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尚靖

作品数：14 被引量：1H指数：1
供职机构：国防科学技术大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 12篇存储器
  • 7篇非易失性
  • 7篇非易失性存储
  • 7篇非易失性存储...
  • 6篇低功耗
  • 6篇功耗
  • 5篇非易失存储器
  • 4篇多晶
  • 4篇氧化层
  • 4篇栅结构
  • 4篇标准CMOS...
  • 4篇超低功耗
  • 3篇信号
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 3篇隧穿
  • 2篇电路
  • 2篇电平转换
  • 2篇电平转换器
  • 2篇转换器

机构

  • 14篇国防科学技术...
  • 2篇湖南晟芯源微...

作者

  • 14篇尚靖
  • 11篇李聪
  • 11篇李建成
  • 11篇李文晓
  • 10篇吴建飞
  • 9篇王震
  • 8篇曾祥华
  • 6篇郑黎明
  • 4篇李松亭
  • 4篇王宏义
  • 2篇谷晓忱
  • 1篇王震
  • 1篇徐顺强

传媒

  • 1篇计算机工程与...

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 6篇2015
  • 3篇2014
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种单多晶非易失存储器的存储单元
本发明公开了一种单多晶非易失存储器的存储单元，包括控制管、隧穿管、选择管和浮栅，控制管为一个面积较大的PMOS管，用于将控制管上的电压耦合到浮栅上去，控制管的N阱与源极相连接，其栅极与浮栅相连；隧穿管为没有漏区或者源区，...
尚靖李建成李聪李文晓王震王宏义谷晓忱郑黎明李浩
一种电平转换器
本发明公开了一种电平转换器，包括第一支路和第二支路，第一支路和第二支路的结构是对称的，第一支路和第二支路的选择信号是互补的，输出结果也是对称的，该电路接收信号高电压POSV＝10V，电源电压1.5V以及参考电压GND。该...
李建成王震李聪尚靖李文晓郑黎明曾祥华吴建飞李松亭
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基于标准CMOS工艺的超低功耗非易失性存储器
本发明公开了一种基于标准CMOS工艺的超低功耗非易失性存储器，它的编程和擦除操作均利用FN隧穿效应完成，解决功耗高的问题，缩小了存储单元结构的面积，包括多个存储单元，每个存储单元包括五个晶体管，分别为：控制管、第一读取管...
李建成李文晓李聪尚靖王震曾祥华吴建飞王宏义
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基于标准工艺的超低功耗非易失性存储器
本发明公开了一种基于标准工艺的超低功耗非易失性存储器，包括多个存储单元，其特征在于：每个存储单元包括两个不同的模块，模块A由控制管MA01、第一隧穿管MA02、第一读取管MA03和选择管MA04四个晶体管连接构成；模块B...
李文晓李建成李聪尚靖王震郑黎明曾祥华吴建飞
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一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法
本发明属于半导体技术领域的半导体器件模拟与测试技术，公开了一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法，包括：步骤1：采用单栅极场效应晶体管电容的测试方法，将源极、漏极、第二栅极接地，在第一栅极上加偏置和交流信号，测出第一栅极对...
李建成徐顺强李聪尚靖李文晓吴建飞曾祥华郑黎明
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标准CMOS工艺下面向超高频电子标签芯片的非易失存储器研究与实现
目前，超高频电子标签芯片作为物联网中的关键元件在全球得到了广泛的应用，是当前人们研究的焦点。超高频电子标签芯片的核心之一是非易失存储器，标准CMOS工艺的非易失存储器以其成本低、功耗小等的优势成为国际上超高频电子标签芯片...
尚靖
关键词：非易失存储器标准CMOS工艺电子标签芯片设计
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一种单多晶非易失存储器的存储单元
本发明公开了一种单多晶非易失存储器的存储单元，包括控制管、隧穿管、选择管和浮栅，控制管为一个面积较大的PMOS管，用于将控制管上的电压耦合到浮栅上去，控制管的N阱与源极相连接，其栅极与浮栅相连；隧穿管为没有漏区或者源区，...
尚靖李建成李聪李文晓王震王宏义谷晓忱郑黎明李浩
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基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器
本发明公开了一种基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器，它的编程和擦除操作均利用FN隧穿效应完成，解决功耗高的问题，缩小了面积，包括多个存储单元，每个存储单元由模块A和模块B组成，模块A由第一增压管AM1、第二增...
李建成李文晓李聪尚靖王震吴建飞王宏义谷晓忱李松亭
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一种提高MOS管击穿电压的结构
本发明公开了一种提高MOS管击穿电压的结构，包括具有第一掺杂类型的硅衬底，所述硅衬底上设置有阱区，所述阱区内设置有源区和漏区，所述源区与漏区之间形成沟道，所述阱上设置有多晶，所述硅衬底与多晶之间形成氧化层；所述阱区内为第...
李建成尚靖李聪李文晓王震郑黎明曾祥华吴建飞
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基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器
本发明公开了一种基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器，它的编程和擦除操作均利用FN隧穿效应完成，解决功耗高的问题，缩小了面积，包括多个存储单元，每个存储单元由模块A和模块B组成，模块A由第一增压管AM1、第二增...
李建成李文晓李聪尚靖王震吴建飞王宏义谷晓忱李松亭
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