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叶继春
作品数:
220
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所
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发文基金:
浙江省自然科学基金
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
电气工程
一般工业技术
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合作作者
廖明墩
中国科学院宁波材料技术与工程研...
曾俞衡
中国科学院宁波材料技术与工程研...
高平奇
中国科学院宁波材料技术与工程研...
刘伟
中国科学院宁波材料技术与工程研...
韩灿
中国科学院宁波材料技术与工程研...
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1篇
2013
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一种匀胶机
本实用新型所提供的匀胶机,包括主体机、载片台及用于容置载片台的限位框,所述载片台设于主体机的中间位置处,并与主体机内的驱动电机连接,用于驱动载片台进行旋转;该匀胶机进一步包括加热机构,其主要由感应线圈组成,其中所述感应线...
戴明志
叶继春
文献传递
一种硼发射极金属化前处理方法及应用
本发明提供一种硼发射极金属化前处理方法及应用,硼发射极金属化前处理方法包括以下步骤:对半电池正面进行图案化处理,露出部分硼发射极,用腐蚀液对硼发射极进行腐蚀处理,形成表面活性位点,所述腐蚀液的组分包括水、硝酸银、氢氟酸、...
行孟超
曾俞衡
叶继春
张文瑞
王太强
刘伟
廖明墩
杨阵海
杜浩江
一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
本发明提供一种钙钛矿薄膜的制备方法及应用,钙钛矿薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、在空穴传输层上旋涂钙钛矿前驱体溶液,氯苯作为反萃取溶剂;S2、第一次退火处理,形成钙钛矿薄膜;S3、在钙钛矿薄膜表面旋涂A位阳离子替换液...
李鑫
叶继春
杨熹
应智琴
郭旭超
汪新龙
吴铭
一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法
本发明提供一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法,钝化接触结构包括硅衬底和硅衬底一面上依次叠设的界面氧化层、载流子收集层、介质层和重掺杂多晶硅层,所述载流子收集层由至少一层硅纳米晶薄膜构成。本发明的钝化接触结构...
叶继春
曾俞衡
廖明墩
刘伟
刘尊珂
管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法
本发明公开了一种管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法,包括在硅的氧化物和/或硅的氮化物表面采用管式PECVD制备掺杂非晶硅薄膜,然后高温晶化退火得到多晶硅钝化接触结构;本发明不仅可以制备出高质量TOPCon结构,其...
曾俞衡
闫宝杰
叶继春
廖明墩
文献传递
一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法
本发明提供一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法,硅异质结光伏电池包括准异质结电池片、第一镍种子层、第二镍种子层、第一铜栅线层和第二铜栅线层,准异质结电池片的透明导电氧化物层经过化学溶液处理。本发明利用化学试剂对硅异质结...
叶继春
杜浩江
盛江
王太强
廖明墩
曾俞衡
刘伟
一种叠层薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用
本发明提供一种叠层薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用,制备方法包括以下步骤:首先在硅片表面生长一层氧化硅层,然后在所述氧化硅层表面上沉积一层本征或掺杂的碳硅薄膜,最后在所述碳硅薄膜表面再沉积至少一层掺杂的非晶硅薄膜层,并...
叶继春
曾俞衡
廖明墩
闫宝杰
王志学
杨清
郭雪琪
芮哲
文献传递
一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用
本发明提供一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用,包括以下步骤:首先在硅片表面生长一层氧化硅层,然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜,并进行780‑1100<Sup>o</Sup>C的高温...
曾俞衡
叶继春
廖明墩
闫宝杰
杨清
王志学
郭雪琪
芮哲
文献传递
一种具有钝化结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种具有钝化结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的导电基材、空穴传输层、钙钛矿层、钝化层、电子传输层、阻挡层、导电层和电极层,所述钝化层为氧化物薄膜。本发明在钙钛矿层和电子传输层...
叶继春
郭旭超
杨熹
应智琴
李鑫
肖惠
苏诗茜
一种自驱动MSM紫外探测器及其制备方法
本发明属于半导体光电器件技术领域,尤其涉及一种自驱动MSM紫外探测器及其制备方法。本发明提供的紫外探测器包括:衬底;设置在衬底表面的图形化低温结晶层;设置在图形化低温结晶层表面和衬底表面未覆盖图形化低温结晶层区域的高温外...
郭炜
国琛雨
陈荔
叶继春
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