黄家奇
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学电气工程更多>>
- 钾和镁复合掺杂BST薄膜介电特性研究
- BST薄膜因其介电常数随外加电场变化呈现出非线性关系而成为现有的发展微波调谐器件的一种重要的候选材料。本论文采用改进的溶胶凝胶法在添加STO薄膜的基础上，制备了K、Mg单一掺杂及复合掺杂的异质多层BST薄膜，借助XRD、...
- 黄家奇
- 关键词：铁电薄膜溶胶凝胶法介电性能
- 文献传递
- 基于梯度预晶化热处理的多层BST薄膜制备方法
- 基于梯度预晶化热处理的多层BST薄膜制备方法，属于功能材料技术领域。本发明在逐层制备多层BST薄膜的过程中，对逐层制备的BST薄膜进行梯度预晶化热处理。梯度预晶化热处理BST薄膜沿(110)晶面生长、生长均匀缓慢、平均晶...
- 廖家轩张未芳黄家奇徐自强尉旭波汪澎
- 文献传递
- 一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法
- 一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。以不强于乙酸的钡盐、锶盐、铈盐以及钛酸丁酯为原料，先配制钡锶前驱液，然后加入铈盐形成钡锶铈前驱液，再加入PVP形成PVP钡锶铈前驱液，再加入乙二醇甲醚和钛酸丁酯形成...
- 廖家轩李嶷云张高俊黄家奇张未芳徐自强尉旭波汪澎
- 文献传递
- K和Mg高浓度交替掺杂BST薄膜介电性能研究
- 2015年
- 在Si/SiO_2/Ti/Pt基片上用改进的溶胶-凝胶法制备了高掺杂浓度的Mg掺杂、K掺杂及Mg/K交替掺杂(K掺杂表层)的钛酸锶钡(BST)薄膜,并研究了其介电性能。X射线衍射(XRD)表明,薄膜为钙钛矿多晶结构。高浓度掺杂能细化晶粒、促进受主掺杂,K掺杂对应的晶化减弱,Mg掺杂对应的相当,交替掺杂对应的增强;随掺杂浓度增加,晶格常数和晶粒略有增大和细化;随层数增加,交替掺杂薄膜的晶格常数增大,晶粒细化,6层薄膜对应晶化最强。扫描电镜(SEM)表明,交替掺杂薄膜表面形貌介于两单掺杂薄膜之间,且随膜层增加由K掺杂形貌逐渐向Mg掺杂形貌转变;逐层制膜工艺和预晶化使截面形貌致密,且致密性随膜层增加而增加。C-V测试表明,K掺杂对应的调谐率和损耗最高,Mg掺杂对应的最低,交替掺杂对应的适中,且随掺杂浓度和/或膜层的优化而优化。
- 张未芳廖家轩黄家奇魏雄邦吴孟强
- 关键词：钛酸锶钡薄膜介电性能
- 镁和钾交替掺杂BST薄膜优化设计与介电特性研究
- 2015年
- 根据K掺杂BST(KBST)和Mg掺杂BST(MBST)薄膜的优点,设计K和Mg三明治交替掺杂BST薄膜KBST/MBST/KBST(K/M/K)和MBST/KBST/MBST(M/K/M),用溶胶-凝胶(sol-gel)法在Si/Si O2/Ti/Pt基片上制备该薄膜,研究其介电特性。薄膜为立方钙钛矿结构,平均晶粒尺寸16~20 nm。交替掺杂有效整合K掺杂和Mg掺杂,为受主掺杂,晶格常数增大。K/M/K掺杂显著增强晶化、促进薄膜生长,M/K/M掺杂明显细化晶粒、改善界面特性。20 V下C-V测试表明,KBST、MBST、M/K/M型及K/M/K型薄膜的最大电容依次为91、38、37和47 p F,调谐率64%、27%、38%和42%及介电损耗2.90%、1.67%、1.33%和1.58%;随膜厚增加,三者减小,调谐率与损耗之比值增大。M/K/M型薄膜具有最佳综合介电性能,可满足微波调谐需要。对有关机理进行了讨论。
- 廖家轩杨函于王思哲张未芳黄家奇魏雄邦吴孟强
- 关键词：优化设计BST薄膜介电特性
- 一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法
- 一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。以不强于乙酸的钡盐、锶盐、铈盐以及钛酸丁酯为原料，先配制钡锶前驱液，然后加入铈盐形成钡锶铈前驱液，再加入PVP形成PVP钡锶铈前驱液，再加入乙二醇甲醚和钛酸丁酯形成...
- 廖家轩李嶷云张高俊黄家奇张未芳徐自强尉旭波汪澎
- 文献传递
- 基于梯度预晶化热处理的多层BST薄膜制备方法
- 基于梯度预晶化热处理的多层BST薄膜制备方法，属于功能材料技术领域。本发明在逐层制备多层BST薄膜的过程中，对逐层制备的BST薄膜进行梯度预晶化热处理。梯度预晶化热处理BST薄膜沿(110)晶面生长、生长均匀缓慢、平均晶...
- 廖家轩张未芳黄家奇徐自强尉旭波汪澎
- 文献传递
