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熊瑛
作品数:
4
被引量:16
H指数:2
供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
国家教育部博士点基金
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
一般工业技术
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合作作者
荆玉兰
电子科技大学光电信息学院电子薄...
文岐业
电子科技大学光电信息学院电子薄...
杨青慧
电子科技大学光电信息学院电子薄...
田伟
电子科技大学
张怀武
电子科技大学
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作者
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熊瑛
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杨青慧
3篇
文岐业
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荆玉兰
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陈智
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张怀武
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田伟
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陈智
1篇
田伟
传媒
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物理学报
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2016
2篇
2015
1篇
2014
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一种在硅基底上制备高电阻变化率二氧化钒薄膜的方法
本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO<Sub>2</Sub>薄膜的方法,用以提高VO<Sub>2</Sub>薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底,首先清洗硅基底,然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al<Sub>2<...
文岐业
熊瑛
陈智
张怀武
杨青慧
田伟
毛淇
荆玉兰
文献传递
硅基二氧化钒薄膜制备及在太赫兹开关器件方面的应用
太赫兹波(Terahertz, THz)是介于微波和红外波之间的电磁频谱。传统的高频电子器件和光学器件在THz频段不适用,因此对可应用在THz频段的功能材料和器件的研究备受关注。二氧化钒(VO2)在热、电、光等外场驱动下...
熊瑛
关键词:
二氧化钒薄膜
太赫兹
开关器件
原子层沉积
文献传递
硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究
被引量:13
2015年
本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜.该薄膜具有显著的绝缘体—金属相变特性,相变电阻变化超过3个数量级,热滞回线宽度约为6°C.基于VO2薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线,观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度,显示了优越的电致相变特性.室温下电致相变阈值电压为8.6V,电致相变弛豫电压宽度约0.1 V.随着温度升高到60°C,其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V.本实验制备的VO2薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值.
熊瑛
文岐业
田伟
毛淇
陈智
杨青慧
荆玉兰
关键词:
二氧化钒
硅基片
氧化铝
一种在硅基底上制备高电阻变化率二氧化钒薄膜的方法
本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO<Sub>2</Sub>薄膜的方法,用以提高VO<Sub>2</Sub>薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底,首先清洗硅基底,然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al<Sub>2<...
文岐业
熊瑛
陈智
张怀武
杨青慧
田伟
毛淇
荆玉兰
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