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洪峰

作品数:15 被引量:11H指数:1
供职机构:上海大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市自然科学基金上海市科学技术委员会基础研究重点项目更多>>
相关领域:理学电子电信医药卫生电气工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 7篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 4篇探测器
  • 4篇大气环境
  • 3篇喷涂
  • 3篇光致
  • 3篇X射线探测
  • 3篇X射线探测器
  • 2篇单晶
  • 2篇第一性原理
  • 2篇电池
  • 2篇多晶
  • 2篇石英
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇透光度
  • 2篇喷涂法
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇光响应
  • 2篇光致发光性能

机构

  • 15篇上海大学
  • 4篇复旦大学

作者

  • 15篇洪峰
  • 14篇徐飞
  • 12篇马忠权
  • 12篇徐闰
  • 6篇李跃
  • 5篇赵磊
  • 4篇蒋最敏
  • 4篇王文贞
  • 2篇孟华
  • 2篇李拥华
  • 2篇蔡江
  • 2篇刘欣
  • 1篇石建伟
  • 1篇詹义强
  • 1篇郑玲玲
  • 1篇徐海涛
  • 1篇杨洁
  • 1篇杜汇伟
  • 1篇周平华
  • 1篇王林军

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇光学学报
  • 1篇上海大学学报...
  • 1篇中国科学:化...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2012
  • 1篇2010
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
界面种子层修饰策略制备高性能CsPbIBr_(2)光电探测器被引量:1
2023年
在相对湿度低于90%(<90%RH)的大气环境下,通过界面种子层修饰策略,利用气动喷涂法制备出高结晶度、界面接触良好、结构稳定的CsPbIBr_(2)厚膜。界面种子层的引入对CsPbIBr_(2)厚膜的光学带隙(2.10~2.12 eV)没有太大的影响,但明显增强了其对光的吸收和发射,并且荧光寿命也明显延长(从0.95 ns到4.49 ns)。由此厚膜制备的二极管型光电探测器(p-n CsPbIBr_(2)-ITO)具有非常低的暗电流(5.70×10^(-10)A),并且展示出高效的光电探测性能:高开关比(1.8×10^(4))以及微秒级别的响应时间(上升时间和下降时间分别为9μs、13μs)。当未封装的CsPbIBr_(2)光电探测器处在<90%RH的大气环境下,其表现出强的抗水抗氧能力:储存60 d后,其仍能保持初始开关比的83%。所提方法为在大气环境下制备低成本、高性能、长效稳定的二极管型CsPbIBr_(2)光电探测器提供了一种有效的途径。
舒鑫鹿颖申张子发康家兴袁翔洪峰徐闰马忠权徐飞
关键词:探测器大气环境
密度泛函理论研究碱金属原子在完美氧化镁(001)表面的吸附被引量:1
2010年
基于平面波赝势法的密度泛函理论系统地研究了孤立碱金属原子(锂、钠、钾、铷、铯)在完美氧化镁(001)表面的吸附.锂在氧位表面上的吸附能是0.72eV,大约是其它碱金属的3倍.锂和表面氧之间较强的相互作用主要是来源于共价键的作用,这可由态密度和差分电荷密度的分析所证实.讨论碱金属在MgO(001)表面吸附的成键机理.
徐闰贡伟明张旭王林军洪峰
关键词:碱金属原子密度泛函理论
平面型钙钛矿太阳能电池温度相关的光伏性能时间响应特性被引量:1
2016年
本文研究了钙钛矿太阳能电池不同工作温度下光伏性能的时间响应特性.结果表明,钙钛矿太阳能电池光伏性能需要经过一段时间光照后才能达到稳定.且随着工作温度降低,电池光伏性能达到稳定所需的响应时间也越长.当电池达到稳定后,电池开路电压会随着温度降低而增大.在此之前,开路电压会在低温下发生显著的衰减.这意味着钙钛矿太阳能电池的时间响应主要来源于其内部内建电场的缓慢变化.通过测量光照前后电池外量子效率发现,光生载流子的分离和收集效率会在光照后得到明显改善.这也暗示了内建电场在光照前后发生了改变.钙钛矿材料中的离子迁移被认为是引起内建电场发生变化的原因.这有助于更好地理解钙钛矿太阳能电池中载流子输运机制.
曹汝楠徐飞朱佳斌葛升王文贞徐海涛徐闰吴杨琳马忠权洪峰蒋最敏
关键词:量子效率
双配体材料提高CsPbIBr<Sub>2</Sub>多晶膜质量以降低CsPbIBr<Sub>2</Sub>探测器暗电流的方法
本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr<Sub>2</Sub>多晶膜质量以降低CsPbIBr<Sub>2</Sub>探测器暗电流的方法,特别的是,通过双配体材料在相对湿度低于60%的大气环境下制备出结构稳定、表面平整...
徐飞胡紫婷李跃王香舒鑫刘欣徐闰洪峰马忠权赵磊
一种叠加喷涂工艺制备钙钛矿厚膜的方法以及一种直接式X射线探测器
本发明涉及一种X射线探测器,具体涉及一种叠加喷涂工艺制备钙钛矿厚膜的方法以及一种直接式X射线探测器,包括如下步骤:采用气动喷涂法通过叠加喷涂工艺在衬底上形成钙钛矿厚膜;叠加喷涂工艺:一次喷涂:衬底喷涂前驱液,形成膜厚不超...
徐飞舒鑫鹿颖申张子发袁翔洪峰徐闰陈腾马忠权
双配体策略制备大气环境下性能稳定的CsPbIBr_(2)光电探测器被引量:1
2022年
大气环境下溶液法制备的CsPbIBr_(2)钙钛矿薄膜存在薄膜覆盖率低、结晶度差和性能不稳定性等问题.为此,本文提出了一种双配体(卵磷脂(L-α-phosphatidylcholine,LP)和硫氰酸铵(NH_(4)SCN))策略,可在相对湿度不高于60%的大气环境下,利用喷涂法制备出高结晶质量、结构稳定的钙钛矿薄膜.这是由于卵磷脂能够有效降低钙钛矿前驱体溶液的表面张力,提高CsPbIBr_(2)钙钛矿薄膜的覆盖率,并在CsPbIBr_(2)钙钛矿薄膜表面形成一层隔绝水氧的保护层;但同时也会减小晶粒尺寸,形成大量的晶界,造成载流子传输不利.而NH_(4)SCN能够克服卵磷脂的不足,增大晶粒尺寸,提高钙钛矿材料的电学特性.这样,制备出的未封装CsPbIBr_(2)钙钛矿光电探测器(ITO/CsPbIBr_(2)/Au)具有低暗电流密度(2×10^(-4) mA·cm^(-2))、微秒级别的响应时间(20,21µs)和长效稳定性(在相对湿度为40%—60%的大气环境下,储存70天后,仍能保持原光暗电流初始值的81%)等特性.
胡紫婷舒鑫王香李跃徐闰洪峰马忠权蒋最敏徐飞
关键词:光电探测器
铒铥共掺氧化锌薄膜近红外宽带发射及变温行为的研究
2015年
采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到~500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),1640 nm(1G4→3F2),1740 nm(3F4→3H6)发射峰组成.研究表明:退火温度低于800°C时,没有观察到薄膜样品明显的光致发光现象;随着退火温度从800°C升高到1000°C,I1640/I1535发射峰强度比从0.2升高到0.3,I1740/I1535发射峰强度比从0.5降低到0.4,发射峰强度比均基本保持稳定;当退火温度高于1000°C时,I1640/I1535发射峰强度比从0.3升高到0.6,I1740/I1535发射峰强度比从0.4升高到0.8,发射峰强度比均急剧增加.变温行为表明:随着温度从10 K逐渐升高到300 K,谱线的总带宽基本不变,在340—360 nm之间;Tm3+在1640和1740 nm处的发射峰强度分别降低了2/3和1/2,Er3+在1535 nm的发射峰强度增大了1.2倍.这是因为随着温度的升高,声子数目增多,Er3+与Tm3+离子之间发生能量传递的概率不断变大,并且在Tm3+离子之间没有发生交叉弛豫现象.
陈丹丹徐飞曹汝楠蒋最敏马忠权杨洁杜汇伟洪峰
关键词:稀土掺杂氧化锌薄膜退火处理
混合型碘系钙钛矿薄膜变温光致发光特性的研究被引量:1
2019年
研究了阴离子和阳离子混合型碘系钙钛矿薄膜材料的结构、光学性质及光致发光温度特性.研究发现,阴离子混合型碘系钙钛矿(MAPb(BrxI1-x)3,MA+=CH3NH3^+)随着半径较小的Br离子的比例增加(x=0-0.1),薄膜择优取向生长更明显,其光学带隙从1.43 eV到1.48 eV线性增加.在光抽运下,随着工作温度从10 K升高到125 K,纯碘系钙钛矿(MAPbI3,即x=0)可见区光致发光(PL)的峰位轻微的红移;之后至350 K,发生蓝移.而Br-阴离子混合型钙钛矿薄膜的PL峰位只随温度升高持续蓝移.并且在不同工作温度下,Br-阴离子比例x与PL峰位呈现线性关系.对于纯碘系钙钛矿,其高温段激子结合能是37.5 meV;随着Br-的比例的增加,高温段激子结合能会先增大后减小.当x=0.0333,其薄膜PL半高宽随温度升高展宽幅度最小,具有更好的温度稳定性.通过进一步三重阳离子混合和阴离子调节,获得更加优良的混合型碘系耗钛矿(Cs0.05(FA0.85A0.15)0.95Pb(Br0.15I0.85)3,FA+=HC(NH2)2^+)薄膜,为进一步研制太阳能电池和发光器件奠定了实验基础.
蒋泵陈思良崔晓磊胡紫婷李跃张笑铮吴康敬王文贞蒋最敏洪峰马忠权赵磊徐飞徐闰詹义强
关键词:光学性能激子结合能
双配体材料提高CsPbIBr<Sub>2</Sub>多晶膜质量以降低CsPbIBr<Sub>2</Sub>探测器暗电流的方法
本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr<Sub>2</Sub>多晶膜质量以降低CsPbIBr<Sub>2</Sub>探测器暗电流的方法,特别的是,通过双配体材料在相对湿度低于60%的大气环境下制备出结构稳定、表面平整...
徐飞胡紫婷李跃王香舒鑫刘欣徐闰洪峰马忠权赵磊
文献传递
铜铟硒与铜铟硫太阳能电池中有序缺陷化合物的性质及对能带偏移的影响
2012年
利用第一性原理模拟计算铜铟硒(CIS)太阳能电池CIS吸收层,及CIS中普遍存在的有序缺陷化合物(ordered defect compound,ODC)CuIn_5Se_8的性质.依据CuIn_5Se_8形成的方式,结合对称性越高、能量越低的原则,建立CuInS_2中的ODC-CuIn_5S_8结构,并从态密度角度讨论CuInS2与CuIn_5S_8的差异.分别选用ZnSe和CuI半导体作为CIS和CuInS_2电池的缓冲层,利用第一性原理计算得到价带偏移(valence band offset,VBO).在ZnSe/CIS界面处,CIS的价带顶(valence band maximum,VBM)比ZnSe高0.52 eV;在CuI/CuInS_2界面处,CuI的价带顶比CuInS_2低0.37 eV,表明CuI非常适合应用于CuInS_2电池缓冲层.ODC中由于Cu的缺失,其d轨道电子和阴离子p轨道电子的p-d排斥力减小,使ODC材料的价带顶相对于自身本征材料有所下降.
余斌徐飞马忠权周平华石建伟郑玲玲李拥华洪峰
关键词:第一性原理计算太阳能电池
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