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熊瑛

作品数：4 被引量：16H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇硅基
  • 4篇二氧化钒
  • 3篇氧化钒薄膜
  • 3篇二氧化钒薄膜
  • 2篇电阻
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇硅基底
  • 2篇高电阻
  • 2篇弛豫
  • 1篇电阻变化
  • 1篇氧化铝
  • 1篇太赫兹
  • 1篇相变
  • 1篇金红石
  • 1篇金红石型
  • 1篇开关
  • 1篇开关器件
  • 1篇基片
  • 1篇硅基片
  • 1篇赫兹

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇熊瑛
  • 3篇杨青慧
  • 3篇文岐业
  • 3篇荆玉兰
  • 2篇陈智
  • 2篇张怀武
  • 2篇田伟
  • 1篇陈智
  • 1篇田伟

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种在硅基底上制备高电阻变化率二氧化钒薄膜的方法
本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO<Sub>2</Sub>薄膜的方法，用以提高VO<Sub>2</Sub>薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底，首先清洗硅基底，然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al<Sub>2<...
文岐业熊瑛陈智张怀武杨青慧田伟毛淇荆玉兰
文献传递
硅基二氧化钒薄膜制备及在太赫兹开关器件方面的应用
太赫兹波(Terahertz, THz)是介于微波和红外波之间的电磁频谱。传统的高频电子器件和光学器件在THz频段不适用，因此对可应用在THz频段的功能材料和器件的研究备受关注。二氧化钒(VO2)在热、电、光等外场驱动下...
熊瑛
关键词：二氧化钒薄膜太赫兹开关器件原子层沉积
文献传递
硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究被引量：13
2015年
本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜.该薄膜具有显著的绝缘体—金属相变特性,相变电阻变化超过3个数量级,热滞回线宽度约为6°C.基于VO2薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线,观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度,显示了优越的电致相变特性.室温下电致相变阈值电压为8.6V,电致相变弛豫电压宽度约0.1 V.随着温度升高到60°C,其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V.本实验制备的VO2薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值.
熊瑛文岐业田伟毛淇陈智杨青慧荆玉兰
关键词：二氧化钒硅基片氧化铝
一种在硅基底上制备高电阻变化率二氧化钒薄膜的方法
本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO<Sub>2</Sub>薄膜的方法，用以提高VO<Sub>2</Sub>薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底，首先清洗硅基底，然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al<Sub>2<...
文岐业熊瑛陈智张怀武杨青慧田伟毛淇荆玉兰
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