刘远
- 作品数：121 被引量：72H指数：5
- 供职机构：广东工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>
- 高校集成电路拔尖创新型人才培养模式的研究——以广东工业大学集成电路创新设计人才实验班为例
- 2023年
- 本文针对当前集成电路拔尖创新型人才短缺的问题,以广东工业大学集成电路学院创新设计人才实验班的建设为例,积极探索集成电路拔尖创新型人才培养的模式,对集成电路相关的课程、教材、实验室以及平台资源进行开发与建设,实施包括校企贯通、导师贯通、本硕博贯通的人才培养新模式。深化与企业的合作,真正做到产学融合,培养高素质的集成电路复合型人才,提高集成电路创新人才培养质量,力求在集成电路创新人才培养方面探索出一条新路。集成电路创新设计人才实验班预计实施效果良好,在不同建设时期,应采取相应的推广计划,共享以建设集成电路创新设计人才实验班为代表的集成电路拔尖创新型人才培养模式。
- 李建中廖学峰刘远
- 关键词：集成电路教学改革
- 一种纸基柔性光探测阵列器件的制备方法及器件
- 本发明公开了一种纸基柔性光探测阵列器件的制备方法及器件，涉及柔性图像传感领域。所述方法包括：提供纸基衬底，并在纸基衬底上绘制电极阵列图案及互连导线图案，形成电极阵列及互连导线，并由电极阵列及互连导线定义光响应像素区域；将...
- 张建锋丁子怡陈艺力罗雪瑚刘湛威吴文睿刘远
- p型透明导电氧化物CuCr_(1–x)Mg_xO_2的制备及光电性能研究被引量：2
- 2013年
- 采用溶胶–凝胶法制备了CuCr1–xMgxO2粉末,压制烧结形成了CuCr1–xMgxO2陶瓷样品,研究了Mg2+掺杂量和压制压强对CuCrO2粉末和陶瓷的相组成、显微结构及光电性能的影响。结果表明:随着Mg2+掺杂量从0.01增加到0.07,所制CuCr1–xMgxO2粉末对紫外–可见光的吸收度增加,光学带隙宽度由3.25 eV逐渐减小到2.86 eV。随着Mg2+掺杂量或压制压强的增加,其相应陶瓷样品的电导率均先增大后减小。当Mg掺杂量x为0.03,压制压强为550 MPa时,制备的CuCr0.97Mg0.03O2陶瓷样品的电导率达到最大值,为19.8 S/cm。
- 宋晓英杨元政刘远谢致薇
- 关键词：P型半导体光学带隙吸收度
- 电磁场近场扫描装置与扫描方法
- 本发明提供一种电磁场近场扫描装置与扫描方法，扫描装置结构简单，通过探头实现对待测物品的电磁场近场数据的准确采集，通过空间移动平台和计算机协调工作实现对探头位置的精准控制，通过显微摄像装置精准监测探头与待测物品之间的距离，...
- 方文啸陈立辉恩云飞肖庆中刘远史春蕾
- 文献传递
- 双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性被引量：1
- 2015年
- 为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)的关态电流(Ioff),提高开关电流比(Ion/Ioff),采用磁控溅射法制备掺硅氧化锌薄膜晶体管(SZO-TFT)和SZO/ZnO双层有源层结构的TFT器件,研究了Si含量对SZO薄膜透光性和SZO-TFT电性能的影响,比较了单层与双层有源层结构TFT器件的电特性。与ZnO-TFT相比,SZOTFT的Ioff低2个数量级,最低达1.5×10-12A;Ion/Ioff高两个数量级,最高达7.97×106。而SZO/ZnO双有源层结构的TFT器件可在不降低载流子迁移率的情况下,Ion/Ioff比ZnO-TFT提高近两个数量级,有效改善了器件的整体性能。
- 莫淑芬刘玉荣刘远
- 关键词：薄膜晶体管氧化锌
- 一种基于IGZO TFT的D触发器电路
- 为了解决现有技术中D触发器晶体管数量多、面积大、功耗高的问题，本发明提供一种基于IGZO TFT的D触发器电路，包括两个结构相同的纯N型D锁存器，其技术方案在于：上述两个纯N型D锁存器通过有比结构连接。本发明通过两个D锁...
- 章涵宇刘远史伟伟李俊辉熊晓明李星驰
- 一种探地雷达远场定位方法、装置及计算机可读存储介质
- 本申请公开了一种探地雷达远场定位方法、装置及计算机可读存储介质，基于均匀圆阵流形矩阵的接收矩阵模型，通过模式空间变换方法将模式空间转换为能满足范德蒙结构的阵列流形矩阵，再利用前向空间平滑方法将阵列流形矩阵分成若干个互相重...
- 李建中林旖睿刘远詹瑞典熊晓明蔡述庭
- 文献传递
- 双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统及方法
- 本发明公开了一种双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统及方法，双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统包括依次序连通的真空泵、测压装置、控温装置和氢气供给装置，真空泵与测压装置之间设有第一调节阀，控...
- 杨少华王晓晗刘远恩云飞黄云雷志锋陈辉
- 文献传递
- 65nm NMOS器件总剂量辐照特性的低频噪声分析
- 本文采用Ⅰ-Ⅴ测试和低频噪声测试相结合的方式，分析了65nm NMOS器件在总剂量辐照效应下的特性变化，计算出总剂量辐照感生的氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷，以及总剂量辐照前后的栅氧化层附近陷阱密度;器件Ⅰ-Ⅴ特性和低频噪...
- 何玉娟刘远章晓文
- 关键词：总剂量辐照低频噪声
- 动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响被引量：2
- 2008年
- 辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响。实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少。
- 何玉娟师谦罗宏伟恩云飞章晓文李斌刘远
