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刘雁军

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:南京邮电大学更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇水热
  • 4篇水热法
  • 4篇热法
  • 4篇玻璃瓶
  • 2篇普通玻璃
  • 2篇钨酸
  • 2篇钨酸铋
  • 2篇纳米
  • 2篇高压反应釜
  • 2篇反应釜
  • 2篇反应温度
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇常压
  • 1篇灯组
  • 1篇氧化降解
  • 1篇乙烯
  • 1篇制备及性能
  • 1篇水热法合成
  • 1篇四氟乙烯

机构

  • 6篇南京邮电大学

作者

  • 6篇刘雁军
  • 5篇魏昂

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种低温制备氧化钨纳米线的方法
本发明公开了一种低温制备氧化钨纳米线的方法,涉及纳米材料领域,该制备方法以Na<Sub>2</Sub>WO<Sub>4</Sub>·2H<Sub>2</Sub>O和浓盐酸为原料,在Na<Sub>2</Sub>WO<Sub...
魏昂刘雁军
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一种低温制备氧化钨纳米线的方法
本发明公开了一种低温制备氧化钨纳米线的方法,涉及纳米材料领域,该制备方法以Na<Sub>2</Sub>WO<Sub>4</Sub>·2H<Sub>2</Sub>O和浓盐酸为原料,在Na<Sub>2</Sub>WO<Sub...
魏昂刘雁军
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一种纳米材料光降解装置
本实用新型提供一种纳米材料光降解装置,包括:箱体,其中在箱体内壁设有反光层;灯组,设于箱体内顶部,包括至少一组紫外灯和至少一组模拟日光灯;注入口,设于箱体顶部;出口,位于箱体底部;导管,设于箱体内,一端与注入口相连;凹槽...
魏昂刘雁军
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纳米半导体材料的低温制备及性能研究
WO3和Bi2WO6都是n型半导体材料,其中WO3的禁带宽度为2.4-2.9 eV,Bi2WO6为2.8 eV。其中Bi2WO6是由[Bi2O2]2+层和WO6八面体层交替排列构成的晶体结构,这种层状结构有利于电荷转移,...
刘雁军
关键词:纳米半导体材料
一种低温制备微纳米钨酸铋的方法
本发明公开了一种低温制备纳米钨酸铋的方法,其制备过程包括以下步骤:以Bi(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O和Na<Sub>2</Sub>WO<Sub>4</Sub>·...
魏昂刘雁军
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一种低温制备微纳米钨酸铋的方法
本发明公开了一种低温制备纳米钨酸铋的方法,其制备过程包括以下步骤:以Bi(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O和Na<Sub>2</Sub>WO<Sub>4</Sub>·...
魏昂刘雁军
文献传递
共1页<1>
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