樊艳
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
- 供职机构：唐山学院信息工程系更多>>
- 发文基金：河北省教育厅科学技术研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 《集成电路设计》课程教学改革与探索被引量：2
- 2013年
- 针对《集成电路设计》这门课程实践性强的特点,以集成电路设计流程为主导线,结合主流EDA设计工具,构建了高效的理论教学体系与项目化的实践教学流程,将理论与实际紧密结合,充分发挥学生的主观能动性,提高学生的动手能力。通过近三届学生的教学实践,取得了良好的效果。
- 樊艳
- 关键词：集成电路EDA
- 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究被引量：2
- 2011年
- 为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25μmN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了yM和y，的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3．3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10×10^-6/℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5．2831mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。
- 樊艳王丽侠
- 关键词：带隙参考电压源温度补偿电源抑制比
- ZnS高场电子输运特性的Monte Carlo模拟研究
- 2009年
- 运用Monte Carlo模拟方法计算了ZnS材料的高场电子输运特性。采用非抛物面多能谷模型描述ZnS材料的导带能带结构,该能带结构包含导带的两个能量子带。模拟中电子的散射机制包括声学声子散射,极性光学声子散射,能谷间散射,电离杂质散射和碰撞电离散射等。模拟高场下电子输运特性,碰撞电离是必需考虑的散射机制。模拟计算得到了ZnS材料的电子平均漂移速度、平均电子能量、电子能谷占据数随电场强度变化的关系,以及碰撞电离率随电子平均能量变化的关系。模拟结果与全带Monte Carlo模拟得到的结果吻合得较好,但非抛物线多能谷模型比全带模型计算更简单。
- 郭宝增樊艳
- 关键词：MONTE碰撞电离ZNS
- GaNMOSFET导电沟道载流子输运特性的研究
- 郭宝增师建英刘鑫宫娜樊艳汪祥春张立伟
- 课题对 GaN MOSFET 的导电沟道载流子的输运特性进行了系统深入的研究，主要包括：（1）利用开发的二维 Monte Carlo 模拟程序，研究了 GaN MOSFET 场效应管特性，得到了器件结构参数与器件特性之间...
- 关键词：
- 关键词：载流子电子输运特性场效应管
- ZnS材料电子输运特性的Monte Carlo模拟
- 运用蒙特卡罗（Mome Carlo）方法模拟了ZnS材料电子的输运特性。模拟采用非抛物面多能谷模型描述能带结构，该能带结构包含导带的两个能量子带。模拟步骤主要包括建立 ZnS材料的物理模型、计算散射率、确定电子运动的初始...
- 樊艳
- 关键词：电子输运特性蒙特卡罗方法散射机制
- 文献传递
- 基于TCP/IP与can总线的多路工业控制器被引量：5
- 2010年
- 在工业控制领域,常常需要同时监测或控制多台设备,而控制与监控中心多为PC机,布线也较为复杂,对于被监测设备较多的地方还需要增加PC机数量,这无疑大大增加了成本。现提出一种利用基于嵌入式系统的总线型控制器的方法来解决这个问题,该文介绍了一种TCP/IP与CAN总线的多路控制系统的设计与实现方法。通过分析TCP/IP网络与CAN总线的特点,给出了控制系统中硬件设计方案及软件模块。该方案是以嵌入式网关为基础,向上连接PC机,向下连接现场设备,并实现对设备的监控。
- 王丽侠樊艳唐万伟
- 关键词：TCP/IPCAN总线嵌入式系统
