张萍萍
- 作品数:36 被引量:29H指数:2
- 供职机构:山东工业陶瓷研究设计院有限公司更多>>
- 发文基金:国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域:化学工程一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 一种海洋环境隐身/透波一体化陶瓷材料及制备方法
- 本发明涉及一种海洋环境隐身/透波一体化陶瓷材料及其制备方法。包括致密氮化硅陶瓷基体和超材料吸波层,致密氮化硅陶瓷基体与超材料吸波层连接成一体,即得隐身/透波一体化陶瓷材料。在2‑512MHz透过率≥90%,在X波段的反射...
- 张萍萍朱保鑫王洪升韦其红盖莹栾强李伶
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- 低损耗介电可调中介微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 本发明具体涉及一种低损耗介电可调中介微波介质陶瓷材料及其制备方法。化学组成为:aCa(Zr<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1-x</Sub>)O<Sub>3</Sub>+(1-a)La<Sub>1+y</Sub>A...
- 高勇李伶王重海赵小玻张萍萍王营营车松蔚宋涛
- 一种碳化硅纳米线及其制备方法
- 一种碳化硅纳米线制备方法,包括:通过使硅源材料在高温环境下升华得到硅蒸汽;所述硅蒸汽在石墨收集器上原位生成碳化硅纳米线。该方法制备的碳化硅纳米线,直径小且均匀,平均直径在100nm‑500nm,长度达到200μm以上。本...
- 王洪升栾强韦其红朱保鑫李伶张萍萍
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- 一种天线罩防潮层的成型方法
- 本发明公开了一种天线罩防潮层的成型方法,包括如下步骤,将PVDC高阻隔复合膜的胶粘层向内包覆在天线罩表面;将包覆了PVDC高阻隔复合膜的天线罩置于仿形真空袋中抽真空处理,去除PVDC高阻隔复合膜与天线罩表面之间的气体;将...
- 栾强高文秋刘小俊韦其红王洪升石江张萍萍张斌
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- 半水基石英陶瓷浆料性能的影响因素被引量:2
- 2021年
- 为制备出尺寸更精确、密度更均匀,纯度更高、成型周期更短的石英陶瓷材料,采用实验研究的方法,对半水基石英陶瓷浆料性能的主要影响因素进行了研究。实验中,在水基浆料中部分引入了与水互溶的低黏度有机溶剂,采用凝胶注模成型工艺制备出了固相体积分数高达φ(Solid)=80%,流变性能满足凝胶注模工艺要求的半水基英陶瓷浆料。对浆料抽空时间对坯体显气孔率的影响研究表明:真空抽气15 min左右得到的坯体气孔率较低;通过改变有机溶剂、引发剂量和环境温度,可控制凝胶固化时长。对烧结体的性能研究结果表明:坯体在1250℃烧成温度下,保温2 h,制备坯体体积密度为1.97 g/cm^(3),弯曲强度58.1 MPa;熔融石英颗粒在最佳级配条件下,制备的石英陶瓷的体积密度为1.95 g/cm^(3),弯曲强度达到65.7 MPa。XRD分析表明:当烧结温度低于1220℃时,烧结体中均为石英玻璃相;进一步提高烧结温度,会有α-磷石英和α-方石英析出。
- 杨显锋曹俊倡张萍萍崔唐茵
- 关键词:化学工业熔融石英陶瓷凝胶注模
- 一种透波烧蚀隔热一体化材料的制备方法
- 本发明涉及一种透波烧蚀隔热一体化材料的制备方法。将织物高致密表层、织物低密度内层连接成一体,制成预制体;在预制体的织物低密度内层制备疏水涂层,用于抑制对水基前驱体的浸润渗透性,然后通过液相渗积成型工艺循环浸渍硅溶胶,通过...
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- 氮化硅粉体预处理和低缺陷坯体注模成型方法
- 本发明涉及一种氮化硅粉体预处理和低缺陷坯体注模成型方法。通过简单的氮化硅粉体预处理方法一方面使商售氮化硅粉体中含有的少量游离硅完全消除,有效解决注模成型氮化硅陶瓷坯体内的气孔缺陷问题;另一方面显著改善氮化硅粉体在水中的分...
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- 一种夹层结构天线罩及其制备方法和加工工装
- 本发明公开一种夹层结构天线罩的制备方法,所述天线罩包括三层结构、从内到外依次为内罩体、中间层、外罩体;所述中间层通过真空抽滤成型方法填充在内罩体和外罩体之间,本发明还公开了一种夹层结构天线罩和夹层结构天线罩加工工装。本发...
- 王同同贾希彬朱保鑫盖莹郭静张萍萍王洪升
- 低损耗介电可调中介微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 本发明具体涉及一种低损耗介电可调中介微波介质陶瓷材料及其制备方法。化学组成为:aCa(Zr<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1‑x</Sub>)O<Sub>3</Sub>+(1‑a)La<Sub>1+y</Sub>A...
- 高勇李伶王重海赵小玻张萍萍王营营车松蔚宋涛
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- TiO_2晶型对0.65CaTiO_3-0.35LaAlO_3陶瓷介电性能的影响被引量:1
- 2014年
- 采用两种晶型不同的TiO2微粉为原料,通过传统的固相反应工艺分别制备了0.65CaTiO3-0.35LaAlO3陶瓷,系统地研究了这两种TiO2原料对陶瓷的晶体结构、微观结构和微波介电性能的影响。实验结果表明,TiO2原料晶型的不同显著影响了0.65CaTiO3-0.35LaAlO3陶瓷的微波介电性能。对于金红石型TiO2原料,所制备陶瓷的最佳烧结温度为1440℃,其微波介电性能为εr=43.8、Q×f=38216GHz、τf=-10.5ppm/℃。而采用锐钛矿型TiO2原料制备的陶瓷的最佳烧结温度为1580℃,陶瓷的微波介电性能为εr=37.5、Q×f=45200GHz、τf=5.3ppm/℃。该研究结果有助于选择合适的TiO2原料以制备出性能良好的CaTiO3-LaAlO3陶瓷,也为进一步研制和开发新组分的CaTiO3-LaAlO3系微波介质陶瓷材料奠定了基础。
- 赵小玻高勇宋涛侯立红车松蔚王营营张萍萍王玉宝于洪林
- 关键词:微波介质陶瓷介电性能