您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇探测器
  • 3篇抛光
  • 3篇碲镉汞
  • 3篇碲镉汞材料
  • 2篇抛光液
  • 2篇碲镉汞薄膜
  • 2篇碲镉汞探测器
  • 2篇芯片
  • 2篇化学抛光
  • 2篇化学抛光液
  • 2篇红外
  • 1篇倒装
  • 1篇探测器芯片
  • 1篇平坦化
  • 1篇轴向
  • 1篇碲锌镉
  • 1篇粒度
  • 1篇粒径
  • 1篇面阵
  • 1篇颗粒度

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇王春红
  • 4篇李春领
  • 3篇秦艳红
  • 2篇刘海龙
  • 1篇喻松林
  • 1篇谢珩
  • 1篇王成刚
  • 1篇孙浩

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法
本发明公开了一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法。该方法包括包括以下步骤:利用化学抛光液对所述碲镉汞薄膜材料进行N次化学抛光,其中,第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度,其中,N≥3,1≤i≤N;将经过N...
李春领王春红秦艳红
文献传递
一种锑化铟红外探测器的减薄方法
本发明提出了一种锑化铟红外探测器的减薄方法,包括:将锑化铟红外探测器粘接于基板上,在所述锑化铟红外探测器的电路焊盘的对应位置涂抹塑料蜡,并在所述锑化铟红外探测器的四周贴上陪条;对所述锑化铟红外探测器进行研磨至第一厚度;对...
张伟婷曹凌霞赵俊雅帅昊郭海江庄厉王春红刘海龙
一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法
本发明公开了一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法,包括:步骤A:将外延制备的碲锌镉基碲镉汞材料正面进行正面平坦化处理;步骤B:将表面平坦化处理后的正面进行标准的碲镉汞器件制备;步骤C:在互连之前将制备的碲镉汞器件正面进行...
李春领王春红秦艳红
文献传递
用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法
本发明公开了一种用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法,保证芯片区域处理一致性,形成良好的面型,以提高大面阵红外探测器芯片质量。抛光调平装置包括:抛光盘;抛光垫,铺设于抛光盘;夹具主体,包括压力控制杆和夹具盘...
马腾达喻松林李春领刘海龙王春红
一种用于互连前芯片面型测试的工装及测试方法
本发明提出了一种用于互连前芯片面型测试的工装及测试方法,工装包括:工装主体、第一方型平台、第二方型平台、吸附芯片真空孔、吸真空孔以及排气孔;第一方型平台设置于工装主体上;第二方型平台设置于第一方型平台上,且尺寸小于第一方...
冯晓宇谢珩王春红王成刚孙浩
一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法
本发明公开了一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法。该方法包括以下步骤:利用化学抛光液对所述碲镉汞薄膜材料进行N次化学抛光,其中,第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度,其中,N≥3,1≤i≤N;将经过N次化...
李春领王春红秦艳红
文献传递
共1页<1>
聚类工具0