蒋春萍
- 作品数：73 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 陶瓷热敏电阻的制备方法
- 本发明揭示了一种陶瓷热敏电阻的制备方法，首先制备由锰、铜、硅、钴、铁、镍中两种以上的金属氧化物充分混合而成的陶瓷氧化物粉体；继而将制得的陶瓷氧化物粉体混入甘油和1%～10%的PVA之中配成浆料，并通过丝网印刷工艺把浆料印...
- 蒋春萍孔雯雯
- 文献传递
- Hg_(1- x)Cd_x Te禁带宽度附近折射率增强效应(英文)
- 2001年
- 用红外椭圆偏振光谱测量了室温下 Hg1 - x Cdx Te(x=0 .2 76 ,0 .30 9,0 .378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率 .对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应 .折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度 .禁带宽度之上折射率随波长 λ变化可用 Sellmeier色散关系 n2 (λ) =a1 + a2 / λ2 + a3/ λ4+ a4/ λ6进行拟合 .
- 黄志明张展竑蒋春萍褚君浩
- 关键词：折射率红外材料
- 微珠热敏电阻用平行导线制作装置
- 本实用新型涉及一种微珠热敏电阻用平行导线制作装置，包括机座，机座的右端安装有拉力传感器，拉力传感器的测量头上沿竖直方向设有右绕线柱，右绕线柱的中部沿圆周方向设有右绕线槽，机座的左端设有左绕线柱座，左绕线柱座上沿竖直方向设...
- 蒋春萍许峰周望
- 文献传递
- 低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响被引量：1
- 2005年
- 利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.
- 邓加军赵建华蒋春萍牛智川杨富华吴晓光郑厚植
- 关键词：稀磁半导体铁磁性分子束外延
- 硅基光发射器件及其制备方法
- 本发明公开了一种硅基光发射器件及其制备方法。该器件包括硅衬底，该衬底正面经刻蚀形成纳米柱光子晶体阵列，该阵列上共形沉积含有硅纳米晶量子点结构的薄膜层，该薄膜层上覆盖透明共形电极，该衬底背面沉积有欧姆接触电极；该方法为：在...
- 李永垒钱波蒋春萍王亦
- 文献传递
- 高Sc掺杂的铁电材料及其制备方法和应用、铁电电容器
- 本发明提供一种高Sc掺杂的铁电材料及其制备方法和应用、铁电电容器。所述铁电材料中Sc的掺杂浓度大于30％，且共掺有In、Ga中的至少一种；所述高Sc掺杂的铁电材料为纤锌矿结构。本发明通过引入In和/或Ga，抑制铁电材料在...
- 蒋春萍李铖然隋展鹏刘峰峰
- 多功能消色差超透镜、设计方法和制备方法
- 本申请公开了一种多功能消色差超透镜、设计方法和制备方法，设计方法包括设定目标工作波长、目标放大倍率；基于所述目标工作波长，确定衬底的材料；基于所述目标放大倍率，确定衬底的第一超表面和第二超表面的透镜直径和目标焦距；基于所...
- 蒋春萍刘磊
- 可调谐超构透镜的发展现状被引量：1
- 2020年
- 随着新兴光学设备对微型化、一体化、智能化光学变焦系统的需求与日俱增,大大促进了纳米光电子学的迅猛发展。超构透镜是由具有特殊电磁属性的人造元素按照一定的排列方式组成的具有透镜功能的二维平面结构,其最大优点就是:轻薄和易于集成。然而,集成在超构透镜上的微纳结构一旦制备完成,便难以再改变其形貌或者尺寸,因而无法对其聚焦性能进行实时调控,限制了其功能及应用范围的进一步扩展。近年来,科学家们探索了实现超构透镜聚焦性能实时调控的多种途径,其中最引人注目的是将智能材料与超构透镜相结合。本文首先回顾了可调谐超构透镜的最新进展,分别详细阐述和分析了它们的调节原理和器件性能。最后,归纳分析了当前阻碍可调谐超构透镜发展的主要问题,并进一步对未来可调谐超构透镜的发展趋势做出了展望。
- 林雨蒋春萍
- 一种基于HEMT的太赫兹相控阵无栅调控开关
- 本发明公开了一种基于HEMT的太赫兹相控阵无栅调控开关，包括衬底、形成于衬底上的缓冲层，所述太赫兹相控阵无栅调控开关还包括：二维电子气台面层，自下而上依次由沟道层、本征隔离层、掺杂层和帽层组成，且所述二维电子气台面层包括...
- 蒋春萍杨帆
- 非晶AlBN介质薄膜的制备及相关特性研究
- 2020年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术在GaN(002)上沉积非晶AlBN介质薄膜.利用X射线衍射技术(XRD)、透射电子显微镜(T EM)和X射线光电子能谱(XPS)等技术分别对介质薄膜的晶体结构、成分进行表征,并采用导电原子力显微镜(CAFM)以及I-V等测试手段对不同厚度薄膜的电学性质进行测试.结果表明:不同厚度的AlBN介质薄膜均为非晶,薄膜中B含量约为6.7%(原子分数).厚度为3 nm和18 nm的AlBN介质薄膜的表面粗糙度(Rq)分别为0.209 nm和0.116 nm,薄膜表面平整均匀,18 nm薄膜施加±10 V电压时,没有出现明显的漏电流.但在金属-介质-金属(M IM)结构中,18 nm薄膜结构中出现较大漏电流,漏电流密度在-2 V时约为-2×10^-4 A/cm^2.
- 刘峰峰李玉雄隋展鹏蔡勇张永红蒋春萍
- 关键词：脉冲激光沉积非晶薄膜
