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贺婕

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：南开大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇SUB
  • 4篇旋涂
  • 4篇兼容性
  • 4篇磁电
  • 4篇磁电阻
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇光催化
  • 3篇催化
  • 2篇电阻
  • 2篇纳米复合材料
  • 2篇光催化剂
  • 2篇复合材料
  • 2篇复合光催化剂
  • 2篇NI
  • 2篇AGBR
  • 2篇CU
  • 2篇FE
  • 2篇催化剂
  • 2篇复合材

机构

  • 11篇南开大学

作者

  • 11篇贺婕
  • 10篇程雅慧
  • 10篇刘晖
  • 5篇王维华
  • 4篇刘孟寅
  • 4篇卢峰
  • 4篇王卫超
  • 2篇胡啸宇
  • 1篇解新建
  • 1篇曹小兵

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种绒毛状的Fe@α-Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>核/壳结构纳米线及其制备方法
一种绒毛状的Feα-Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>核/壳结构纳米线及其制备方法，该方法先制备Fe纳米线，然后在所制备的Fe纳米线表面通过退火的方法包覆一层绒毛状的α-Fe<Sub>2</Sub>O...
程雅慧刘晖曹小兵贺婕王维华解新建
文献传递
一种Cu<Sub>2</Sub>O@Cu/AgBr复合光催化剂及其制备方法
一种Cu<Sub>2</Sub>O@Cu/AgBr复合光催化剂及其制备方法，其特征在于所述复合光催化剂的制备方法包括以下步骤：1)首先采用液相还原的方法制备Cu<Sub>2</Sub>O@Cu核壳结构纳米颗粒，所述Cu<...
程雅慧贺婕刘晖
文献传递
一种颗粒薄膜磁电阻器件及制备
本发明涉及一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便，成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温...
程雅慧贺婕刘晖刘孟寅
文献传递
一种Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及制备
本发明涉及一种Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便、成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温...
程雅慧贺婕刘晖刘孟寅王卫超王维华卢峰
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一种ZnFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>/AgBr/Ag复合光催化剂及其制备方法
本发明提供一种ZnFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>/AgBr/Ag复合光催化剂及其制备方法。该催化剂在制备过程中采用水热与光还原相结合的方法，该方法灵活简便、成本低。通过以ZnFe<Sub>2</S...
程雅慧贺婕刘晖
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一种Ni-Ni<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米复合材料及制备
本发明涉及一种Ni-Ni<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米复合材料，特别是一种铁磁性的Ni-Ni<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米复合材料及水热一步合成该材料的方法。其中Ni为纳米...
程雅慧刘晖贺婕胡啸宇王卫超王维华卢峰
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半金属ZnxFe3-xO4物理性质的调控以及ZnxFe3-xO4/n型Si界面性质的研究
自旋电子学将电子的自旋特性引入到新型电子器件中，利用自旋作为信息存储和传输的载体，具有退相干时间长、能耗低、数据处理速度快、集成度高、稳定性强等优点，成为信息科学、凝聚态物理及新材料等领域共同关注的热点。　　铁基材料是来...
贺婕
关键词：自旋电子学磁电阻效应肖特基势垒电输运性质
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一种Cu&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;O@Cu/AgBr复合光催化剂及其制备方法
一种Cu<Sub>2</Sub>O@Cu/AgBr复合光催化剂及其制备方法，其特征在于所述复合光催化剂的制备方法包括以下步骤：1)首先采用液相还原的方法制备Cu<Sub>2</Sub>O@Cu核壳结构纳米颗粒，所述Cu<...
程雅慧贺婕刘晖
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新型颗粒薄膜磁电阻器件及制备
本发明涉及一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便，成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温...
程雅慧贺婕刘晖刘孟寅
新型Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及制备
本发明涉及一种Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便、成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温...
程雅慧贺婕刘晖刘孟寅王卫超王维华卢峰
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