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文献类型

  • 2篇会议论文
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领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇太赫兹
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  • 1篇小信号等效电...
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  • 1篇倍频器
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机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院国...

作者

  • 3篇邢东
  • 3篇赵向阳
  • 3篇冯志红
  • 2篇张立森
  • 2篇王俊龙
  • 2篇梁士雄
  • 1篇杨大宝

传媒

  • 1篇微波学报

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2016
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
600 GHz高效率二倍频器
2024年
面向空间射电天文等1THz以上太赫兹光谱仪应用,基于GaAs TMIC工艺开发了600GHz高效率二倍频器。该倍频器可直接驱动不加直流偏置的1.2THz混频器。采用固态微波器件与电路全国重点实验室3.5um厚度Ga As薄膜电路制造工艺,肖特基二极管结电容6fF。测试结果表明在612~652GHz频率范围内,输出功率大于1mW,最高输出功率4mW出现在624GHz和636GHz,对应最高倍频效率为11%。
蒋长宏赵向阳吴大勇邢东冯志红
关键词:太赫兹倍频器
太赫兹平面肖特基二极管参数模型研究
通过研究太赫兹平面肖特基二极管结构及材料特性,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了完整的平面二极管高频等效电路参数模型。设计了基于共面波导去嵌方法的二极管在片测试结构,对其在0.1-50GHz、75-110GHz...
赵向阳王俊龙邢东杨大宝梁士雄张立森冯志红
关键词:小信号等效电路模型
太赫兹共振隧穿二极管研究进展
共振隧穿二极管(RTD)是基于量子共振隧穿效应的一种两端负阻器件。当器件工作于负阻区时,共振隧穿二极管可以用作振荡器;当器件工作在负阻区外的强非线性区时,共振隧穿二极管可以用作检测器,因此共振隧穿二极管既可以作为信号发生...
冯志红梁士雄赵向阳张立森王俊龙邢东
关键词:共振隧穿二极管电流峰谷比
共1页<1>
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