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高健

作品数：11 被引量：4H指数：1
供职机构：南京邮电大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇切片
  • 5篇网络
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应管
  • 3篇切片方法
  • 2篇低时延
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇映射
  • 2篇映射问题
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇时延
  • 2篇时延约束
  • 2篇吞吐
  • 2篇吞吐量
  • 2篇平衡树
  • 2篇网络状态
  • 2篇物理资源
  • 2篇系统吞吐量

机构

  • 11篇南京邮电大学

作者

  • 11篇高健
  • 4篇朱晓荣
  • 4篇朱洪波
  • 3篇张露
  • 2篇杨晓
  • 2篇张婷
  • 2篇王伟
  • 1篇李娜
  • 1篇李娜
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇计算物理

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三材料线性掺杂石墨烯纳米条带场效应管性能(英文)被引量：3
2015年
采用量子动力学模型研究单材料和三材料的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFETs)在不同掺杂情况下的弹道输运特性,模型基于非平衡格林函数方程(NEGF)以及自洽的泊松方程的量子数值解.结果证明:三材料线性掺杂的石墨烯纳米条带场效应管(TL-GNRFET)不仅能够有效地抑制短沟道效应(SCE)和漏极势垒降低效应(DIBL),而且相对于其它几种结构而言,它有更好的亚阈值斜率以及更高的开关电流比.另外,还研究了非对称栅结构对石墨烯场效应管的影响,结果表明,当上栅和下栅同时向源端移动的时候,可以改善器件的电流开关比.
王伟高健张婷张露李娜杨晓岳工舒
关键词：非平衡格林函数
基于资源分配和路由联合优化的5G核心网切片算法研究
网络切片作为5G的核心技术之一，是实现在同一个物理网络上提供不同业务功能的技术。网络切片技术可以实现底层的物理网络资源的动态灵活分配，可以提高整个网络的资源利用率，提升用户服务质量，增强网络的灵活性和弹性。传统的网络体系...
高健
关键词：资源分配
一种基于SDN和NFV的网络切片方法
本发明提出了一种基于SDN和NFV网络切片方法，分析了核心网的物理节点的功能集合对物理节点进行聚类，通过对5G三大业务的各自的约束条件以及服务功能和链路的映射条件构建了资源分配和路由的最优化问题；提出基于对偶分解资源分配...
朱晓荣高健朱洪波
一种基于SDN和NFV的网络切片方法
本发明提出了一种基于SDN和NFV网络切片方法，分析了核心网的物理节点的功能集合对物理节点进行聚类，通过对5G三大业务的各自的约束条件以及服务功能和链路的映射条件构建了资源分配和路由的最优化问题；提出基于对偶分解资源分配...
朱晓荣高健朱洪波
文献传递
一种基于最小平衡树的快速相位解缠方法
本发明公开了一种基于最小平衡树的快速相位解缠方法，采用并行处理方式，利用水平和竖直方向缠绕差分值获得数据质量参数，通过正负残差点源基于数据质量图的正向传播，分别得到正负可靠度图，并结合根据异号残差点源的传播分布搜索最短相...
高健沈佩珊程瑞
碳基场效应管的隧穿电流及其对逻辑电路的影响
首先，采用一种量子力学模型研究纳米碳基场效应管电流特性，该模型基于二维 NEGF(非平衡格林函数)方程和 Poisson方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理，研究基于栅工程和沟道工程技术的碳基场效应管输运特性。其次，...
高健
关键词：隧穿电流逻辑电路
基于强化学习的低时延网络切片方法
本发明提出了一种基于深度强化学习的低时延网络切片的方法，通过对网络切片中低时延业务的时延约束条件以及服务功能和链路的映射条件构建了资源分配和路由的最优化问题；在进行求解的过程中，提出建立了该场景下的马尔可夫模型,利用强化...
朱洪波高健朱晓荣
一种基于深度强化学习的低时延网络切片的方法
本发明提出了一种基于深度强化学习的低时延网络切片的方法，通过对网络切片中低时延业务的时延约束条件以及服务功能和链路的映射条件构建了资源分配和路由的最优化问题；在进行求解的过程中，提出建立了该场景下的马尔可夫模型,利用强化...
朱洪波高健朱晓荣
文献传递
一种基于最小平衡树的快速相位解缠方法
本发明公开了一种基于最小平衡树的快速相位解缠方法，采用并行处理方式，利用水平和竖直方向缠绕差分值获得数据质量参数，通过正负残差点源基于数据质量图的正向传播，分别得到正负可靠度图，并结合根据异号残差点源的传播分布搜索最短相...
高健沈佩珊程瑞
文献传递
双线性掺杂漏异质材料栅氧化层石墨烯隧穿场效应管
本发明公开了一种双线性掺杂漏异质材料栅氧化层石墨烯隧穿场效应管(DL-HTFETs)。该场效应管在源区/漏区进行P/N型重掺杂，源，漏两端靠近沟道区域进行线性掺杂，靠近源极的氧化层采用低K氧化物(SiO<Sub>2</S...
王伟高健张露岳工舒
文献传递
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共2页<12>
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