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史晓慧: 作品数：14 被引量：14H指数：2; 供职机构：山东理工大学材料科学与工程学院更多>>; 发文基金：山东省自然科学基金更多>>; 相关领域：一般工业技术理学轻工技术与工程更多>>

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稻壳制备MCM-41分子筛疏水改性研究: 2016年; 以稻壳灰为硅源,水热法合成MCM-41分子筛。因MCM-41分子筛亲水性强,对疏水性有机污染物吸附效果欠佳的问题,以二甲基二乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷为改性剂分别对其进行疏水改性。通过润湿接触角、XRD和FT-IR等进行性能表征,以亚甲基蓝染料为目标污染物,考察疏水改性后分子筛的吸附性能。结果表明,改性剂中的硅烷基已顺利地接枝在MCM-41分子筛表面,并由疏水性基团≡Si-O-Si≡替代了MCM-41分子筛表面的羟基,使MCM-41分子筛表面疏水。经乙烯基三甲氧基硅烷和甲基三乙氧基硅烷修饰后的分子筛的疏水性能优于二甲基二乙氧基硅烷修饰的分子筛疏水性,相应地前两者对亚甲基蓝的吸附容量也高于后者。; 史晓慧许珂敬李博文郭静宜吴涛; 关键词：稻壳灰 MCM-41 疏水改性

制备高钙离子交换能力ZSM‑5微孔分子筛的方法: 本发明提供一种制备高钙离子交换能力ZSM‑5微孔分子筛的新方法，其特征在于采用以下步骤：（1）采用碱—酸反应法提纯稻壳灰得到纯度为99%的二氧化硅粉末；（2）将二氧化硅、氢氧化铝、氢氧化钠、正丁胺和去离子水按钠硅比为6、...; 许珂敬史晓慧张迎迎; 文献传递

不同氟源对FTO薄膜性能影响及其作用机理: 2018年; 以SnCl_4·5H_2O为锡源,以不同氟的化合物如CF_3COOH,HF和SnF_2为氟源,采用溶胶-凝胶-蒸镀法制备不同氟源掺杂的SnO_2(Fluorine-doped Tin Oxide,FTO)薄膜,主要研究CF_3COOH,HF和SnF_2不同氟源的掺入对薄膜的表面形貌、结构以及光电性能的影响,系统地探讨了其作用机制。结果表明:3种氟源制备的FTO薄膜表面形貌分别为不规则多边形状、棒状以及金字塔状,且均呈四方金红石型结构。3种氟源中,以SnF_2为氟源的SnO_2薄膜综合性能较佳,其方块电阻为14.7Ω/,红外反射率为86.1%。不同氟源的掺杂机制主要是F-和SnO2晶粒间的键合方式不同,或生成氟锡化合物的难易程度不同,一次掺杂的氟源(SnF_2)制备的FTO薄膜性能优于二次掺杂的(HF)以及间接性掺杂的氟源(CF_3COOH)。; 樊琳许珂敬史晓慧贾雨辉张衡魏春城; 关键词：光电性能

合成多层状高比表面SBA‑15介孔分子筛的方法: 本发明提供一种合成多层状高比表面SBA‑15介孔分子筛的新方法，其特征在于采用以下步骤：（1）以稻壳灰为原料，采用碱性反应法制备模数大于5的水玻璃；（2）将聚环氧乙烷‑聚环氧丙烷‑聚环氧乙烷三嵌段共聚物‑P123以（1～...; 许珂敬史晓慧张迎迎; 文献传递

基于掺杂的透明导电氧化锡基薄膜电学性能研究被引量：1: 2016年; 透明导电氧化锡基薄膜因其透明性和导电性两大基本特性而备受关注,但其导电性能仍需加强或改进.类金属材料具有强的红外反射性能,为提高透明导电氧化锡基薄膜的红外反射性能,对薄膜的导电性能进行了研究.氧化锡基薄膜因SnO2晶格中存在氧缺位或间隙离子而具有髙阻低导特性,可以通过适当的元素替代在其宽禁带内形成杂质能级而实现良好的导电性.概述了氧化锡薄膜的掺杂机理,综述了不同掺杂方式下SnO2基透明导电膜的导电性情况,并对透明导电氧化锡基薄膜的发展前景进行了展望.; 史晓慧许珂敬西金涛张迎迎王永强; 关键词：透明导电薄膜电学性能掺杂

合成多层状高比表面SBA-15介孔分子筛的新方法: 本发明提供一种合成多层状高比表面SBA-15介孔分子筛的新方法，其特征在于采用以下步骤：（1）以稻壳灰为原料，采用碱性反应法制备模数大于5的水玻璃；（2）将聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物- P123以（1...; 许珂敬史晓慧张迎迎

溶胶-凝胶-蒸镀法制备高性能FTO薄膜被引量：5: 2016年; 以SnCl_4·5H_2O为锡源,SnF_2为氟源,采用溶胶-凝胶-蒸镀法制备F掺杂的SnO_2透明导电氧化物薄膜(FTO薄膜).通过正交实验研究确定最佳反应温度、反应时间和蒸镀温度等制备条件.主要研究元素F的掺杂和膜的结构对FTO薄膜性能的影响,并采用傅里叶变换红外光谱仪、热重-差热分析、X射线衍射、高分辨透射电子显微镜和扫描电子显微镜等进行样品的性能表征.研究结果表明,当反应温度50?C、反应时间5 h、烧结(蒸镀)温度600?C、镀膜次数1次、而F/Sn=14 mol%时,FTO薄膜性能指数ΦTC最大,综合光电性能最优,表面电阻为14.7?·cm-1,平均透光率为74.4%.FTO薄膜内颗粒的平均粒径为20 nm,呈四方金红石型结构,F的掺入替代了部分的O,形成了SnO_(2-x)F_x晶体结构.F的掺杂量是影响FTO薄膜的主要因素,F过多或过少均不利于SnO_(2-x)F_x晶体的生长;FTO薄膜的结构、颗粒形状、大小等三维信息也是影响薄膜性能的因素,主要表现为分形维数越小,薄膜表面越平整,势垒越低,导电性能越好.; 史晓慧许珂敬; 关键词：SN O2 XFX 光电性能

一种以稻壳为硅源制备丝光沸石分子筛的方法: 本发明提供一种利用稻壳为硅源制备丝光沸石分子筛的方法，其特征在于采用以下步骤：（1）采用酸溶‑热解法制得SiO2含量高达99%稻壳灰；（2）在80~85℃条件下，按比例将氢氧化钠、稻壳灰、正丁胺C<...; 许珂敬张迎迎史晓慧; 文献传递

以稻壳为硅源制备丝光沸石分子筛的新工艺: 本发明提供利用稻壳为硅源制备丝光沸石分子筛的新工艺，其特征在于采用以下步骤：（1）采用自蔓延法燃烧稻壳制得稻壳灰；（2）采用高压碱反应法制得硅钠溶液，再将硅钠溶液加适量的正丁胺C4H9</...; 许珂敬史晓慧张迎迎; 文献传递

制备高钙离子交换能力ZSM-5微孔分子筛的新方法: 本发明提供一种制备高钙离子交换能力ZSM-5微孔分子筛的新方法，其特征在于采用以下步骤：（1）采用碱—酸反应法提纯稻壳灰得到纯度为99%的二氧化硅粉末；（2）将二氧化硅、氢氧化铝、氢氧化钠、正丁胺和去离子水按钠硅比为6、...; 许珂敬史晓慧张迎迎