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张曙光

作品数:82 被引量:0H指数:0
供职机构:华南理工大学更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 80篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理

主题

  • 50篇衬底
  • 26篇电池
  • 23篇太阳电池
  • 21篇SI衬底
  • 13篇电极
  • 13篇石墨
  • 13篇石墨烯
  • 13篇肖特基
  • 13篇量子
  • 12篇纳米
  • 12篇缓冲层
  • 11篇肖特基结
  • 11篇量子点
  • 11篇发光
  • 11篇GAAS衬底
  • 10篇晶体
  • 10篇分子束
  • 10篇分子束外延
  • 10篇盖层
  • 8篇底电极

机构

  • 82篇华南理工大学

作者

  • 82篇张曙光
  • 63篇李国强
  • 59篇温雷
  • 57篇高芳亮
  • 9篇管云芳
  • 9篇彭俊彪
  • 3篇韩晶磊
  • 2篇王凯诚
  • 1篇王海燕
  • 1篇徐苗
  • 1篇王丹
  • 1篇王文樑
  • 1篇王俊杰
  • 1篇兰林锋
  • 1篇林志霆
  • 1篇宁洪龙
  • 1篇王磊
  • 1篇周仕忠
  • 1篇姚日晖

年份

  • 1篇2025
  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 16篇2019
  • 16篇2018
  • 14篇2017
  • 4篇2016
  • 9篇2015
  • 4篇2014
82 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用
本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用,其中,贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收;此外,Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处...
李国强徐珍珠高芳亮张曙光温雷余粤锋
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一种强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法
本发明公开了一种强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法,包括以下步骤:(1)制备有序Au纳米结构;(2)制备石墨烯薄膜;(3)将石墨烯薄膜转移到Au纳米结构的表面。本发明通过将石墨烯薄膜覆盖在Au纳米结构表面,极大提高石墨烯与...
张曙光李国强温雷高芳亮李景灵
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一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池的制备方法,包括以下步骤:(1)在P型InP晶圆上制备金电极;(2)将镀好金电极的P型InP圆片用金刚刀切割成方片,得到P型InP片;(3)清洗P型InP片;(4)在清洗吹...
张曙光温雷
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一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法
本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)Si(111)衬底清洗;(2)Si(111)衬底预处理;(3)Si(111)衬底脱氧化膜;(4)第一In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
李国强高芳亮温雷张曙光李景灵
生长在Al衬底上的InGaN纳米柱
本实用新型公开了生长在Al衬底上的InGaN纳米柱,包括生长在Al衬底上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的InGaN纳米柱。其中采用的Al衬底热导率高,成本低,有利于解决器件散热的问题,降低器件成本;其次,本实用新型...
李国强徐珍珠高芳亮张曙光温雷余粤锋
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生长在玻璃衬底上的GaN薄膜及其制备方法
本发明公开了生长在玻璃衬底上的GaN薄膜,包括生长在玻璃衬底上的铝金属层,生长在铝金属层上的银金属层,生长在银金属层上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。本发明还公开了上...
李国强高芳亮张曙光
高性能量子点中间带石墨烯肖特基结太阳电池及制备
本发明属于太阳能电池的技术领域,公开了高性能量子点中间带石墨烯肖特基结太阳电池及制备。所述石墨烯肖特基结太阳电池从下到上依次包括底电极、GaAs衬底、表面重构的GaAs层、GaAs缓冲层、量子点中间带、石墨烯层、顶电极;...
张曙光李国强温雷徐珍珠高芳亮
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一种GaAs-锑烯异质结太阳电池及其制备方法
本发明属于太阳能电池的技术领域,公开了一种GaAs‑锑烯异质结太阳电池及其制备方法。所述GaAs‑锑烯异质结太阳能电池由下至上依次包括背电极、GaAs衬底、锑烯层、顶电极。本发明通过在GaAs片上通过分子束外延方式直接生...
张曙光温雷
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一种等离子激元复合减反射膜增强太阳电池及其制备方法
本发明属于太阳电池的技术领域,公开了一种等离子激元复合减反射膜增强太阳电池及其制备方法。所述等离子激元复合减反射膜增强太阳电池,由下至上依次包括太阳电池,金属纳米粒子层以及减反射膜层;所述金属纳米粒子层中金属纳米粒子为银...
李国强张曙光温雷徐珍珠黎翊君
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生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜及其制备方法
本发明公开了生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜,由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区;所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜;δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜;...
李国强张曙光王凯诚
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共9页<123456789>
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