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刘雁军
作品数:
6
被引量:0
H指数:0
供职机构:
南京邮电大学
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相关领域:
一般工业技术
电子电信
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合作作者
魏昂
南京邮电大学
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反应釜
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常压
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氧化降解
1篇
乙烯
1篇
制备及性能
1篇
水热法合成
1篇
四氟乙烯
机构
6篇
南京邮电大学
作者
6篇
刘雁军
5篇
魏昂
年份
1篇
2016
2篇
2015
3篇
2014
共
6
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一种低温制备氧化钨纳米线的方法
本发明公开了一种低温制备氧化钨纳米线的方法,涉及纳米材料领域,该制备方法以Na<Sub>2</Sub>WO<Sub>4</Sub>·2H<Sub>2</Sub>O和浓盐酸为原料,在Na<Sub>2</Sub>WO<Sub...
魏昂
刘雁军
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一种低温制备氧化钨纳米线的方法
本发明公开了一种低温制备氧化钨纳米线的方法,涉及纳米材料领域,该制备方法以Na<Sub>2</Sub>WO<Sub>4</Sub>·2H<Sub>2</Sub>O和浓盐酸为原料,在Na<Sub>2</Sub>WO<Sub...
魏昂
刘雁军
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一种纳米材料光降解装置
本实用新型提供一种纳米材料光降解装置,包括:箱体,其中在箱体内壁设有反光层;灯组,设于箱体内顶部,包括至少一组紫外灯和至少一组模拟日光灯;注入口,设于箱体顶部;出口,位于箱体底部;导管,设于箱体内,一端与注入口相连;凹槽...
魏昂
刘雁军
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纳米半导体材料的低温制备及性能研究
WO3和Bi2WO6都是n型半导体材料,其中WO3的禁带宽度为2.4-2.9 eV,Bi2WO6为2.8 eV。其中Bi2WO6是由[Bi2O2]2+层和WO6八面体层交替排列构成的晶体结构,这种层状结构有利于电荷转移,...
刘雁军
关键词:
纳米半导体材料
一种低温制备微纳米钨酸铋的方法
本发明公开了一种低温制备纳米钨酸铋的方法,其制备过程包括以下步骤:以Bi(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O和Na<Sub>2</Sub>WO<Sub>4</Sub>·...
魏昂
刘雁军
文献传递
一种低温制备微纳米钨酸铋的方法
本发明公开了一种低温制备纳米钨酸铋的方法,其制备过程包括以下步骤:以Bi(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O和Na<Sub>2</Sub>WO<Sub>4</Sub>·...
魏昂
刘雁军
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