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谢晓明

作品数:16 被引量:28H指数:4
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 9篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇超导
  • 4篇导体
  • 4篇超导体
  • 3篇等温凝固
  • 3篇凝固
  • 3篇YBA
  • 2篇微波焊接
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片焊接
  • 2篇内耗
  • 2篇内耗研究
  • 2篇YBCO
  • 2篇
  • 1篇倒扣
  • 1篇导电
  • 1篇低频
  • 1篇底充胶
  • 1篇电路
  • 1篇电子器件
  • 1篇氧含量

机构

  • 14篇中国科学院上...
  • 3篇中国科学院

作者

  • 16篇谢晓明
  • 11篇陈廷国
  • 3篇李香庭
  • 3篇王铁兵
  • 3篇施建中
  • 3篇李廷伟
  • 2篇谢雷鸣
  • 2篇施天生
  • 2篇蔡杰
  • 2篇郭景坤
  • 2篇陈源
  • 1篇吴晓初
  • 1篇赵永刚
  • 1篇黄卫东
  • 1篇黄校先
  • 1篇高建华
  • 1篇张群
  • 1篇孙荆
  • 1篇徐步陆
  • 1篇程兆年

传媒

  • 4篇第二次全国固...
  • 3篇物理学报
  • 3篇功能材料与器...
  • 1篇Journa...
  • 1篇金属学报
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 3篇1992
  • 1篇1990
  • 5篇1989
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
正交相YBa2Cu3Oy中氧的扩散系数
一、引言 YBaCuO 的超导性能与其氧含量密切相关,因此研究氧的扩散具有重要意义。由于 YBaCuO 中,除04(0,1/2,0)和05(1/2,0,0)外,其他氧位置占有率皆为1,可以认为氧扩散只能通过04-05-0...
谢晓明陈廷国黄佶
文献传递
YBa_(2)Cu_(3)Ox的氧含量研究
1990年
本文利用热天平称重方法对 YBa_2Cu_3O_x 的氧含量随温度的变化进行了研究,结果表明样品致密度对其达到平衡所需时间有显著影响,求得正交相 YBa_2Cu_3O_x 中氧空位的形成能为0.39eV,最后,对 YBa_2Cu_3O_x中氧含量的测量问题进行了讨论。
赵永刚施天生李廷伟谢晓明谢雷鸣胡素辉
关键词:热天平氧含量
热处理对Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导材料结构和超导性能的影响
1995年
利用原位电阻测量、热重分析、电镜观察和电子探针等多种实验手段研究了Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_(10+δ)(下称BPSCCO)超导材料在不同温度(650—800℃)和不同氧分压(氧气、空气和氮气)下热处理过程中结构变化及其对超导电性的影响,实验结果表明,在稍高氧分压下退火,2223相中的Pb ̄(+2)离子将失稳析出体外,生成类Ca_2PbO_4杂相,导致电阻率和重量增加,其调制结构由纯Pb型(q=βb)逐渐变为纯Bi型(q=βb+c),在低氧分压下退火,类Ca_2PbO_4杂相将分解,整个过程基本可逆.此外还发现,适度析出类Ca_2PbO_4杂相,2223母相的超导转变温度将增高,材料的电传输特性亦将得到改善.
张留琬陈廷国谢晓明吴晓初施天生李香庭高建华孙荆
关键词:超导材料超导电性BPSCCO
正交YBa2Cu3O7-x204℃内耗峰与氧缺位
普遍认为 YBaCuO的一维 Cu-O 链对其超导性起着关键的作用。但迄今,人们对其状态仍不十分清楚。本文利用正交相特征内耗峰高与氧含量之间的定量关系,给出了钡原子面间 Cu-O 层(下称 Cu-O 层)氧原子与氧空位的...
陈廷国谢晓明陈源谢雷鸣
文献传递
YBa_2Cu_3O_(7-δ)中正交-四方相变的级次被引量:2
1992年
研究了YBa_2Cu_3O_(7-δ)正交相和四方相中氧在Cu(1)-O基平面上跳动引起的两低频内耗峰;研究了在正交-四方相变过程中它们随氧含量的变化规律,并据此分析了YBCO中正交-四方相变的级次,认为在~200℃该相变实际上可能是一个一级相变。
谢晓明陈廷国
关键词:YBCO超导体相变
倒扣芯片连接底充胶分层和焊点失效被引量:7
2001年
在热循环疲劳加载条件下 ,使用 C- SAM高频超声显微镜测得了 B型和 D型两种倒扣芯片连接在焊点有无断裂时芯片 /底充胶界面的分层和扩展 ,得到分层裂缝扩展速率 .同时在有限元模拟中使用断裂力学方法计算得到不同情况下的裂缝顶端附近的能量释放率 .最后由实验裂缝扩展速率和有限元模拟给出的能量释放率得到可作为倒扣芯片连接可靠性设计依据的
徐步陆张群彩霞黄卫东谢晓明程兆年
关键词:底充胶有限元模拟焊点失效微电子
Au/In等温凝固芯片焊接工艺研究被引量:13
1999年
本文研究了Au/In 等温凝固芯片焊接工艺。对机械振动、压力、Au ,In 镀层厚度、衬底的表面平整度等因素对焊层的剪切强度、结构和热疲劳可靠性的影响进行了分析和优化。在250 ℃- 300 ℃之间,实现了较大尺寸芯片(3 ×3mm2) 在较低成本下的快速焊接。焊层在承受- 55 ℃-125 ℃3200 周冷热循环后无明显退化。
王铁兵施建中谢晓明
关键词:芯片焊接等温凝固电子器件
Fe-V-N合金87℃内耗峰的机制研究
本文采用低温(450℃)预渗氮,高温纯氮退火(870℃)再低温后续渗氮程序,重新研究 Fe-0.8%V-N87℃内耗峰。结果表明,该峰为亚稳沉淀相 VN(x<1)界面的自由氮原子应力弛豫引起。内耗测试用 K(?)氏摆(f...
谢晓明陈廷国
文献传递
YBa2Cu3O7-x材料中氧扩散动力学
众所周知,YBCO 材料的氧浓度对其超导性能起着关键作用。但是,迄今人们对氧扩散动力学过程的认识仍不一致。Chen 等人在四角相渗氧过程中曾观察到一个395℃Q-T 相界内耗峰以及模量软化与硬化现象。本文利用低频(1~2...
李廷伟谢晓明江玲娣陈廷国
文献传递
Au/In等温凝固焊接失效模式研究被引量:8
2001年
研究了 Au/In等温凝固芯片焊接的失效模式 ,对每种失效模式的失效原因进行了讨论 ,并提 出了相应的解决途径。结果表明 :镀铟层过厚 ,会使焊层中产生 Ni9In4相和大量空洞 ,导致焊层出现 早期失效 ;焊接过程中芯片与衬底平行度不好 ,会使加载压力在焊区分布不均 ,并导致焊区局部区 域发生 Au/In不浸润 ;焊接温度过高 ,则焊层内会出现较大的热应力 ,可导致芯片或焊层开裂 ;在 300oC高温下 ,由于过渡层 Ni与 Au/In相的反应 ,焊区内出现大量空洞 ,导致焊层剪切强度下降。 对 Au/In体系在未来高温电子器件芯片焊接中的应用 ,尚需寻找合适的过渡层材料。
王铁兵施建中谢晓明
关键词:芯片焊接等温凝固失效模式
共2页<12>
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