展趋势.
- 何超张旭刘智成步文
- 关键词：SI基发光器件
